透明导电性薄膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种薄膜构成简单，另一方面，即便在实施退火处理时，也难以看出透明导电性膜的图案形状的透明导电性薄膜。所述透明导电性薄膜是在透明塑料薄膜基材的至少一面依次层叠光学调整层和透明导电性膜而成的透明导电性薄膜，透明塑料薄膜在150℃下加热1小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为T1（%）、透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2（%）、透明塑料薄膜基材的厚度为L（μm)时，满足下述关系式（1）和（2）。T1/L<0.0045（1）T2/L<0.0035（2）。
【专利说明】透明导电性薄膜
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种透明导电性薄膜。
[0002]特别涉及薄膜构成简单，另一方面，即便实施退火处理时，也难以看出透明导电性膜的图案形状的透明导电性薄膜。
【背景技术】
[0003]以往，可通过与图像显示部直接接触来输入信息的触摸面板是在显示器上配置透光性的输入装置而成的。
[0004]作为上述触摸面板的代表形式，存在将2张透明电极基板以各自的透明电极层相对的方式设置间隙而进行配置而成的电阻膜式触摸面板、利用在透明电极膜和手指之间产生的静电容量的变化的静电容量式触摸面板。
[0005]其中，静电容量式触摸面板中，作为用于检测手指的触摸位置的传感器，大致存在透明导电性膜层叠于玻璃基材上而成的玻璃传感器和透明导电性膜层叠于透明塑料薄膜基材上而成的薄膜传感器。
[0006]特别是在薄膜传感器中，大多通过将2张具备图案化为线状的透明导电性膜的透明导电性薄膜按各自的图案相互交错的方式进行配置来形成格子状的图案。
[0007]然而，这样将透明导电性膜进行图案化时，出现图案部和非图案部的边界部分容易被看出，静电容量式触摸面板的美观性变差的问题。
[0008]因此，公开了用于解决上述问题的技术(例如，参照专利文献I)。
[0009]更具体而言，公开了一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，上述透明导电性薄膜在透明的薄膜基材的单面或者两面介由至少I层的底涂层具有透明导电体层，且透明导电体层已图案化，并且在不具有透明导电体层的非图案部具有至少I层的底涂层，上述制造方法具有:在透明的薄膜基材的单面或者两面，利用有机物形成从透明的薄膜基材为第一层的底涂层的工序；在底涂层上，利用溅射法形成透明导电体层的工序；以及蚀刻透明导电体层而图案化的工序。
[0010]并且，专利文献I中，公开了通过对具有图案化了的透明导电体层的透明导电性薄膜实施退火处理，从而使该透明导电体层结晶，提高电导度。
[0011]现有技术文献
[0012]专利文献
[0013]专利文献1:日本特开2011-142089号公报(权利要求书)
【发明内容】
[0014]然而，专利文献I的实施例中公开的透明导电性薄膜是如下形成的:在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下，有时称为“PET薄膜”)的一面依次层叠2层的底涂层和透明导电体层，并且在PET薄膜的另一面介由粘着剂层贴合支撑体，该支撑体是在厚度不同的PET薄膜上层叠厚的硬涂层而成的。[0015]因此，专利文献I中记载的透明导电性薄膜有层构成复杂、生产成本高的问题。
[0016]因此，本发明的发明人等，为了解决上述生产成本的问题，尝试从上述专利文献I的实施例中的透明导电性薄膜的构成中省略支撑体。
[0017]然而，省略支撑体的情况下，又新产生了退火处理后，容易看出图案形状的问题。
[0018]另外，要进一步改善生产成本，尝试了提高退火处理温度，缩短退火处理时间，结果又出现了图案形状容易被看出的问题。
[0019]S卩，本发明的目的在于提供薄膜构成简单，另一方面，即便实施退火处理时，也难以看出透明导电性膜的图案形状的透明导电性薄膜。
[0020]本发明的发明人等进行了深入研究，结果发现利用以下的透明导电性薄膜能够解决上述的课题，完成了发明。
[0021]S卩，提供一种透明导电性薄膜，能够解决上述问题，其特征在于，是在透明塑料薄膜基材的至少一面依次层叠光学调整层和透明导电性膜而成的透明导电性薄膜，透明塑料薄膜在150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2 (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L ( μ m)时,满足下述关系式(I)和(2)。
[0022]T1/L<0.0045 (I)
[0023]T2/L<0.0035 (2)
[0024]S卩，采用本发明的透明导电性薄膜，作为透明塑料薄膜基材，使用以其主取向轴为基准而规定的热收缩率和厚度满足规定的关系式的透明塑料薄膜基材。
[0025]由此，能够实现薄膜构成简单，另一方面，即便实施退火处理时，也难以看出透明导电性膜的图案形状。
[0026]另外，由于在透明导电性膜和透明塑料薄膜基材之间设置光学调整层，所以能够使由透明导电性膜的折射率和透明塑料薄膜基材的折射率之差引起的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0027]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率(Tl)为O?0.5%。
[0028]通过这样构成，即便实施退火处理时，也能够使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0029]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2)为O?0.4%。
[0030]通过这样构成，即便实施退火处理时，也能够使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0031]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选透明塑料薄膜基材的厚度(L)为25?200 μ m。
[0032]通过这样构成，即便实施退火处理时，也能够使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0033]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选光学调整层从透明塑料基材侧依次层叠中折射率层、高折射率层和低折射率层，中折射率层是折射率为1.4以上且小于1.7、比低折射率层的折射率高且比高折射率层的折射率低的层，高折射率层的折射率为1.6以上且小于2，低折射率层为折射率为1.3以上且小于1.6。
[0034]通过这样构成，能够使由透明导电性膜的折射率和透明塑料薄膜基材的折射率之差引起的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0035]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选上述中折射率层的厚度为50?5000nm，高折射率层的厚度为20?130nm，低折射率层的厚度为10?150nm。
[0036]通过这样构成，能够使由透明导电性膜的折射率和透明塑料薄膜基材的折射率之差引起的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0037]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选透明导电性膜由铟锡氧化物(以下，有时称为“ΙΤ0”)构成，并且在光学调整层上形成图案状而成。
[0038]这样构成的情况下，通过实施退火处理，通常容易看出透明导电性膜的图案形状，如果是本发明的透明导电性薄膜，则能够使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0039]另外，本发明的透明导电性薄膜中，优选透明导电性膜的厚度为5?500nm。
[0040]这样构成的情况下，通过实施退火处理，通常透明导电性膜的图案形状变得明显，如果是本发明的透明导电性薄膜，能够使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
【专利附图】
【附图说明】
