指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种指纹识别单元及制作方法、阵列基板、OLED显示面板及指纹识别方法。

背景技术：

随着显示技术的发展，显示装置的显示效果越来越好，给人们带来了良好的视觉体验，但由于生活水平的提高，人们对显示装置的要求不仅局限于显示效果，还要求显示其具有多样化的功能。

例如：现有显示装置将图像显示和指纹识别技术结合起来，形成具有指纹识别功能的显示装置，这种显示装置的指纹识别单元一般制作在显示装置的显示面板外侧，虽然这种显示装置具有指纹识别的功能，但是由于指纹识别单元设在显示装置中显示面板的外侧，这极大的增加了显示装置的厚度，不利于显示装置的轻薄化发展。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法，以在实现指纹识别前提下，不增加显示装置厚度。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种指纹识别单元，其特征在于，包括光敏器件、数据读取信号线和控制光敏器件开关的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与控制信号线电连接，所述光敏器件的第一电极与参考电压数据线电连接，所述光敏器件上形成有用于将光敏器件与OLED发光层绝缘的第一绝缘层；其中，

所述控制信号线用于控制薄膜晶体管的开关，所述数据读取信号线用于读取所述光敏器件产生的光电流。

与现有技术相比，本发明提供的指纹识别单元具有以下有益效果：

本发明提供的指纹识别单元中，薄膜晶体管能够控制光敏器件开关，薄膜晶体管的栅极与控制信号线电连接，这样控制信号线就可以向薄膜晶体管提供控制信号，以使薄膜晶体管控制光敏器件能够接收光线，并产生光电流；而由于光敏器件上形成有第一绝缘层，使得光敏器件通过第一绝缘层与OLED发光层对应部分绝缘；而且，OLED发光层与光敏器件对应部分的阴极即使接电，但由于OLED发光层与光敏器件对应部分的阳极位置被第一绝缘层替换，导致OLED发光层与光敏器件对应部分不会发光；因此，本发明提供的指纹识别单元通过在光敏器件上形成第一绝缘层，使得OLED发光层与光敏器件对应部分不发光，保证了指纹识别单元可以设在显示装置内部，也不会直接接收OLED发光层发出的光，只会接收从显示装置外侧反射会显示装置内的光；因此，当指纹识别单元应用于显示装置内部后，如果有手指靠近或接触显示装置的发光面，而使显示装置发出的光被反射回显示装置内，就可以通过光敏器件接收指纹区域对显示装置所发出的光的反射光，产生光电流，并被数据读取信号线读取，而由于手指的指纹区域中，指纹谷和指纹脊对光的反射量不同，使得指纹谷和指纹脊对应的反射光在光敏器件中产生的光电流大小不同，因此，本发明提供的指纹识别单元可以通过判断各个指纹识别单元中光敏器件产生的光电流大小，实现指纹识别的目的。

通过上述分析可知，本发明提供的指纹识别单元只要将指纹识别单元置于显示装置内，就可以实现指纹识别的目的，并不需要将指纹识别单元设置在显示面板外侧，因此，本发明提供的指纹识别单元应用于显示装置中，并不会增加显示装置的厚度，使得具有指纹识别功能的显示装置能够向轻薄化发展。

本发明提供了一种指纹识别单元的制作方法，其特征在于，包括：

形成薄膜晶体管、光敏器件、控制信号线和数据读取信号线，使所述薄膜晶体管控制光敏器件的开关，所述数据读取信号线读取所述光敏器件产生的光电流，薄膜晶体管的栅极与控制信号线电连接，光敏器件的第一电极与参考电压数据线电连接；

在光敏器件上形成第一绝缘层，得到指纹识别单元；所述第一绝缘层用于将光敏器件与OLED发光层隔离。

与现有技术相比，本发明提供的指纹识别单元的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

本发明提供了一种阵列基板，包括多个上述技术方案中任一项所述的指纹识别单元。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板的有益效果与上述技术方案提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述技术方案提供的所述的阵列基板。

