专利名称：一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法
技术领域：
本发明涉及版图布图领域，尤其涉及一种可增大工艺窗口的金属层版图布 图方法。
背景技术：
在半导体制造领域，在半导体器件的芯片图形布图好后，还需要经过版图 布图将该芯片图形转换为可直接进行光罩制造的版图，然后依照依照所布图出 的版图制造光罩，之后依照该光罩进行半导体器件的制作。上述将芯片图形转 换为版图的过程中，需要考虑依照该版图制作的光罩在光刻机上进行曝光时会 遇到工艺窗口过小等工艺问题。例如在进行半导体器件中金属层的版图布图时， 平行金属导线图形对间的间距过小会导致工艺窗口过小而无法无变形的光刻出
金属导线对，此时就需要^吏用选4奪尺寸法(Selecting Sizing A卯roach;筒称 SSA )来调整平行金属导线图形对间的间距以增大工艺窗口来确保无变形的光刻 出该平行金属导线图形对，在通过SSA调整平行金属导线图形对间的间距过程 中，会相应的缩小平行金属导线图形的宽度，此时连接在该平行金属导线图形 上的接触孔就会因平行金属导线图形的变窄而出现部分棵露在平行金属导线图 形外的状况，此时会造成接触电阻增大进而影响半导体器件的电性能。
因此，如何提供一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法以在不影响半 导体器件性能的前提下增大工艺窗口，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，通过 所述方法可增大后续光刻时的工艺窗口 ，进而可大大提高半导体器件的性能。
本发明的目的是这样实现的 一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法， 用于供使用者使用版图布图软件进行金属层的版图布图，该金属层具有多条平行的金属导线，该多条平行的金属导线上连接有接触孔，该版图布图方法包括 以下步骤(1)放置金属层对应的金属导线图形，其中，该金属导线图形包括
多条平行的金属导线对应的平行金属导线图形；(2 )搜寻出间距小于最小光刻 容许间距的平行金属导线图形对；(3)通过调整所搜索出的平行金属导线图形 对中任一根或两根的宽度来将该平行金属导线图形对的间距调整至最小光刻容 许间距；其特征在于，该方法还包括步骤(4)在进行宽度调整的平行金属导线 图形的边缘上设置恰遮蔽与该平行金属导线连接的接触孔的遮蔽图形。
在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，使用该金属层版图对 应的光罩进行光刻时，间距不小于该最小光刻容许间距的平行金属导线图形对 被无变形的光刻出，间距小于该最小光刻容许间距的平行金属导线图形对产生 变形。
在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该最小光刻容许间距 为130纳米。
在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该遮蔽图形为长方块。
在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该版图布图软件为 L-Edit版图布图软件。
在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该版图布图软件为 Cadence版图布图软件。
与现有技术中在通过调整平行金属导线图形对的宽度来增大其工艺窗口时 会造成与该被调整宽度的平行金属导线相连的接触孔有一部分未被金属导线遮 蔽相比，本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法在通过调整平行金属 导线图形对的宽度来增大其工艺窗口后，还在进行宽度调整的平行金属导线图 形的边缘上设置恰遮蔽与该平行金属导线连接的接触孔的遮蔽图形，于是避免 了接触孔的部分棵露，另外可大大提高了工艺窗口和半导体器件的性能。
本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法的流程图；图2为完成图1中的步骤S10后金属层版图的示意图； 图3为完成图1中的步骤S12后金属层版图的示意图； 图4为完成图1中的步骤S13后金属层版图的示意图。
具体实施例方式
以下将对本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法作进一步的详细描述。
本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，用于供使用者使用版图 布图软件进行金属层的版图布图，所述金属层具有多条平行的金属导线，所述 多条平行的金属导线上连接有接触孔。在本实施例中，所述版图布图软件为 L-Edit或Cadence版图布图软件。
参见图1，本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法首先进行步骤 S10,放置金属层对应的金属导线图形，其中，所述金属导线图形包括多条平行 的金属导线对应的平行金属导线图形。
参见图2,其显示了本实施例完成步骤S10后金属层版图的示意图，如图所 示，所述金属层版图包括平行金属导线图形10、 11、 12、 13、 14和15,其中， 所述平行金属导线图形10、 11、 12、 13、 14和15相邻两者间的间距分别为250、 110、 350、 100和100纳米。在本发明其他实施例中，所述金属层还包括其他非 平行的金属导线。