[0041]图1是用于对本发明的透明导电性薄膜进行说明的图。
[0042]图2 (a)?图2 (C)是用于对透明塑料薄膜基材的Tl方向和T2方向进行说明的图。
[0043]图3是用于说明T1/L与退火处理后的透明导电性膜的图案的可视性的关系的图。
[0044]图4是用于说明T2/L与退火处理后的透明导电性膜的图案的可视性的关系的图。
[0045]符号说明
[0046]1:透明导电性膜，2:光学调整层，2a:低折射率层，2b:高折射率层，2c:中折射率层，3:透明塑料薄膜基材，10:透明导电性薄膜
【具体实施方式】
[0047]本发明的实施方式，如图1所示，透明导电性薄膜10的特征在于，是在透明塑料薄膜基材3的至少一面依次层叠光学调整层2和透明导电性膜I而成的透明导电性薄膜10，透明塑料薄膜3在150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材3的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、透明塑料薄膜基材3的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2(%)、透明塑料薄膜基材3的厚度为L ( μπι)时，满足下述关系式(I)和(2)。
[0048]T1/L<0.0045 (I)
[0049]T2/L<0.0035 (2)
[0050]以下，适当地参照附图对本发明的实施方式进行具体说明。
[0051]1.透明塑料薄膜基材
[0052]( I)种类
[0053]作为透明塑料薄膜基材的种类，没有特别限制，可以使用作为光学用基材公知的透明塑料薄膜基材。
[0054]例如，可以优选地举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、玻璃纸、二乙酰纤维素薄膜、三乙酰纤维素薄膜、乙酸丁酸纤维素薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚偏二氯乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚砜薄膜、聚醚醚酮薄膜、聚醚砜薄膜、聚醚酰亚胺薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟树脂薄膜、聚酰胺薄膜、丙烯酸树脂薄膜、降冰片烯系树脂薄膜、环烯烃树脂薄膜等塑料薄膜。
[0055]另外，其中，从耐热性的观点出发，更优选为聚酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、降冰片烯系树脂薄膜、环烯烃树脂薄膜。
[0056]另外，从透明性和兼具薄膜强度与柔软性的观点出发，特别优选为PET薄膜。
[0057](2)关系式
[0058]首先，在说明本发明的关系式(I)和(2)之前，对透明导电性膜的图案因退火处理而容易被看出的现象掺杂推测进行说明。
[0059]对因退火处理而被看出的图案部分等通过电子显微镜进行观察时，确认退火处理后的图案部分比退火处理前有一些突起。推断正是这些突起是退火处理后图案形状容易被识别的原因。
[0060]另外，这样的透明导电性膜的图案部分突起的原因，推断是由于已图案化的透明导电性膜经退火处理也不发生形状变化，另一方面，光学调整层和透明塑料薄膜基材因退火处理而发生热收缩，因此作为结果，只是图案部分突起。
[0061]S卩，推断起因于透明导电性膜的图案因退火处理而容易被看出的现象是因为透明导电性膜和其他层的热收缩行为不同，因此在透明导电性膜的存在图案的部分和不存在图案的部分产生形变。
[0062]接下来，接受上述推断，以下根据各种研究对本发明的关系式(I)和(2)的原委进行说明。
[0063]根据上述推断，期待通过使用热收缩率小的透明塑料薄膜基材，能够抑制光学调整层和透明塑料薄膜基材的热收缩，进而，能够使退火处理后的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0064]然而，即便在使用以MD方向和TD方向为基准的热收缩率小的透明塑料薄膜基材的情况下，也无法使退火处理后的透明导电性膜的图案形状稳定而难以被看出。
[0065]对该现象进行了深入研究，结果发现通过使用不以MD方向和TD方向而以取向轴为基准显示规定的热收缩率的透明塑料薄膜基材，能够使退火处理后的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0066]具体说明，如图2 (a)所示，MD方向和TD方向是根据制成宽1000?1500mm左右的大的薄膜时的条件得到的信息。
[0067]另一方面，手机等的小型电子设备中使用的触摸面板用的小的透明导电性薄膜的基材是从该大的薄膜切出多个薄膜。
[0068]因此，如图2 (b)所示，在薄膜的中央部分切出的透明塑料薄膜基材，以及，如图2(C)所示，在边缘部分切出的透明塑料薄膜基材，取向轴的方向有很大不同，热收缩率不显示与MD方向和TD方向对应的行为，而显示与取向轴对应的行为。
[0069]因此，可知对透明塑料薄膜基材而言，需要选择不是MD方向和TD方向而是取向轴向和其垂直方向的热收缩率为规定值内的透明塑料薄膜基材。[0070]然而，即便在使用以取向轴为基准的热收缩率低的透明塑料薄膜基材的情况下，仍然出现有时无法使退火处理后的透明导电性膜的图案形状难以被看出的问题。
[0071]各种研究的结果，得出以下推断:对于退火处理后的透明导电性膜的图案形状容易被看出的现象，透明塑料薄膜基材的厚度也给予影响。
[0072]S卩，确认通过增厚透明塑料薄膜基材的厚度能够防止退火处理后的透明导电性膜的图案形状容易被看出的趋势。对于该现象，推断利用透明塑料薄膜基材的厚度能够吸收热收缩引起的形变，进而，能够使退火处理后的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0073]根据以上的推断和研究的结果，通过考虑以透明塑料薄膜基材的取向轴为基准的热收缩率和厚度这两方面，发现了稳定地得到薄膜构成简单，另一方面，即便实施退火处理时，也难以看出透明导电性膜的图案形状的透明导电性薄膜的条件。
[0074]以下，进一步说明其详细内容。
[0075]即，本发明的透明塑料薄膜基材的特征在于，150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L( μπι)时，满足下述关系式(I)。
[0076]T1/L<0.0045 (I)
[0077]另外，从更有效地防止透明导电性膜的图案形状容易被看出的观点出发，本发明的透明塑料薄膜在150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L (μπι)时，更优选满足下述关系式(I')，进一步优选满足下述关系式(P ')。
[0078]T1/L<0.0040 (I')
[0079]T1/L<0.0035 (I'')
[0080]另外，本发明的透明塑料薄膜基材的特征在于，150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2 (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L(μ m)时,满足下述关系式(2)。
[0081]T2/L<0.0035 (2)
[0082]另外，从使透明导电性膜的图案形状难以被看出的观点出发，本发明的透明塑料薄膜在150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2 (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L (ym)时，更优选满足下述关系式(2')，进一步优选满足下述关系式(2'')。
[0083]T2/L<0.0025 (2')
[0084]T2/L<0.0020 (2'')
[0085](3)热收缩率
[0086]另外，优选透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率(Tl)为O?0.5%。
[0087]该原因是因为通过使热收缩率(Tl)为上述范围内的值，即便实施退火处理时，也能够更有效地抑制透明导电性膜和其下层的光学调整层的边界部分的形变的产生，使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0088]因此，透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率(Tl)更优选为O?