与现有技术相比，本发明提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

本发明实施例提供了一种指纹识别方法，使用上述技术方案提供的所述的显示装置，包括：

各个指纹识别单元的控制信号线向薄膜晶体管的栅极提供控制信号，使薄膜晶体管打开光敏器件；

各个指纹识别单元的光敏器件接收指纹区域对显示装置所发出的光的反射光，使所述反射光在光敏器件中进行光电转换，产生光电流；

各个指纹识别单元的数据读取信号线读取所述光电流的大小，根据不同各个指纹识别单元中数据读取信号线读取的光电流大小，识别指纹区域的指纹谷和指纹脊。

与现有技术相比，本发明提供的指纹识别方法的有益效果与上述技术方案提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例一提供的指纹识别单元的结构原理示意图；

图2为本发明实施例四提供的显示装置的局部示意图；

图3为本发明实施例一提供的指纹识别单元的具体结构图；

图4为本发明实施例五提供的指纹识别流程图；

图5为本发明实施例二提供的指纹识别单元的制作流程图；

图6为本发明实施例二中薄膜晶体管的制作流程图；

图7为本发明实施例二提供的指纹识别单元的进一步制作流程图；

附图标记：

1-第一像素单元， 101-第一像素补偿单元；

102-第一OLED发光层， 103-第一指纹识别单元；

2-第二像素单元， 201-第二像素补偿单元；

202-第二OLED发光层， 203-第二指纹识别单元；

3-第三像素单元， 301-第三像素补偿单元；

302-第三OLED发光层， 303-第三指纹识别单元；

4-衬底基板， 40-缓冲层；

400-第二绝缘层， 401-第一保护层；

402-第二保护层， 403-第一绝缘层；

41-有源层， 42-栅极绝缘层；

43-栅极， 44-源极；

45-漏极， 5-阴极；

6-封装结构， 701-指纹谷；

702-指纹脊， 8-阳极。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法，下面结合说明书附图进行详细描述。

实施例一

请参阅图1和图3，本发明实施例提供的指纹识别单元包括：光敏器件D、数据读取信号线L_read和控制光敏器件D开关的薄膜晶体管T，该薄膜晶体管T的栅极与控制信号线L_gate电连接，光敏器件D的第一电极与参考电压数据线电连接，光敏器件D上形成有用于将光敏器件与OLED发光层绝缘的第一绝缘层，OLED发光层与光敏器件对应的部分不发光；其中，

控制信号线L_gate用于控制薄膜晶体管T的开关，数据读取信号线L_read用于读取光敏器件D产生的光电流。

具体实施时，请参阅图2，将多个指纹识别单元设于显示装置内，其中，考虑到控制信号线L_gate、数据读取信号线L_read集成问题，将指纹识别单元设于显示装置内阵列基板的非发光区域。

下面结合图4具体说明指纹识别的过程，具体包括以下步骤：

步骤S101：各个指纹识别单元的控制信号线L_gate向薄膜晶体管T的栅极提供控制信号，使薄膜晶体管T打开光敏器件D；

步骤S102：各个指纹识别单元的光敏器件D接收指纹区域对显示装置所发出的光的反射光，使反射光在光敏器件D中进行光电转换，产生光电流；

步骤S103：各个指纹识别单元的数据读取信号线L_read读取光电流的大小，根据不同指纹识别单元中数据读取信号线L_read读取的光电流大小，识别指纹区域的指纹谷701和指纹脊702。

