传感单元154的 信号输入端均与第二连接导线162电连接，并均通过第二连接导线162与第二检测输入端 212电连接;第一半导体压力传感单元151的信号输出端和第二半导体压力传感单元152的 信号输出端均与第三连接导线163电连接，并均通过第三连接导线163与第一检测输出端 221电连接;第三半导体压力传感单元153的信号输出端和第四半导体压力传感单元154的 信号输出端均与第四连接导线164电连接，并均通过第四连接导线164与第二检测输出端 222电连接。
[0033]如图3c，上述阵列基板1的工作原理为，通过第一检测输入端211和第二检测输入 端212对四个半导体压力传感单元15施加电信号后，若手指未触摸由上述阵列基板1构成的 显示面板时，由于该惠斯通电桥满足电桥平衡条件，其处于平衡状态，第一检测输出端221 与第二检测输出端222之间的输出的信号值为零;当手指触摸由上述阵列基板1构成的显示 面板时，整个阵列基板1发生形变，构成各半导体压力传感单元15的应变电阻片的阻抗相应 发生变化，此时惠斯通电桥不满足电桥平衡条件，其失去平衡，第一检测输出端221与第二 检测输出端222之间的输出的信号值不为零，通过读取该信号值后，可以根据该信号值，计 算得到用户触摸由上述阵列基板1构成的显示面板时触控压力的大小。对触控压力的大小 的测量可以具体用于触摸、释放或拖放等操作。
[0034] 需要说明的是，如图3c，可选的，阵列基板1上还可以设置有驱动芯片4,所述驱动 芯片4分别与第一连接导线161、第二连接导线162、第三连接导线163和第四连接导线164电 连接，该驱动芯片4通过第一检测输入端211和第二检测输入端212对各半导体压力传感单 元15施加电信号，并且读取第一检测输出端221与第二检测输出端222之间输出的信号值。 在图3c中将驱动芯片4设置于阵列基板1非显示区域的右侧，这仅是本发明的一个具体示 例，而非多本发明的限制，在具体设计时，可以将驱动芯片4设置于阵列基板1非显示区域的 其他位置。
[0035] 在上述连接方法中，连接导线16主要包括引线部和跨接部，且引线部与半导体压 力传感单元15电连接，跨接部用于形成惠斯通电桥结构。示例性地，如图3a和图3c所示，四 条连接导线16(第一连接导线161、第二连接导线162、第三连接导线163和第四连接导线 164)位于虚线圆角矩形区域内的部分为引线部，引线部均沿第一方向100延伸。四条连接导 线16位于虚线椭圆形区域内的部分为跨接部。连接导线16的跨接部用于将四个导体压力传 感单元15连接形成一个惠斯通电桥结构。引线部和跨接部可以采用相同材料也可以采用不 同材料制作;可以设置于同一膜层中，也可以设置于不同膜层中。进一步地，阵列基板1还包 括围绕显示区域2的非显示区域3,半导体压力传感单元15和连接导线16的引线部可以设置 在显示区域2,连接导线16的跨接部可以设置在显示区域2或非显示区域3。
[0036] 为了降低阵列基板的厚度，以达到显示面板薄型化的目的，可以设置连接导线的 引线部与扫描线位于同一膜层且沿相同方向延伸，连接导线的跨接部与扫描线位于同一膜 层或不同膜层。若将连接导线16的跨接部与扫描线设置于同一膜层时，可选的，如图3c，将 连接导线16的跨接部设置于阵列基板1的非显示区域3。这样设置可以有效降低该阵列基板 1的制作难度，同时减小连接导线16跨接部对由该阵列基板1制作的显示面板的显示效果的 影响。若将连接导线16的跨接部与扫描线设置于不同膜层时，例如在阵列基板上存在触控 电极和用于连接该触控电极的触控走线时，可以将连接导线16的跨接部设置为与触控走线 同层，此时可以将连接导线16的跨接部设置于该阵列基板1的显示区域2,也可以将连接导 线16的跨接部设置于该阵列基板1的非显示区域3。
[0037] 具体将连接导线16的引线部与扫描线设置于同一膜层且沿相同方向延伸的方法 可以为，如图4所示，扫描线所在膜层（即图中栅极层141)与半导体压力传感单元15所在膜 层之间设置有第一绝缘层21，第一绝缘层21中设置多个第一过孔151，半导体压力传感单元 15通过第一过孔151与对应的连接导线16的引线部电连接。
