一种应用于晶圆顶针长度检验的工装的制作方法

本发明涉及一种应用于晶圆顶针长度检验的工装，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术：

半导体镀膜设备在进行薄膜沉积过程中，需要利用晶圆顶针对沉积基底定位，使基底与加热盘间距固定，以实现基底的辐射加热，受热更加均匀，同时要求基底处于水平位置。而由于生产技术的限制，产品晶圆顶针的长度存在一定程度的误差，与此同时，测量过程繁琐，手动测量工具自身存在着误差，测量结果也随测量人员不同而有所差异。这样一来，无法保证晶圆顶针长度误差在可接受范围内，沉积薄膜的均匀性无法得到保障。目前，随着半导体技术的不断发展，等离子体处理装置需求不断加大，当需要进行晶圆顶针长度大量检验时，之前的手动测量方法已不能满足要求。针对准确、快速、简便、可批量生产的苛刻要求，需要一种可应用于晶圆顶针长度检验的工装。

技术实现要素：

本发明以解决上述问题为目的，提供了一种应用于晶圆顶针长度检验的工装，该工装为能够准确、快速、简便、可批量生产的检验晶圆顶针长度的结构。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种应用于晶圆顶针长度检验的工装，该工装包括工装本体， 工装本体上设有第一检测边缘，第二检测边缘，第三检测边缘、第四检测边缘及立柱；所述第一检测边缘与第二检测边缘位于立柱的一侧并上下对应，第三检测边缘与第四检测边缘位于立柱的另一侧并上下对应，所述第一检测边缘与第二检测边缘之间为预设误差允许范围内晶圆顶针长度最小值检测区，所述第三检测边缘与第四检测边缘之间为预设误差允许范围内晶圆顶针长度最大值检测区。

所述工装本体为工字型结构。

所述第一检测边缘与第二检测边缘之间的距离小于第三检测边缘与第四检测边缘之间的距离。

本发明的有益效果及特点在于：

本发明的检验工装采用了长度不等的空隙结构来对晶圆顶针进行筛选，来实现准确、快速、简便的检验圆顶针长度，确保了基底的水平和沉积薄膜的均匀性。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：

参照图1，一种应用于晶圆顶针长度检验的工装，该工装包括工装本体1，工装本体1上设有第一检测边缘2，第二检测边缘3，第三检测边缘4、第四检测边缘5及立柱6，第一检测边缘2与第二检测边缘3位于所述立柱6的一侧并上下对应，第三检测边缘4与第 四检测边缘5位于立柱6的另一侧并上下对应，所述第一检测边缘2与第二检测边缘3之间为预设误差允许范围内晶圆顶针长度最小值检测区，所述第三检测边缘4与第四检测边缘5之间为预设误差允许范围内晶圆顶针长度最大值检测区。

所述工装本体1为工字型结构。

所述第一检测边缘2与第二检测边缘3之间的距离小于第三检测边缘4与第四检测边缘5之间的距离。

使用时，将成品晶圆顶针于立柱6两侧的所述第一检测边缘2和第二检测边缘3之间的预设误差允许范围内晶圆顶针长度最小值检测区及所述第三检测边缘4与第四检测边缘5之间的预设误差允许范围内晶圆顶针长度最大值检测区空隙进行匹配，晶圆顶针的长度若比最大值检测区尺寸大或最小值检测区尺寸小，则该晶圆顶针长度不符合要求，从而筛选出误差允许范围内的晶圆顶针，以确保基底的水平和沉积薄膜的均匀性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。