通过上述具体实施过程可知，本发明实施例提供的指纹识别单元中，薄膜晶体管T能够控制光敏器件D开关，薄膜晶体管T的栅极与控制信号线L_gate电连接，这样控制信号线L_gate就可以向薄膜晶体管T提供控制信号，以使薄膜晶体管控制光敏器件D能够接收光线，并产生光电流；而由于光敏器件D上形成有第一绝缘层403，使得光敏器件D通过第一绝缘层403与OLED发光层绝缘，而且，OLED发光层与光敏器件D对应部分的阴极5即使接电，但由于OLED发光层与光敏器件对应部分的阳极位置被第一绝缘层403替换，导致OLED发光层与光敏器件D对应部分不会发光；因此，本发明实施例提供的指纹识别单元通过在光敏器件D上形成第一绝缘层403，使得OLED发光层与光敏器件D对应部分不发光，保证了指纹识别单元可以设在显示装置内部，也不会直接接收OLED发光层发出的光，只会接收从显示装置外侧反射会显示装置内的光；因此，当指纹识别单元应用于显示装置内部后，如果有手指靠近或接触显示装置的发光面，而使显示装置发出的光被反射回显示装置内，就可以通过光敏器件D接收指纹区域对显示装置所发出的光的反射光反射的光线，产生光电流，并被数据读取信号线L_read读取，而由于手指的指纹区域中，指纹谷701和指纹脊702的界面的折射率不同，导致指纹谷701和指纹脊702对光的反射量不同，从而使得指纹谷701和指纹脊702对应的反射光在光敏器件D中产生的光电流大小也不同，因此，本实施例提供的指纹识别单元可以通过判断各个指纹识别单元中光敏器件D产生的光电流大小，实现指纹识别的目的。

通过上述分析可知，本发明实施例提供的指纹识别单元只要将指纹识别单元置于显示装置内，就可以实现指纹识别的目的，并不需要将指纹识别单元设置在显示面板外侧，因此，本发明实施例提供的指纹识别单元应用于显示装置中，并不会增加显示装置的厚度，使得具有指纹识别功能的显示装置能够向轻薄化发展。

另外，上述实施例中数据读取信号线L_read读取光敏器件D产生的光电流的具体结构多种多样，例如：请参阅图3，上述薄膜晶体管T的源极44与数据读取信号线L_read电连接，薄膜晶体管T的漏极45与光敏器件D的第二电极电连接。

示例性的，光敏器件D的第一电极为P电极，第二电极为N电极，这样当光敏器件D接收反射光后，在其中产生光电流，光电流就可以通过薄膜晶体管T的漏极45、源极44被数据读取信号线L_read所获取，实现数据读取信号线L_read读取光电流的目的。

需要说明的是，上述实施例中的指纹识别单元中薄膜晶体管和光敏器件均为现有结构可以实现，只需将现有的薄膜晶体进行相应连接，并与所需的控制信号线L_gate、数据读取信号线L_read对应连接即可。

例如：光敏器件D具体可以选择PIN光敏器件、PN光敏器件或肖特基型光敏器件，只要能够将其进行光电转换即可。而薄膜晶体管T具体可以选择底栅结构的薄膜晶体管或顶栅结构的薄膜晶体管，只要能够实现对光敏器件D的开关功能即可。

下面给出一种具体的薄膜晶体管的结构，并说明其与光敏器件D的连接、位置关系。另外，下面给出的薄膜晶体管结构只在于说明，而不是限定，也可以采用其他薄膜晶体管结构。

请参阅图3，本实施例中的薄膜晶体管T包括缓冲层40、有源层41、栅极绝缘层42、栅极43、源极44和漏极45，有源层41形成在缓冲层40上，栅极绝缘层42形成在有源层41上，栅极43、源极44和漏极45分别形成在栅极绝缘层42上，栅极绝缘层42开设有第一过孔和第二过孔，源极44通过第一引线与有源层41电连接，漏极45通过第二引线与有源层41电连接，第一引线穿过第一过孔，第二引线穿过第二过孔。

该薄膜晶体管的制作过程如图6所示，具体包括以下步骤：

步骤S201：在衬底基板4上形成缓冲层40，在缓冲层40上形成有源层41，在有源层41上分别形成栅极绝缘层42；

步骤S202：在栅极绝缘层42上形成栅极43，使栅极43与控制信号线L_gate电连接；在栅极绝缘层42通过构图工艺开设第一过孔和第二过孔；

可以理解的是，栅极43与控制信号线L_gate可以在一次构图工艺中形成，也可以分别形成，考虑到缩短制作步骤的问题，优选的，栅极43与控制信号线L_gate可以在一次构图工艺中形成；

步骤S203：在第一过孔中形成第一引线，在第二过孔中形成第二引线；在栅极绝缘层上形成源极44和漏极45，使源极44通过第一引线与有源层41电连接，漏极45通过第二引线与有源层41电连接，源极44与数据读取信号线L_read电连接，漏极45与光敏器件D的第二电极电连接，得到薄膜晶体管。示例性的，漏极45与光敏器件D的N电极电连接。