0.4%，进一步优选为O?0.2%ο[0089]另外，优选透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2)为O?
0.4%。
[0090]该原因是因为通过使热收缩率(Τ2)为上述范围内的值，即便实施退火处理时，也能够更有效地抑制透明导电性膜和其下层的光学调整层的边界部分的形变的产生，使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0091]因此，透明塑料薄膜的与主取向轴平行的方向的热收缩率(Τ2)更优选为O?
0.3%，进一步优选为O?0.2%ο
[0092](4)厚度
[0093]另外，虽然需要考虑以上述的取向轴为基准的各方向的热收缩率的影响，但透明塑料薄膜基材的厚度(L)优选为25?200 μ m。
[0094]该原因是因为通过使透明塑料薄膜基材的厚度(L)为上述范围内的值，即便实施退火处理时，也能够更有效地抑制透明导电性膜和其下层的光学调整层的边界部分的形变的产生。
[0095]S卩，这是因为如果透明塑料薄膜基材的厚度(L)为小于25 μπι的值，则透明塑料薄膜基材的强度降低，因此，有时无法有效地抑制光学调整层中的透明导电性膜的存在部分和非存在部分的退火处理时的形变的产生。另一方面，是因为如果透明塑料薄膜基材的厚度(L)为大于200 μ m的值，则有时透明导电性薄膜的透明性等光学特性恶化。
[0096]因此，透明塑料薄膜基材的厚度(L)更优选为30?180 μ m，进一步优选为50?150 μ m0
[0097]应予说明，从进一步提高取向轴的直线性的观点出发，本发明中使用的透明塑料薄膜基材的表面的I边的长度优选为30cm以下，更优选为20cm以下，进一步优选为15cm以下。
[0098](5)折射率
[0099]另外，从即便在退火处理前也有效地抑制透明导电性膜的图案形状容易被看出的观点出发，透明塑料薄膜基材的折射率优选为1.45?1.70。
[0100]因此，透明塑料薄膜基材的折射率更优选为1.50?1.70，进一步优选为1.55?
1.65。
[0101]应予说明，出于提高透明塑料薄膜基材与设置于其表面的层的密合性的目的，根据需要优选在其单面或者两面利用氧化法、凹凸化法等实施表面处理或者实施等离子体处理。
[0102]另外，作为上述氧化法，例如，可以举出电晕放电处理、铬酸处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧.紫外线照射处理等，作为凹凸化法，例如，可以举出喷砂法、溶剂处理法
坐寸ο
[0103]2.光学调整层
[0104]本发明的透明导电性薄膜的特征在于，在透明导电性膜和透明塑料薄膜基材之间设置光学调整层。
[0105]该原因是因为通过设置上述光学调整层，能够使由透明导电性膜的折射率和透明塑料薄膜基材的折射率之差引起的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0106]另外，光学调整层优选从透明塑料薄膜基材侧依次层叠折射率相对高的高折射率层、折射率相对低的低折射率层而成。
[0107]并且，如图1所示，光学调整层特别优选从透明塑料薄膜基材侧依次层叠折射率为低折射率层2a和高折射率层2b的折射率之间的值的中折射率层2c、折射率相对高的高折射率层2b、折射率相对低的低折射率层2a而成。
[0108]该原因是因为通过使光学调整层2成为这样的层叠结构，能够使由透明导电性膜I的折射率和透明塑料薄膜基材3的折射率之差引起的透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0109]以下，对构成光学调整层的中折射率层、高折射率层和低折射率层分别进行说明。
[0110](I)中折射率层
[0111](I)-1 折射率
[0112]中折射率层的折射率比低折射率层的折射率高且比高折射率层的折射率低，进而优选折射率为1.4以上且小于1.7。
[0113]该原因是因为如果中折射率层的折射率为小于1.4的值，则有时透明导电性膜的图案形状容易被看出。另一方面，即便中折射率层的折射率为1.7以上的值，有时透明导电性膜的图案形状也容易被看出。
[0114]因此，中折射率层的折射率更优选为1.43以上且小于1.65，进一步优选为1.45以上且小于1.6。
[0115](I)-2 厚度
[0116]另外，中折射率层的厚度优选为50?5000nm。
[0117]该原因是因为如果中折射率层的厚度为小于50nm的值，则有时中折射率层的膜变脆，无法维持层的形状。另一方面，如果中折射率层的厚度为超过5000nm的值，则有时透明导电性膜的图案形状容易被看出。
[0118]因此，中折射率层的厚度更优选为100?4000nm，进一步优选为120?200nm。
[0119](I)-3材料物质
[0120]另外，优选中折射率层由含有二氧化硅微粒和活性能量线固化性树脂的组合物的固化物构成。
[0121]该原因是因为通过含有二氧化硅微粒能够赋予抗粘连性，因此不但能够期待卷绕性的提高，而且能够提高中折射率层与作为其上层的高折射率层的密合性，牢固地层叠。
[0122](i)活性能量线固化树脂
[0123]另外，中折射率层的形成中使用的活性能量线固化性树脂是指通过照射在电磁波或者带电粒子束中具有能量子的活性能量线，即，紫外线或者电子束等而交联、固化的聚合性化合物，例如，可以举出光聚合性预聚物、光聚合性单体。
[0124]另外，上述光聚合性预聚物中有自由基聚合型和阳离子聚合型，作为自由基聚合型的光聚合性预聚物，可举出聚酯丙烯酸酯系、环氧丙烯酸酯系、氨基甲酸酯丙烯酸酯系、多元醇丙烯酸酯系等。
[0125]另外，作为聚酯丙烯酸酯系预聚物，例如，可举出通过用(甲基)丙烯酸对由多元羧酸和多元醇缩合得到的在两末端具有羟基的聚酯低聚物的羟基进行酯化、或者用(甲基)丙烯酸对多元羧酸加成烯化氧得到的低聚物的末端的羟基进行酯化而得到的化合物。