接着继续步骤Sll,搜寻出间距小于最小光刻容许间距的平行金属导线图 形对。在本实施例中，使用所述金属层版图对应的光罩进行光刻时，间距不小 于所述最小光刻容许间距的平行金属导线图形对被无变形的光刻出，间距小于 所述最小光刻容许间距的平行金属导线图形对产生变形；所述最小光刻容许间 距为130纳米；搜寻出了间距小于130纳米的平行金属导线图形对11和12、 13 和14、 14和15。
接着继续步骤S12,通过调整所搜索出的平行金属导线图形对中任一根或 两根的宽度来将所述平行金属导线图形对的间距调整至最小光刻容许间距。在 本实施例中，通过调窄平行金属导线图形12的宽度将平行金属导线图形对11 和12的间距调整至最小光刻容许间距，通过调窄平行金属导线图形14的宽度将平行金属导线图形对13和14、 14和15的间距调整至最小光刻容许间距。
参见图3,结合参见图2，其显示本实施例完成步骤S12后金属层版图的示 意图，如图所示，虚线为平行金属导线图形12、 14调整前的位置，平行金属导 线图形12的最右侧不变，其左侧被向右移动了 IO纳米，平行金属导线图形14 的最左侧和最右侧分别向中心位置移动了 IO纳米，此时平行金属导线图形对11 和12、 13和14、 14和15间的间距均被调整至最小光刻容许间距130纳米。
接着继续步骤S13，在进行宽度调整的平行金属导线图形的边缘上设置恰 遮蔽与所述平行金属导线连接的接触孔的遮蔽图形。在本实施例中，对平行金 属导线图形12、 14的宽度进行了调整，故需在其调整的边缘上设置恰遮蔽与其 连接的接触孔的遮蔽图形。
参见图4，结合参见图2和图3，其显示本实施例完成步骤S13后金属层版 图的示意图，如图所示，进行了宽度调整的平行金属导线图形12和14的边缘 上分别设置有恰遮蔽与其连接的接触孔(未图示)的多个遮蔽图形120和140， 所述遮蔽图形120和140均为长方块。
综上所述，本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法在通过调'整平 行金属导线图形对的宽度来增大其工艺窗口后，还在进行宽度调整的平行金属 导线图形的边缘上设置恰遮蔽与所述平行金属导线图形连接的接触孔的遮蔽图 形，于是避免了接触孔的部分棵露，另外可大大提高了工艺窗口和半导体器件 的性能。
权利要求
1、一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，用于供使用者使用版图布图软件进行金属层的版图布图，该金属层具有多条平行的金属导线，该多条平行的金属导线上连接有接触孔，该版图布图方法包括以下步骤(1)放置金属层对应的金属导线图形，其中，该金属导线图形包括多条平行的金属导线对应的平行金属导线图形；(2)搜寻出间距小于最小光刻容许间距的平行金属导线图形对；(3)通过调整所搜索出的平行金属导线图形对中任一根或两根的宽度来将该平行金属导线图形对的间距调整至最小光刻容许间距；其特征在于，该方法还包括步骤(4)在进行宽度调整的平行金属导线图形的边缘上设置恰遮蔽与该平行金属导线连接的接触孔的遮蔽图形。
2、 如权利要求1所述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，其特征在 于，使用该金属层版图对应的光罩进行光刻时，间距不小于该最小光刻容许间 距的平行金属导线图形对被无变形的光刻出，间距小于该最小光刻容许间距的 平行金属导线图形对产生变形。
3、 如权利要求1所述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，其特征在 于，该最小光刻容许间距为130纳米。
4、 如权利要求1所述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，其特征在 于，该遮蔽图形为长方块。
5、如权利要求1所述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，其特征在 于，该版图布图软件为L-EdU版图布图软件。
6、如权利要求1所述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，其特征在 于，该版图布图软件为Cadence版图布图软件。
全文摘要
本发明提供了一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，该金属层具有多条连接有接触孔且平行的金属导线。现有技术中在通过调整平行金属导线图形对的宽度来增大工艺窗口时会造成与被调整宽度的平行金属导线相连的接触孔有一部分未被金属导线图形遮蔽。本发明的金属层版图布图方法先放置金属层对应的包括平行金属导线图形的金属导线图形；再搜寻出间距小于最小光刻容许间距的平行金属导线图形对；并通过调整任一根或两根平行金属导线图形的宽度来将其间距调整至最小光刻容许间距；最后在进行宽度调整的平行金属导线图形边缘上设置恰遮蔽与其连接的接触孔的遮蔽图形。采用本发明可大大提高后续光刻时的工艺窗口，进而大大提高半导体器件的性能。
文档编号G06F17/50GK101419634SQ200710047359
公开日2009年4月29日 申请日期2007年10月24日 优先权日2007年10月24日
发明者刘庆炜 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司