可以理解的是，第三步中的源极44和漏极45是在同一次构图工艺中形成的，另外，由于源极44与数据读取信号线L_read电连接，因此，在制作源极44和漏极45时，可以一并制作数据读取信号线L_read，也就是说，数据读取信号线L_read、薄膜晶体管的源极44和薄膜晶体管的漏极45在一次构图工艺中形成。

需要说明的是，在栅极绝缘层42通过构图工艺开设第一过孔和第二过孔可以在第一步结束后立刻进行，也可以在栅极绝缘层42上形成栅极43后，在栅极绝缘层42开设第一过孔和第二过孔；只是在制作栅极绝缘层42上形成栅极43后，在栅极绝缘层42开设第一过孔和第二过孔，第一过孔和第二过孔内不会存在金属残留；而在栅极绝缘层42通过构图工艺开设第一过孔和第二过孔后，在栅极绝缘层42上形成栅极43，会使得第一过孔和第二过孔中有可能残留制作栅极的金属，但由于在第三步还需要在第一过孔和第二过孔内制作能够导电的第一引线和第二引线，因此，第一过孔和第二过孔内即使残留了制作栅极的金属，也不会对后续步骤以及薄膜晶体管的使用造成影响。

另外，第三步中，虽然在第一过孔中形成第一引线，在第二过孔中形成第二引线后，再在栅极绝缘层42上形成源极44和漏极45，但是并不是说必须有在第一过孔中形成第一引线，在第二过孔中形成第二引线这一操作，例如：在栅极绝缘层上形成源极44和漏极45时，可以将制作源极44和漏极45的材料同时形成在第一过孔和第二过孔中，使得沉积在第一过孔中的材料被作为第一引线，形成在第二过孔中材料被作为第二引线；可见，虽然第一过孔中必然存在第一引线，第二过孔中必然存在第二引线，但是，第一引线和第二引线可以在制作源极44和漏极45时一并制作；换句话说，第一引线和第二引线、源极44和漏极45在同一次构图工艺中制作。

具体的，请参阅图3，上述实施例中的指纹识别单元还包括开设第三过孔的第二绝缘层400，该第二绝缘层400位于薄膜晶体管T与第一绝缘层403之间；光敏器件D位于第二绝缘层400与第一绝缘层403之间；光敏器件D的第二电极通过第三引线N与薄膜晶体管T的漏极45电连接，第三引线N穿过第三过孔。由于在薄膜晶体管T与第一绝缘层403之间设置第二绝缘层400，并使得光敏器件D位于第二绝缘层400与第一绝缘层403之间，这样就能够使得光敏器件D与薄膜晶体管T之间发生短路的可能性，而通过在第二绝缘层400上开设第三过孔，保证第三引线N能够第三过孔实现光敏器件的第二电极与薄膜晶体管D的漏极45电连接，以实现光电流的读取。

进一步的，请参阅图3，上述实施例中的树脂绝缘400的下表面和薄膜晶体管T之间形成有第一保护层401，第二绝缘层400的上表面还形成有与参考电压数据线电连接的金属层P，光敏器件D形成在金属层P上，第二绝缘层400的上表面和光敏器件D形成有用于使光敏器件D的第一电极和第二电极绝缘的第二保护层402；其中，