[0126]另外，作为环氧丙烯酸酯系预聚物，例如，可举出通过用(甲基)丙烯酸对较低分子量的双酚型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂的环氧环进行酯化而得到的化合物。
[0127]另外，作为氨基甲酸酯丙烯酸酯系预聚物，例如，可举出通过用(甲基)丙烯酸对由聚醚多元醇、聚酯多元醇和聚异氰酸酯的反应得到的聚氨基甲酸酯低聚物进行酯化而得到的化合物。
[0128]并且，作为多元醇丙烯酸酯系预聚物，可举出通过将聚醚多元醇的羟基用(甲基)丙烯酸进行酯化而得到的化合物。
[0129]应予说明，这些聚合性预聚物可以单独使用I种，也可以组合2种以上使用。
[0130]另一方面，作为阳离子聚合型的光聚合性预聚物，通常使用环氧系树脂。
[0131]作为上述环氧树脂，例如，可举出用环氧氯丙烷等对双酚树脂、酚醛清漆树脂等多元醇类进行环氧化得到的化合物，用过氧化物等对直链状烯烃化合物、环状烯烃化合物进行氧化得到的化合物等。
[0132]另外，作为光聚合性单体，例如，可举出1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯、羟基新戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊基二(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二环戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、烯丙基化环己基二(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、丙酸改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯。
[0133]应予说明，这些光聚合性单体可以单独使用I种，也可以组合2种以上使用。
[0134](ii)光聚合引发剂
[0135]另外，从使活性能量线固化性树脂高效地固化的观点出发，优选根据需要并用光聚合引发剂。
[0136]作为上述光聚合引发剂，对于自由基聚合型的光聚合性预聚物、光聚合性单体，例如，可举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻异丁醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙烷-1-酮、4- (2-羟基乙氧基)苯基-2 (羟基-2-丙基)酮、二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、4，4’ - 二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2，4- 二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、苯偶酰二甲基缩酮、苯乙酮二甲基缩酮、对二甲基胺苯甲酸酯
坐寸ο
[0137]另外，作为对于阳离子聚合型的光聚合性预聚物的光聚合引发剂，例如，可举出芳香族锍离子、芳香族羰基锍离子、芳香族碘翁脅离子等鑛' 和四氟硼酸盐、六氟磷酸盐、六氟锑酸盐、六氟砷酸盐等阴离子构成的化合物等。
[0138]应予说明，它们可以单独使用I种，也可以组合2种以上使用。
[0139]另外，作为光聚合引发剂的配合量，相对上述活性能量线固化性树脂100重量份，优选为0.2?10重量份的范围内的值,更优选为I?5重量份的范围内的值。
[0140](iii) 二氧化硅微粒[0141]另外，作为二氧化硅微粒，可以使用含有聚合性不饱和基团的有机化合物所键合的二氧化硅微粒，或者，不具有这样的含有聚合性不饱和基团的有机化合物的通常的胶体
二氧化硅微粒。
[0142]另外，作为含有聚合性不饱和基团的有机化合物所键合的二氧化硅微粒，可举出通过使平均粒径为0.005~I μ m左右的二氧化硅微粒的表面的硅烷醇基与具有可与该硅烷醇基反应的官能团的含有聚合性不饱和基团的有机化合物反应而得到的二氧化硅微粒。
[0143]应予说明，作为上述聚合性不饱和基团，例如，可举出自由基聚合性的丙烯酰基、甲基丙烯酰基等。
[0144]另外，作为不具有含有聚合性不饱和基团的有机化合物的通常的胶体二氧化硅微粒，优选使用平均粒径为0.005~I μ m左右、优选为0.01~0.2 μ m左右的二氧化硅微粒在醇系、溶纤剂系的有机溶剂中以胶体状态悬浊而成的胶体二氧化硅。
[0145]应予说明，二氧化硅微粒的平均粒径，例如，可以通过Zeta电位测定法求得。
[0146]另外，作为二氧化硅微粒的配合量，相对于活性能量线固化性树脂100重量份，优选为5~400重量份，更优选为20~150重量份，进一步优选为30~100重量份。
[0147](I) -4中折射率层形成用的组合物
[0148] 另外，中折射率层优选通过预先制备中折射率层形成用的组合物，如后所述进行涂布?干燥、固化来形成。
[0149]该组合物可以通过如下方式制备:根据需要，在适当的溶剂中按各自规定的比例添加活性能量线固化性树脂、光聚合引发剂、二氧化硅微粒、以及根据希望使用的各种添加成分，使其溶解或者分散。
[0150]应予说明，作为各种添加成分，例如，可举出抗氧化剂、紫外线吸收剂、(近)红外线吸收剂、硅烷系偶联剂、光稳定剂、流平剂、抗静电剂、消泡剂等。
[0151]另外，作为使用的溶剂，例如，可举出己烷、庚烷等脂肪族烃，甲苯、二甲苯等芳香族烃，二氯甲烷、二氯乙烷等卤代烃，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇，丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、异佛尔酮、环己酮等酮，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯，乙基溶纤剂等溶纤剂系溶剂等。
