带有启动电路的带隙基准源电路的制作方法

文档序号:20916129发布日期:2020-05-29 13:32阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,包括启动电路和带隙基准源主体电路,所述启动电路用于为所述带隙基准源主体电路提供启动电压;

所述启动电路与所述带隙基准源主体电路分别连接电源电压端;

所述启动电路包括nmos管,所述带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、三个pmos管、两个三极管;

所述nmos管的源极与所述带隙基准源主体电路中的所述运算放大器的反相输入端、第一pmos管的漏极、第一三极管的发射极和第一电阻连接;

第一pmos管的栅极与第二pmos管的栅极连接后与第三pmos管的栅极连接,所述运算放大器的输出端与所述第三pmos管的栅极连接,所述运算放大器的反相输入端与所述第一三极管、所述第一pmos管的漏极分别连接,所述运算放大器的同相输入端与第二三极管、所述第二pmos管的漏极分别连接,所述第二三极管接地;

所述第三pmos管的漏极与第二电阻连接,所述第三pmos管的漏极与第二电阻的公共端为所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端,所述nmos管的栅极连接所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,所述nmos管的源极通过所述第一电阻接地,所述nmos管的漏极连接所述电源电压端;

所述运算放大器的反相输入端与第一三极管的发射极连接,所述第一三极管的基极和集电极接地;

所述运算放大器的同相输入端通过第三电阻连接所述第二三极管的发射极,所述第二三极管的基极和集电极接地;所述运算放大器的同相输入端还连接第四电阻,所述第四电阻接地;

所述第一pmos管、所述第二pmos管和所述第三pmos管的源极分别连接所述电源电压端。

3.根据权利要求1或2所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,所述noms管的阈值电压为负值。

4.根据权利要求1或2所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,将所述nmos管、所述运算放大器、所述第一pmmos管和所述第一三极管的公共端记为第一连接点;

上电时,所述带隙基准源电路的输出电压为0v,所述第一连接点的电压为0v,所述nmos管导通,所述电源电压端为所述第一连接点充电;当所述第一连接点的电压大于所述带隙基准源电路的输出电压时,所述nmos管断开,所述带有启动电路的带隙基准源电路开始正常工作。

5.一种带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,包括启动电路、带隙基准源主体电路和稳定性电路,所述启动电路用于为所述带隙基准源主体电路提供启动电压;

所述启动电路、所述带隙基准源主体电路、所述稳定性电路分别连接电源电压端;

所述启动电路包括第一nmos管和第一电阻,所述带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、三个pmos管、两个三极管,所述稳定性电路包括第二nmos管和第一电容;

所述第一nmos管的源极与所述带隙基准源主体电路中的所述运算放大器的反相输入端、第一pmos管的漏极、第一三极管的发射极和第二电阻连接;

第一pmos管的栅极与第二pmos管的栅极连接后与第三pmos管的栅极连接,所述运算放大器的输出端与所述第三pmos管的栅极连接,所述运算放大器的反相输入端与所述第一三极管、所述第一pmos管的漏极分别连接,所述运算放大器的同相输入端与第二三极管、所述第二pmos管的漏极分别连接,所述第二三极管接地;

所述第三pmos管的漏极与第二电阻连接,所述第三pmos管的漏极与第三电阻的公共端为所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端,所述nmos管的栅极连接所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端;

所述第二nmos管与所述第一电阻、所述第三pmos管分别连接。

6.根据权利要求5所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,所述nmos管的源极通过所述第二电阻接地,所述第一nmos管的漏极通过所述第一电阻连接所述电源电压端;

所述运算放大器的反相输入端与第一三极管的发射极连接,所述第一三极管的基极和集电极接地;

所述运算放大器的同相输入端通过第四电阻连接所述第二三极管的发射极,所述第二三极管的基极和集电极接地;所述运算放大器的同相输入端还连接第五电阻,所述第五电阻接地;

所述第一pmos管、所述第二pmos管和所述第三pmos管的源极分别连接所述电源电压端。

7.根据权利要求5所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,所述第二nmos管的源极与所述第三pmos管的栅极连接,所述第二nmos管的漏极通过所述第一电容连接所述电源电压,所述第一nmos管与所述第一电阻的公共端与所述第二nmos管的栅极连接。

8.根据权利要求5至7任一所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,所述第一noms管的阈值电压为负值。

9.根据权利要求5至7任一所述的带有启动电路的带隙基准源电路,其特征在于,将所述nmos管、所述运算放大器、所述第一pmmos管和第一三极管的公共端记为第一连接点,将所述第一电阻、所述第一nmos管和所述第二nmos管的公共端记为第二连接点;

上电时,所述带隙基准源电路的输出电压为0v,所述第一连接点的电压为0v,所述第二连接点的电压为0v,所述第一nmos管导通,所述电源电压端为所述第一连接点充电,同时所述第二nmos管为断开状态;

当所述第一连接点的电压大于所述带隙基准源电路的输出电压时,所述第一nmos管断开,第二连接点为高电平,所述带有启动电路的带隙基准源电路开始正常工作,同时所述第二nmos管导通。


技术总结
本申请公开了一种带有启动电路的带隙基准源电路,涉及半导体集成电路技术领域。该电路包括启动电路和带隙基准源主体电路;启动电路与带隙基准源主体电路分别连接电源电压端;启动电路包括NMOS管,带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、PMOS管、三极管;NMOS管的源极与运算放大器的反相输入端、第一PMOS管的漏极、第一三极管的发射极和第一电阻连接;运算放大器的输出端与第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管分别连接,第三PMOS管的漏极与第二电阻的公共端为该电路的输出端,NMOS管的栅极连接输出端;避免了整体电路零电流的简并点问题,达到期望的稳定工作点。

技术研发人员:邵博闻
受保护的技术使用者:上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日:2020.02.26
技术公布日:2020.05.29
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