光敏器件D的第一电极与金属层P接触，第二电极裸露在第二保护层402外，第二保护层402与第一绝缘层403接触；

第一保护层401开设有第四过孔，第二保护层402开设有第五过孔，第四过孔通过第三过孔与第五过孔连通，第三引线N分别穿过第四过孔和第五过孔。

其中，上述实施例中的第一绝缘层403、第二绝缘层400、第一保护层401和第二保护层402均为绝缘性材料制成，例如：常见的树脂材料。

通过上述实施例中在第二绝缘层400的下表面和薄膜晶体管T之间形成有第一保护层401，使得第一保护层401能够实现对薄膜晶体管T的保护，而通过在第二绝缘层400的上表面和光敏器件D形成有第二保护层402，能够使得光敏器件D的第一电极和第二电极绝缘，防止第一电极和第二电极电连接，另一方面也能对光敏器件D起到保护作用；另外，由于第二电极裸露在第二保护层402外，第一保护层401开设有第四过孔，第二保护层402开设有第五过孔，且第四过孔通过第三过孔与第五过孔连通，这样就能使得第三引线N穿过第三过孔、第四过孔、第五过孔，而实现光敏器件D的第二电极与薄膜晶体管T的漏极45的电连接，保证光电流的读取。另外，由于金属层P与参考电压数据线电连接，使得金属层起到了引线作用，给参考电压数据线与光敏器件D的第二电极之间架起电连接的桥梁。而且，考虑到简化制作流程，可以将金属层P与参考电压数据线在同一次构图工艺中形成。

而上述结构是在当薄膜晶体管T和光敏器件D的基础上增设的，在指纹识别单元制作时，上述结构时在制作完薄膜晶体管T后进行的，下面结合图7详细说明上述结构的制作过程。

步骤S204：在薄膜晶体管T的源极44、薄膜晶体管T的漏极45和薄膜晶体管T的栅极43上形成第一保护层401；

步骤S205：形成第二绝缘层400，使第二绝缘层400的下表面与薄膜晶体管T的第一保护层401相对；

步骤S206：在第二绝缘层400的上表面形成与参考电压数据线相连的金属层P；其中，光敏器件D形成在金属层P上，使光敏器件D的第一电极与金属层P接触；示例性的，光敏器件D的P电极与金属层P接触。

步骤S207：在第二绝缘层400的上表面和光敏器件D形成第二保护层402，使光敏器件D的第一电极和第二电极绝缘，光敏器件D的第二电极裸露在第二保护层402外，第二保护层402与第一绝缘层403接触；

示例性的，光敏器件D的P电极与金属层P接触；光敏器件D的P电极与金属层P接触；光敏器件D的N电极通过第三引线N与薄膜晶体管T的漏极45电连接。

步骤S208：通过构图工艺在第一保护层401开设第四过孔、在第二绝缘层400开设第三过孔，在第二保护层402开设第五过孔，第四过孔通过第三过孔与第五过孔连通；

步骤S209：在光敏器件D的第二电极、第五过孔、第三过孔和第四过孔中形成第三引线N，使光敏器件D的第二电极通过第三引线与薄膜晶体管T的漏极45电连接；第三引线穿过第五过孔、第三过孔和第四过孔。

实施例二

请参阅图5，本发明实施例提供了一种指纹识别单元的制作方法，包括：

步骤S200，形成薄膜晶体管、光敏器件、控制信号线和数据读取信号线，使所述薄膜晶体管控制光敏器件的开关，所述数据读取信号线读取所述光敏器件产生的光电流，薄膜晶体管的栅极与控制信号线电连接，光敏器件的第一电极与参考电压数据线电连接；

步骤S300，在光敏器件D上形成第一绝缘层403，得到指纹识别单元；第一绝缘层403用于将光敏器件D与OLED发光层绝缘，以使OLED发光层与光敏器件对应的部分不发光。

需要说明的是，上述实施例中的数据读取信号线L_read、薄膜晶体管T的源极44和薄膜晶体管T的漏极45在一次构图工艺中形成。

与现有技术相比，本发明实施例提供的指纹识别单元的制作方法的有益效果与上述实施例一提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

具体的，形成薄膜晶体管的方法请参阅图6，具体包括：

步骤S201：形成缓冲层40，在缓冲层40上形成有源层41，在有源层41上形成栅极绝缘层42；缓冲层40可制作在衬底基板4上。

步骤S202：在栅极绝缘层42上形成栅极43，使栅极43与控制信号线L_gate电连接；在栅极绝缘层42通过构图工艺开设第一过孔和第二过孔；

可以理解的是，栅极43与控制信号线L_gate可以在一次构图工艺中形成，也可以分别形成，考虑到缩短制作步骤的问题，优选的，栅极43与控制信号线L_gate可以在一次构图工艺中形成；