[0152]作为这样制备的中折射率层形成用的组合物的浓度、粘度，只要是能够涂覆，就没有特别限定，可以根据情况适当地选择。
[0153]因此，通常，从容易将得到的中折射率层的膜厚调整在规定的范围的观点出发，优选以固体成分浓度0.05~10重量％的方式进行稀释，更优选以成为0.1~8重量％的方式进行稀释。
[0154](2)高折射率层
[0155](2)-1 折射率
[0156]高折射率层的折射率优选为1.6以上且小于2。
[0157]该原因是因为如果高折射率层的折射率为小于1.6的值，则有时得不到与低折射率层的显著的折射率差，透明导电性膜的图案形状容易被看出。另一方面，如果高折射率层的折射率为2以上的值，则有时高折射率层的膜变脆。
[0158]因此，高折射率层的折射率更优选为1.6以上且小于1.9，进一步优选为1.6以上且小于1.8。
[0159](2)-2 厚度[0160]另外，高折射率层的厚度优选为20~130nm。
[0161]该原因是因为如果高折射率层的厚度为小于20nm的值，则有时高折射率层的膜变脆，无法维持层的形状。另一方面，如果高折射率层的厚度为超过130nm的值，则有时透明导电性膜的图案形状容易被看出。
[0162]因此，高折射率层的厚度更优选为23~120nm，进一步优选为30~llOnm。
[0163](2)-3材料物质
[0164]另外，优选高折射率层由含有金属氧化物微粒和活性能量线固化性树脂组合物的固化物构成。
[0165]该原因是因为通过含有金属氧化物微粒，从而高折射率层的折射率的调整变得容易。
[0166]另外，金属氧化物的种类,优选地举出氧化钽、氧化锌、氧化铟、氧化铪、氧化铺、氧化锡、氧化铌、铟锡氧化物(IT0)、锑锡氧化物(ATO)等。
[0167]另外，从在不降低透明性的情况下实现高折射率化的观点出发，特别优选选自氧化钛和氧化错中的至少I种。
[0168]应予说明，这些金属氧化物可以单独使用I种，也可以并用2种以上。
[0169]另外，优选使金属氧化物微粒的平均粒径为0.005μπι~Ιμπι的范围内的值。
[0170]应予说明，金属氧化物微粒的平均粒径例如可以通过使用Zeta电位测定法的测定法求得。
[0171]另外，作为高折射率层中使用的活性能量线固化性树脂和光聚合引发剂，可以适当地使用中折射率层的说明中列举的物质。
[0172]另外，作为金属氧化物微粒的配合量，相对于活性能量线固化性树脂100重量份，优选为20~2000重量份，更优选为80~1000重量份，进一步优选为150~400重量份。
[0173](2)-4高折射率层形成用的组合物
[0174]另外，高折射率层优选通过预先制备高折射率层形成用的组合物，如后所述进行涂布?干燥、固化来形成。
[0175]该组合物可以如下制备:根据需要在适当的溶剂中按各自规定的比例添加活性能量线固化性树脂、光聚合引发剂、金属氧化物微粒、以及根据希望使用的各种添加成分，使其溶解或者分散。
[0176]应予说明，对于各种添加成分、溶剂、高折射率层形成用的组合物的浓度、粘度等，与中折射率层的说明中的内容相同。
[0177](3)低折射率层
[0178](3)-1 折射率
[0179]低折射率层的折射率优选为1.3以上且小于1.6。
[0180]该原因是因为如果低折射率层的折射率为小于1.3的值，则有时低折射率层的膜变脆。另一方面，如果低折射率层的折射率为1.6以上的值，则有时得不到与高折射率层的显著的折射率差，透明导电性膜的图案形状容易被看出。
[0181]因此，低折射率层的折射率更优选为1.3以上且小于1.5，进一步优选为1.3以上且小于1.45。
[0182](3)-2 厚度[0183]另外，低折射率层的厚度优选为10~150nm。
[0184]该原因是因为如果低折射率层的厚度为小于IOnm的值，则有时低折射率层的膜变脆，无法维持层的形状。另一方面，如果低折射率层的厚度为超过150nm的值，则有时透明导电性膜的图案形状容易被看出。
[0185]因此，低折射率层的厚度更优选为15~135nm，进一步优选为20~120nm。
[0186](3)-3材料物质
[0187]另外，低折射率层优选由含有二氧化硅微粒和活性能量线固化性树脂的组合物的固化物构成。
[0188]该原因是因为通过含有二氧化硅微粒，不但能够使低折射率层的折射率的调整变得容易，而且能够提高低折射率层与作为其上层的透明导电性膜、作为其下层的高折射率层的密合性，牢固地层叠。
[0189]另外，作为二氧化硅微粒，优选为中空二氧化硅微粒或者多孔二氧化硅微粒。
[0190]该原因是因为如果是中空二氧化硅微粒或者多孔二氧化硅微粒，则能够更有效地使低折射率层的折射率降低到规定的范围内。
[0191]并且，为了发挥作为低折射率层的效果，优选二氧化硅微粒的平均粒径为Iym以下，优选为10~IOOnm的范围内的值。 [0192]应予说明，二氧化硅微粒的平均粒径例如可以通过Zeta电位测定法求得。
[0193]另外，作为二氧化硅微粒的配合量，相对于上述活性能量线固化性树脂100重量份，优选为50~500重量份，更优选为80~300重量份，进一步优选为100~250重量份。
[0194](3)-4低折射率层形成用的组合物
[0195]另外，低折射率层优选通过预先制备低折射率层形成用的组合物，如后所述进行涂布?干燥、固化来形成。
[0196]该组合物可以通过以下方式制备:根据需要在适当的溶剂中按各自规定的比例添加上述的活性能量线固化性树脂、光聚合引发剂、二氧化硅微粒、以及根据希望使用的各种添加成分，使其溶解或者分散。
[0197]应予说明，对于各种添加成分、溶剂、低折射率层形成用的组合物的浓度、粘度等，与中折射率层的说明中的内容相同。
[0198]3.透明导电性膜
[0199](I)材料物质
[0200]本发明的透明导电性薄膜中，作为层叠于光学调整层上的透明导电性膜的材料物质，只要是兼具透明性和导电性就没有特别限定，例如，可举出氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物(ΙΤ0)、锡锑氧化物、锌铝氧化物、铟锌氧化物等。
