技术特征：
技术总结
本发明涉及基准电压电路以及半导体装置。一种基准电压电路，具有串联连接的耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管，并从增强型MOS晶体管的漏极输出基准电压，耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的栅极被共同连接在一起，其中，耗尽型MOS晶体管至少具有串联连接的第一耗尽型MOS晶体管和第二耗尽型MOS晶体管，该基准电压电路具有电容器，该电容器的一端与第一耗尽型MOS晶体管的漏极连接，另一端与第一耗尽型MOS晶体管的源极连接。
技术研发人员：坂口薰
受保护的技术使用者：艾普凌科有限公司
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.08.16