步骤S203：在第一过孔中形成第一引线，在第二过孔中形成第二引线；在栅极绝缘层上形成源极44和漏极45，使源极44通过第一引线与所述有源层41电连接，漏极45通过第二引线与有源层45电连接，源极44与数据读取信号线L_read电连接，漏极45与光敏器件D的第二电极电连接，得到薄膜晶体管。

可选的，上述实施例提供的指纹识别单元还包括如图7所示的制作方法，具体包括：

步骤S204：在薄膜晶体管T的源极44、薄膜晶体管T的漏极45和薄膜晶体管T的栅极43上形成第一保护层401；

步骤S205：在第一保护层401上形成第二绝缘层400，使第二绝缘层400的下表面与第一保护层401相对；

步骤S206：在第二绝缘层400的上表面形成与参考电压数据线相连的金属层P；其中，光敏器件D形成在金属层P上，使光敏器件D的第一电极与金属层P接触；金属层P起到了与参考电压数据线相连的引线作用。示例性的，光敏器件D的P电极与金属层P接触

步骤S207：在第二绝缘层400的上表面和光敏器件D形成第二保护层402，使光敏器件D的第一电极和第二电极绝缘，光敏器件D的第二电极裸露在第二保护层402外，第二保护层402与第一绝缘层403接触；

示例性的，光敏器件D的P电极和N电极绝缘，光敏器件D的N电极裸露在第二保护层402外，第二保护层402与第一绝缘层403接触；

步骤S208：通过构图工艺在第一保护层401开设第四过孔、在第二绝缘层400开设第三过孔，在第二保护层402开设第五过孔，第四过孔通过第三过孔与第五过孔连通；

步骤S209：在光敏器件D的第二电极、第五过孔、第三过孔和第四过孔中形成第三引线，使光敏器件D的第二电极通过第三引线与薄膜晶体管T的漏极45电连接；第三引线穿过第五过孔、第三过孔和第四过孔。

实施例三

请参阅图2，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括多个上述实施例一提供的指纹识单元。

与现有技术相比，本发明实施例提供的指纹识别单元的制作方法的有益效果与上述实施例一提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

可以理解的是，上述实施例中的多个像素补偿单元设在衬底基板4上，该衬底基板4可以为柔性基板或刚性基板。

可选的，请继续参阅图2，上述实施例提供的阵列基板中，每个像素单元包括像素补偿单元和指纹识别单元，指纹识别单元的光敏器件与OLED发光层的非发光区域对应。

可以理解的是，OLED显示面板中，OLED发光层对应的发光区域和非发光区域共用阴极5，而OLED发光层对应的发光区域的另一端设有阳极8，OLED发光层对应的非发光区域的另一端并没有设置阳极8，而由于指纹识别单元的光敏器件D上设有第一绝缘层403，第一绝缘层403用于将光敏器件D与OLED发光层绝缘，因此，第一绝缘层403实质上位于光敏器件D与OLED发光层之间。

示例性的，每个像素单元的像素补偿单元和指纹识别单元制作在衬底基板上。

可选的，指纹识别单元中的控制信号线、数据读取信号线、薄膜晶体管中的一个或多个既可以与OLED发光层的发光区域对应，也可以与OLED发光层的非发光区域对应，另外，像素补偿单元可以与OLED的发光层的发光区域对应，也可以与OLED的非发光区域对应。具体根据实际情况选择。

其中，像素补偿单元中的参考电压数据线可与对应指纹识别单元中光敏器件D的第一电极电连接；本发明实施例通过在每个像素单元中增设指纹识别单元，使得阵列基板的每个像素单元不仅包括像素补偿单元，还包括指纹识别单元，实现了指纹识别的全屏化。另外，通过将指纹识别单元设在阵列基板中与OLED发光层的非发光区域对应的位置，保证了指纹识别单元只能接受到来自显示装置外部反射到显示装置内部的光。