[0201]另外，作为材料物质，特别优选使用ΙΤ0。
[0202]该原因是因为如果是ΙΤ0，则通过采用适当的制膜条件能够形成透明性和导电性优异的透明导电性膜。
[0203](2)厚度
[0204]另外，透明导电性膜的厚度优选为5~500nm。
[0205]该原因是因为如果透明导电性膜的厚度为小于5nm的值，则有时不但透明导电性膜变脆，而且得不到充分的导电性。另一方面，如果透明导电性膜的厚度为超过500nm的值，则有时透明导电性膜引起的颜色变深，图案形状容易被识别。
[0206]因此，透明导电性膜的厚度更优选为15~250nm，进一步优选为20~lOOnm。
[0207](3)图案形状
[0208]另外，透明导电性膜优选在光学调整层上形成为线状或格子状的图案形状。
[0209]另外，优选上述图案形状的存在透明导电性膜的部分的线宽和不存在透明导电性膜的部分的线宽大致相等。
[0210]并且，该线宽通常为0.1~IOmm,优选为0.2~5mm,特别优选为0.5~2mm。
[0211]应予说明，不限于上述线状或格子状的线宽是一定的情况，例如，可以自由选择与静电电容式的触摸面板所要求的形状相连的线宽。
[0212]具体而言，可举出菱形部分和线部反复相连而成的的图案形状等，这样的图案形状也包含在“线状”的范畴中。
[0213]应予说明，这样形成透明导电性膜时，通过实施退火处理，通常透明导电性膜的图案形状变得明显，如果是本发明的透明导电性薄膜，则能够使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0214]4.透明导电性薄膜的制造方法 [0215]本发明的透明导电性薄膜可以通过包含下述工序(a)~(C)的制造方法得到。
[0216](a)准备透明塑料薄膜基材的工序，所述透明塑料薄膜基材在150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2 (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L ( μL?)时，满足下述关系式(I)和(2)
[0217](b)在透明塑料薄膜基材的单面形成光学调整层的工序
[0218](C)在得到的光学调整层上形成透明导电性膜的工序
[0219]T1/L<0.0045 (I)
[0220]T2/L<0.0035 (2)
[0221]以下，省略与到此为止的内容重复的部分，只详述不同部分。
[0222]应予说明，对于光学调整层，作为优选的形态，以从透明塑料基材侧依次层叠中折射率层、高折射率层、低折射率层而成的构成的形式进行说明。
[0223](I)工序(a):准备透明塑料薄膜基材的工序
[0224]准备透明塑料薄膜基材，所述透明塑料薄膜基材在150°C下加热I小时时的透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2 (%)、透明塑料薄膜基材的厚度为L ( μ m)时，满足下述关系式(I)和(2)。
[0225]T1/L<0.0045 (I)
[0226]T2/L<0.0035 (2)
[0227]应予说明，透明塑料薄膜基材的详细内容已经说明，所以省略。
[0228](2)工序(b):形成光学调整层的工序
[0229]在满足关系式(I)和(2)的透明塑料薄膜基材的单面，根据希望用以往公知的方法涂布上述中折射率层形成用的组合物并形成涂膜后，干燥，对其照射活性能量线使涂膜固化，由此形成中折射率层。[0230]另外，作为中折射率层形成用的组合物的涂布方法，例如，可举出棒涂法、刮板涂法、棍涂法、刮刀涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
[0231]另外，作为干燥条件，优选60?150°C下进行10秒?10分钟左右。
[0232]并且，作为活性能量线，例如，可举出紫外线、电子束等。
[0233]另外，作为紫外线的光源，可举出高压汞灯、无极灯，金属卤化物灯、氙灯等，其照射量通常优选为100?500mJ/cm2。
[0234]另一方面，作为电子束的光源，可举出电子束加速器等，其照射量通常优选为150 ?350kVo
[0235]接着，在形成的中折射率层上形成(不形成中折射率层的情况下，直接在透明塑料薄膜基材上形成)高折射率层。
[0236]S卩，高折射率层与在透明塑料薄膜基材上形成中折射率层的情况相同，可以通过涂布.干燥上述高折射率层形成用的组合物，并且照射活性能量线使其固化来形成。
[0237]接着，在形成的高折射率层上进一步形成低折射率层。
[0238]S卩，低折射率层与在透明塑料薄膜基材上形成中折射率层的情况相同，可以通过涂布.干燥上述低折射率层形成用的组合物，并且照射活性能量线使其固化来形成。
[0239](3)工序(C):形成透明导电性膜的工序
[0240]对工序(b)中得到的光学调整层，可以通过利用真空蒸镀法、溅射法、CVD法、离子镀法、喷雾法、溶胶-凝胶法等公知的方法形成透明导电性膜，从而得到透明导电性薄膜。
[0241]另外，作为溅射法，可举出使用化合物的通常的溅射法，或者使用金属靶的反应性溅射法等。
[0242]此时，作为反应性气体，优选导入氧、氮、水蒸气等或并用臭氧添加、离子辅助等。
[0243]另外，对于透明导电性膜，可以通过像上述那样制膜后，利用光刻法形成规定的图案的抗蚀掩模后，利用公知的方法实施蚀刻处理，形成线状的图案等。
[0244]应予说明，作为蚀刻液，优选地举出盐酸、硫酸、硝酸、磷酸等酸的水溶液等。
[0245](4)退火工序
[0246]另外，为了提高透明导电性膜的结晶性，降低电阻率，优选设置退火工序进行规定的退火处理。
[0247]S卩，优选将得到的透明导电性薄膜在130?180°C的温度条件下暴露0.5?2小时。
[0248]应予说明，一般而言，通过进行上述退火处理，出现在透明导电性膜和其下层的底涂层的边界部分产生形变，因此透明导电性膜的图案形状容易看出的问题。