[0038]图5a为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图5b为图5a中的阵列 基板中加粗虚线区域的放大图。与图la和图lb中所示的阵列基板相比，图5a和图5b中所提 供的阵列基板还包括触控电极和触控走线，连接导线的引线部与触控走线同层设置。
[0039 ]具体地，该阵列基板1，包括:衬底基板10;形成在衬底基板10上的多条沿第一方向 100延伸的扫描线11和多条沿第二方向200延伸的数据线12;数据线12和扫描线11限定出多 个像素单元13,每个像素单元13内设置有对应的薄膜晶体管14,薄膜晶体管14包括栅极层 141、有源层142和源漏极层143;以及形成在衬底基板10上的至少四个半导体压力传感单元 15(图5a中示例性地包括4个半导体压力传感单元15)，半导体压力传感单元15与有源层142 同层，且至少部分位于阵列基板1的显示区域2;衬底基板10上还形成有多条连接导线16,多 条连接导线16用于将半导体压力传感单元15连接成至少一个惠斯通电桥结构。除此之外， 该阵列基板1还包括形成在衬底基板10上的多个触控电极块17(图5a中示例性地包括6个触 控电极块17 )，多个触控电极块17分别与对应的触控走线18电连接。
[0040] 具体地，半导体压力传感单元15为沿第一方向100延伸的条状结构（如图5a和5b)， 半导体压力传感单元15沿第一方向100的长度大于一个像素单元13沿第一方向100的长度。 本发明实施例所提供的阵列基板1可用于制作液晶显示面板或有机发光二极管显示面板 等。若利用本发明实施例所提供的阵列基板1制作液晶显示面板时，考虑到现有的液晶显示 面板中，通常在彩膜基板侧设置有用于阻止每个像素单元处漏光的黑色矩阵，可选的，如图 5a和图5b所示，半导体压力传感单元15可以设置在衬底基板10上的投影位于像素单元间13 的黑矩阵遮光区内。这样设置可以有效降低半导体压力传感单元15对液晶显示面板的显示 效果的影响。除此之外，如图6所示，还可以将半导体压力传感单元15设置于在衬底基板10 上的投影位于像素单元13的畴线区域内。因为在液晶显示面板的畴线区域液晶分子配向紊 乱，其亮度较其他区域暗，将半导体压力传感单元15设置于畴线区域内同样可以降低半导 体压力传感单元15对液晶显示面板的显示效果的影响。
[0041] 为了缩减阵列基板的厚度，进而实现显示面板减薄的目的，可以设置触控走线沿 第二方向延伸，连接导线引线部与触控走线位于同一膜层且沿相同方向延伸，跨接部与触 控走线位于同一膜层或不同膜层。若设置触控走线18沿第二方向200延伸，连接导线16引线 部与触控走线18位于同一膜层且沿相同方向延伸，具体可以设置为如图7所示结构。触控走 线18所在膜层与半导体压力传感单元15所在膜层之间设置有第二绝缘层22,第二绝缘层22 中设置多个第二过孔152,半导体压力传感单元15通过第二过孔152与对应的连接导线16的 引线部电连接。
[0042]类似地，所述阵列基板还包括围绕所述显示区域的非显示区域，所述半导体压力 传感单元、所述连接导线的引线部设置在所述显示区域，以及所述连接导线的跨接部设置 在所述显示区域或非显示区域。示例性地，如图8,将四条连接导线16(第一连接导线161、第 二连接导线162、第三连接导线163和第四连接导线164)位于虚线圆角矩形区域内的引线部 设置于该阵列基板1的显示区域2,将四条连接导线16位于虚线椭圆形区域内跨接部设置于 该阵列基板1的非显示区域3。若将连接导线16的跨接部与触控走线18设置于同一膜层时， 可选的，将连接导线16的跨接部设置于阵列基板1的非显示区域3。这样设置可以有效降低 该阵列基板1的制作难度，以及减小连接导线16跨接部对由该阵列基板1制作的显示面板的 显示效果的影响。若将连接导线16的跨接部与触控走线18设置于不同膜层时，例如可以将 跨接部设置在于扫描线同层，此时可以将连接导线16的跨接部设置于该阵列基板1的显示 区域2,也可以将连接导线16的跨接部设置于该阵列基板1的非显示区域3。
[0043]本实施例中，利用连接导线将半导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结