例如：图2示出了一种显示面板的局部示意图，该显示面板中的阵列基板的一个像素单元包括第一像素单元、1、第二像素单元2和第三像素单元3；其中，

请参阅图2和图3，第一像素单元1包括第一像素补偿单元101和第一指纹识别单元103，显示面板中与第一像素单元1对应的OLED发光层为第一OLED发光层102；第一OLED发光层102与第一像素补偿单元101接触的一面集成有阳极8，第一像素补偿单元101与封装结构6接触的一面设有阴极5，通过第一像素补偿单元101控制在阴极5和阳极8之间是否施加电压，即可控制第一OLED发光层102发光。

请参阅图2和图3，第二像素单元2包括第二像素补偿单元201和第二指纹识别单元203，显示面板中与第二像素单元2对应的OLED发光层为第二OLED发光层202；第二OLED发光层202与第二像素补偿单元201接触的一面集成有阳极8，第二像素补偿单元201与封装结构6接触的一面设有阴极5，通过第二像素补偿单元201控制在阴极5和阳极8之间是否施加电压，即可控制第二OLED发光层202发光。

请参阅图2和图3，第三像素单元3包括第三像素补偿单元301和第三指纹识别单元303，显示面板中与第三像素单元3对应的OLED发光层为第三OLED发光层302。第三OLED发光层302与第三像素补偿单元301接触的一面集成有阳极8，第三像素补偿单元301与封装结构6接触的一面设有阴极5，通过第三像素补偿单元301控制是否在阴极5和阳极8之间施加电压，即可控制第三OLED发光层302发光。

另外，上述实施例中的封装结构6可以为常规的TFE封装方法对应的封装结构，也可以是其他可实现的封装结构。

值得注意的是，上述实施例中光敏器件D与OLED发光层的非发光区域对应，且使得OLED发光层与光敏器件D对应部分不发光，这样光敏器件D只会接收来自外部的发射光，而不会接收OLED发光层所直接发出的光。

另外，每个像素补偿单元实质上由薄膜晶体管和存储电容组成，且像素补偿单中的薄膜晶体管可以与指纹识别单元中的薄膜晶体管结构一样，也可以不一样。

优选的，像素补偿单中的薄膜晶体管可以与指纹识别单元中的薄膜晶体管结构一样，这样就能在制作像素补偿单中的薄膜晶体管时，一起制作指纹识别单元中的薄膜晶体管，如：在制作像素补偿单中薄膜晶体管的栅极时，可以通过同一次构图工艺中制作指纹识别单元中薄膜晶体管的栅极，在沉积栅极绝缘层时，可以一次沉积像素补偿单中薄膜晶体管的栅极绝缘层和指纹识别单元中薄膜晶体管的栅极绝缘，在制作像素补偿单中薄膜晶体管的有源层时，可以通过同一次构图工艺中制作指纹识别单元中薄膜晶体管的有源层，在制作像素补偿单中薄膜晶体管的源漏极时，可以通过同一次构图工艺中制作指纹识别单元中薄膜晶体管的源漏极。

实施例四

请参阅图2，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述实施例三提供的阵列基板。

与现有技术相比，本发明实施例提供的指纹识别单元的制作方法的有益效果与上述实施例三提供的阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。

上述实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

实施例五

本发明实施例提供了一种指纹识别方法，使用上述实施例四提供的显示装置，具体方法如图4所示，包括：

步骤S101：各个指纹识别单元的控制信号线向薄膜晶体管的栅极提供控制信号，使薄膜晶体管打开光敏器件；

步骤S102：各个指纹识别单元的光敏器件接收指纹区域对显示装置所发出的光的反射光，使所述反射光在光敏器件中进行光电转换，产生光电流；

步骤S103：各个指纹识别单元的数据读取信号线读取所述光电流的大小，根据不同各个指纹识别单元中数据读取信号线读取的光电流大小，识别指纹区域的指纹谷和指纹脊。

与现有技术相比，本发明实施例提供的指纹识别单元的制作方法的有益效果与上述实施例一提供的指纹识别单元的有益效果相同，在此不做赘述。

可以理解的是，上述指纹识别方法还包括：获取显示装置的工作状态，在显示装置工作时，控制各个像素补偿单元的控制信号线向薄膜晶体管的栅极提供控制信号。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。