[0249]对于这点，如果是本发明的透明导电性薄膜，则能够抑制这样的形变的产生，进而使透明导电性膜的图案形状难以被看出。
[0250]实施例
[0251]以下，参照实施例进一步详细说明本发明的透明导电性薄膜。
[0252][实施例1]
[0253]1.中折射率层形成用的组合物的制备
[0254]在容器内，将100重量份的作为活性能量线固化性树脂的含有反应性二氧化硅微粒的硬涂剂(JSR株式会社制，OPSTAR Z7530,固体成分浓度73重量％，液体成分:甲基乙基酮)、3.7重量份的光引发剂(BASF株式会社制，IRGA⑶RE907，固体成分浓度:100重量％)、
0.1重量份的流平剂(BYK Chemie株式会社制，BYK-355,固体成分浓度:52重量％，液体成分:乙酸丙二醇单甲基醚酯)，1350重量份的作为稀释溶剂的丙二醇单甲醚收容后，均匀混合，制备固体成分浓度:约5.3重量％的中折射率层形成用的组合物。
[0255]应予说明，含有反应性二氧化硅微粒的硬涂剂(JSR株式会社制，OPSTAR Z7530，液体成分:甲基乙基酮)的组成如下。
[0256].含有反应性二氧化硅微粒和多官能丙烯酸酯的总活性能量线固化化合物
70重量％
[0257]?光引发剂 3重量％
[0258]?甲基乙基酮27重量％
[0259]2.高折射率层形成用的组合物的制备
[0260]在容器内，将100重量份的作为活性能量线固化性树脂的高折射率涂布剂(Atomix 株式会社制,Atomcompobrid ( 7 卜 A 3 ^ 7'' ') ” K )HUV SRZ100,含有作为高折射率剂的纳米尺寸的氧化锆微粒，固体成分浓度:30重量％，液体成分:2_ 丁酮)、0.9重量份的光引发剂(BASF株式会社制，IRGA⑶RE907，固体成分浓度100重量％)、0.03重量份的流平剂(BYK Chemie株式会社制，BYK-355,固体成分浓度:52重量％，液体成分:乙酸丙二醇单甲基醚酯)、1492.5重量份 的作为稀释溶剂的甲基异丁基酮、1492.5重量份的环己酮收容后，均匀混合，制备固体成分浓度:1重量％的高折射率层形成用的组合物。
[0261]3.低折射率层形成用的组合物的制备
[0262]在容器内，将100重量份的作为活性能量线固化性树脂的硬涂剂(荒川化学工业株式会社制，BEAMSET575CB,固体成分浓度:100重量％)、488重量份的中空二氧化硅溶胶(日挥触媒化成株式会社制，Sururia ( ^ — 1J T ) 4320,平均粒径50nm,固体成分浓度:20重量％)、0.9重量份的光引发剂(BASF株式会社制，IRGA⑶RE907，固体成分浓度:100重量％)、0.1重量份的流平剂(BYK Chemie株式会社制，BYK-355,固体成分浓度:52重量％)、9700重量份的作为稀释溶剂的甲基异丁基酮，9700重量份的环己酮收容后，均匀混合，制备固体成分浓度:1重量％的低折射率层形成用的组合物。
[0263]应予说明，硬涂剂(荒川化学工业株式会社制，BEAMSET575CB,固体成分浓度:100
重量％)的组成如下。
[0264].含有氨基甲酸酯丙烯酸酯的活性能量线固化性化合物95重量％
[0265]?光引发剂5重量％
[0266]4.中折射率层的形成
[0267]作为透明塑料薄膜基材，准备厚度(L):125 μ m、与主取向轴正交的方向的热收缩率(Tl):0.43%、与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2):0.05%、T1/L:0.0034%/μ m、T2/L:
0.0004%/μπι 的 PET 薄膜。
[0268]接着，在准备好的PET薄膜的表面用线棒#4涂敷中折射率层形成用的组合物。
[0269]应予说明，主取向轴的方向使用相位差测定装置(王子计测机器株式会社制，KOBRA-WR)测定。
[0270]另外，Tl和T2通过比较150°C下加热基材I小时前后的各方向的长度来计算。
[0271]接着，用70°C的烘箱干燥I分钟后，在氮气氛下使用高压汞灯照射200mJ/cm2的紫外线，在PET薄膜的表面形成了厚度150nm、折射率1.49的中折射率层。
[0272]5.高折射率层的形成
[0273]接着，在形成的中折射率层上用线棒#4涂敷高折射率层形成用的组合物。
[0274]接着，用70°C的烘箱干燥I分钟后，在氮气氛下使用高压汞灯照射200mJ/cm2的紫外线，在中折射率层上形成了厚度23nm、折射率1.87的高折射率层。
[0275]6.低折射率层的形成
[0276]接着，在形成的高折射率层上用线棒#4涂敷低折射率层形成用的组合物。
[0277]接着，用70°C的烘箱干燥I分钟后，在氮气氛下使用高压汞灯照射200mJ/cm2的紫外线，在高折射率层上形成了厚度74nm、折射率1.39的低折射率层，在PET薄膜上形成了 3层结构的光学调整层。
[0278]7.透明导电性膜的形成
[0279]接着，将形成了光学调整层的PET薄膜切成纵90mmX横90mm后，使用ITO靶(氧化锡10重量％，氧化铟90重量％)进行溅射，在光学调整层上的中央部形成纵60mmX横60mm的正方形、厚度30nm的透明导电性膜。
[0280]接着，在得到的透明导电性膜的表面上形成图案化为格子状的光致抗蚀剂膜。
[0281]接着，室温下，通过在10重量％的盐酸中浸溃I分钟进行蚀刻处理后，除去光致抗蚀剂膜，得到具有图案化的透明导电性膜的透明导电性薄膜。
[0282]该透明导电性薄膜在光学调整层上的整面上具有透明导电性膜，该透明导电性膜具有I边2mm的正方形的空隙由线宽2mm的透明导电性的线部被划分成格子状的图案形状、厚度30nm。
[0283]8.评价
[0284]对得到的具有图案化的透明导电性膜的透明导电性薄膜进行加热时，在图案化的透明导电性膜和光学调整层的边界部分是否看出形变进行评价。
[0285]即，将得到的透明导电性薄膜用各自设定为150°C的烘箱加热I小时后，在反射光下，目视观察在透明导电性膜和光学调整层的边界部分是否产生形变。
