in，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网。再将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、310°C下保温35min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量3.5mL/min的锗烷与60mL/min的氩气的混合气体，得到近似于图1b?图1d所示的其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网。
[0038]步骤2，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶1.5cm处，于溅射电流25mA下溅射7min，制得近似于图1e所示，以及如图1f中的曲线所示的银-锗-铜复合结构器件。
[0039]实施例2
[0040]制备的具体步骤为:
[0041]步骤1，先对网孔直径为38 μπι的铜网依次使用乙醇和去离子水超声清洗后，将其置于溅射仪中的金靶1.8cm处，于溅射电流23mA下溅射1.8min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网。再将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、320°C下保温34min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量3.8mL/min的锗烷与60mL/min的氩气的混合气体，得到近似于图1b?图1d所示的其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网。
[0042]步骤2，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶1.8cm处，于溅射电流23mA下溅射7.3min，制得近似于图1e所示，以及如图1f中的曲线所示的银-锗-铜复合结构器件。
[0043]实施例3
[0044]制备的具体步骤为:
[0045]步骤1，先对网孔直径为40 μπι的铜网依次使用乙醇和去离子水超声清洗后，将其置于溅射仪中的金靶2cm处，于溅射电流20mA下溅射2min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网。再将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、330°C下保温33min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量4mL/min的锗烷与60mL/min的氩气的混合气体，得到如图1b?图1d所示的其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网。
[0046]步骤2，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶2cm处，于溅射电流20mA下溅射7.5min，制得如图1e所示，以及如图1f中的曲线所示的银-锗-铜复合结构器件。
[0047]实施例4
[0048]制备的具体步骤为:
[0049]步骤1，先对网孔直径为43 μπι的铜网依次使用乙醇和去离子水超声清洗后，将其置于溅射仪中的金靶2.3cm处，于溅射电流18mA下溅射2.3min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网。再将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、340°C下保温31min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量4.3mL/min的锗烷与60mL/min的氩气的混合气体，得到近似于图1b?图1d所示的其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网。
[0050]步骤2，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶2.3cm处，于溅射电流18mA下溅射7.8min，制得近似于图1e所示，以及如图1f中的曲线所示的银-锗-铜复合结构器件。
[0051]实施例5
[0052]制备的具体步骤为:
[0053]步骤1，先对网孔直径为45 μπι的铜网依次使用乙醇和去离子水超声清洗后，将其置于溅射仪中的金靶2.5cm处，于溅射电流15mA下溅射2.5min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网。再将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、350°C下保温30min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量4.5mL/min的锗烷与60mL/min的氩气的混合气体，得到近似于图1b?图1d所示的其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网。
[0054]步骤2，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶2.5cm处，于溅射电流15mA下溅射8min，制得近似于图1e所示，以及如图1f中的曲线所示的银-锗-铜复合结构器件。
[0055]银-锗-铜复合结构器件的用途为，
[0056]将银-锗-铜复合结构器件作为表面增强拉曼散射的活性基底，或者将银-锗-铜复合结构器件置于10_5?10 _9mol/L的腺嘌呤溶液或6-氨基青霉烷酸分子溶液或青霉素G钠溶液的表面，且于腺嘌呤溶液或6-氨基青霉烷酸分子溶液中的正电极与连接银-锗-铜复合结构器件的铜网的负电极间施加-1V的电压或于青霉素G钠溶液中的正电极与连接银-锗-铜复合结构器件的铜网的负电极间施加IV的电压所构成的组件作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明6G或甲基对硫磷或腺嘌呤或6-氨基青霉烷酸或青霉素G钠的含量，得到如或近似于图2或图3所示的结果；其中，激光拉曼光谱仪的激发波长为532nm、输出功率为0.2?0.4mW、积分时间为3?7s。
[0057]显然，本领域的技术人员可以对本发明的银-锗-铜复合结构器件及其制备方法和用途进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若对本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种银-锗-铜复合结构器件，包括衬底，其特征在于: 所述衬底为铜网，所述铜网的表面和网孔壁上构筑有锗纳米线，所述锗纳米线上修饰有银纳米颗粒； 所述铜网的网孔直径为35?45 μπι; 所述锗纳米线的线直径为100?150nm、线长为5?15 μπι ; 所述银纳米颗粒的粒径为15?35nm。2.—种权利要求1所述银-锗-铜复合结构器件的制备方法，包括化学气相沉积法，其特征在于主要步骤如下: 步骤1，先将铜网置于溅射仪中的金靶1.5?2.5cm处，于溅射电流15?25mA下溅射1.5?2.5min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网，再使用化学气相法于其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网上生长锗纳米线，得到其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网； 步骤2，使用溅射仪于其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网上溅射银纳米颗粒，制得银-锗-铜复合结构器件。3.根据权利要求2所述的银-锗-铜复合结构器件的制备方法，其特征是于铜网上溅射金纳米颗粒前，先对其依次使用乙醇和去离子水超声清洗。4.根据权利要求3所述的银-锗-铜复合结构器件的制备方法，其特征是使用化学气相法生长锗纳米线的过程为，将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、310?350°C下保温至少30min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量3.5?4.5mL/min的锗烧与60mL/min的氩气的混合气体。5.根据权利要求3所述的银-锗-铜复合结构器件的制备方法，其特征是溅射银纳米颗粒的过程为，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶1.5?2.5cm处，于派射电流15?25mA下派射7?8min。6.一种权利要求1所述银-锗-铜复合结构器件的用途，其特征在于: 将银-锗-铜复合结构器件作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明6G或甲基对硫磷或腺嘌呤或6-氨基青霉烷酸或青霉素G钠的含量。7.根据权利要求6所述的银-锗-铜复合结构器件的用途，其特征是将银-锗-铜复合结构器件置于10_5?10_9mol/L的腺嘌呤溶液或6-氨基青霉烷酸分子溶液或青霉素G钠溶液的表面，且于腺嘌呤溶液或6-氨基青霉烷酸分子溶液中的正电极与连接银-锗-铜复合结构器件的铜网的负电极间施加-1V的电压或于青霉素G钠溶液中的正电极与连接银-锗-铜复合结构器件的铜网的负电极间施加IV的电压所构成的组件作为表面增强拉曼散射的活性基底。8.根据权利要求6或7所述的银-锗-铜复合结构器件的用途，其特征是激光拉曼光谱仪的激发波长为532nm、输出功率为0.2?0.4mW、积分时间为3?7s。
【专利摘要】本发明公开了一种银-锗-铜复合结构器件及其制备方法和用途。器件为铜网的表面和网孔壁上构筑有其上修饰有银纳米颗粒的锗纳米线，其中，铜网的网孔直径为35～45μm，锗纳米线的线直径为100～150nm、线长为5～15μm，银纳米颗粒的粒径为15～35nm；方法为先将铜网置于溅射仪中的金靶1.5～2.5cm处，于溅射电流15～25mA下溅射1.5～2.5min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网，再使用化学气相法于其上生长锗纳米线，得到其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网，之后，使用溅射仪于其上溅射银纳米颗粒，制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底，广泛地用于测量其上附着的罗丹明6G或甲基对硫磷或腺嘌呤或6-氨基青霉烷酸或青霉素G钠的含量。
【IPC分类】B82Y30/00, C30B29/62, C30B29/08, B82Y40/00, C23C14/16, C23C14/34, C30B25/18, C23C16/18, G01N21/65
【公开号】CN104897638
【申请号】CN201510203493
【发明人】周琪涛, 孟国文, 刘菁, 柯岩
【申请人】中国科学院合肥物质科学研究院
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月24日