[0286]更具体而言，将透明导电性薄膜设置于距白色荧光灯Im的位置，在白色荧光灯映入透明导电性薄膜的状态下，在与设置白色荧光灯的一侧同一侧的距透明导电性薄膜30cm的位置，目视观察是否产生形变。
[0287]而且，根据下述判定基准对得到的观察结果进行评价。将得到的结果示于表I。
[0288]应予说明，作为实际的透明导电性薄膜的使用形态，一般是通过使2张具有图案化为线状的透明导电性膜的透明导电性薄膜旋转90°进行配置而形成格子状的图案，本评价中，为了简化，使I张透明导电性薄膜中的透明导电性膜形成格子状图案进行评价。
[0289]O:在反射光下，看不出透明导电性膜的图案。
[0290]X:在反射光下，看出透明导电性膜的图案。
[0291][实施例2]
[0292]实施例2中，作为透明塑料薄膜基材，使用厚度(L):125μπι、与主取向轴正交的方向的热收缩率(Τ1):0.21%、与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2):0.24%、T1/L:0.0016%/μ m、T2/L:0.0019%/ μ m的PET薄膜，除此之外，与实施例1相同地制造透明导电性薄膜，并进行评价。将得到的结果示于表I。[0293][实施例3]
[0294]实施例3中，作为透明塑料薄膜基材，使用厚度(L):50μπι、与主取向轴正交的方向的热收缩率(Τ1):0.19%、与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2):0.15%，T1/L:0.0038%/μ m, T2/L:0.003%/ μ m的PET薄膜，除此之外，与实施例1相同地制造透明导电性薄膜，并进行评价。将得到的结果示于表1。
[0295][比较例I]
[0296]比较例I中，作为透明塑料薄膜基材，使用厚度(L):125μπι、与主取向轴正交的方向的热收缩率(Τ1):0.76%，与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2):0.84%、T1/L:0.0061%/μ m、T2/L:0.0067%/ μ m的PET薄膜，除此之外，与实施例1相同地制造透明导电性薄膜，并进行评价。将得到的结果示于表1。
[0297][比较例2]
[0298]比较例2中，作为透明塑料薄膜基材，使用厚度(L):125μπι、与主取向轴正交的方向的热收缩率(Tl):0.6%、与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2):0.44%、T1/L:0.0048%/μ m、T2/L:0.0035%/ μ m的PET薄膜，除此之外，与实施例1相同地制造透明导电性薄膜，并进行评价。将得到的结果示于表1。
[0299][比较例3]
[0300]比较例3中，作为透明塑料薄膜基材，使用厚度(L):50μπι、与主取向轴正交的方向的热收缩率(Tl):0.8%、与主取向轴平行的方向的热收缩率(T2):0.57%、Tl/L:0.016%/μ m、T2/L:0.0114%/ μ m的PET薄膜，除此之外，与实施例1相同地制造透明导电性薄膜，并进行评价。将得到的结果示于表1。
[0301]表1
[0302]
[0303]
【权利要求】
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，是在透明塑料薄膜基材的至少一面依次层叠光学调整层和透明导电性膜而成的透明导电性薄膜， 所述透明塑料薄膜在150°C下加热1小时时的所述透明塑料薄膜基材的与主取向轴正交的方向的热收缩率为Tl (%)、所述透明塑料薄膜基材的与主取向轴平行的方向的热收缩率为T2 (%)、所述透明塑料薄膜基材的厚度为L时，满足下述关系式(1)和(2)， T1/L<0.0045 (1) T2/L<0.0035 (2) 其中，L的单位为μ m。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明塑料薄膜基材的与所述主取向轴正交的方向的热收缩率Tl为O~0.5%。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明塑料薄膜基材的与所述主取向轴平行的方向的热收缩率T2为O~0.4%。
4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明塑料薄膜基材的厚度L为25~200 μ m。
5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述光学调整层是从透明塑料薄膜基材侧依次层叠中折射率层、高折射率层和低折射率层而成，所述中折射率层是折射率为1.4以上且小于1.7、并且比所述低折射率层的折射率高且比所述高折射率层的折射率低的层，所述高折射率层的折射率为1.6以上且小于2，所述低折射率层的折射率为.1.3以上且小于1.6。
6.根据权利要求5所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述中折射率层的厚度为.50~5000nm，所述高折射率层的厚度为20~130nm，并且，所述低折射率层的厚度为10~.150nmo
7.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电性膜由铟锡氧化物构成，并且形成为图案状。
8.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电性膜的厚度为.5 ~500nmo
【文档编号】G06F3/041GK103902096SQ201310520513
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年10月29日 优先权日:2012年12月27日
【发明者】荒添铁也, 大类知生, 所司悟 申请人:琳得科株式会社