专利名称：制造母板和形成图案的方法、母板、模板、光信息记录介质和抗蚀剂的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种能够进行热模式记录的抗蚀剂、一种使用这种抗蚀剂形成图案的方法、一种制造光信息记录介质的方法、一种母板(master)、一种模板(stamper)和一种光信息记录介质。
背景技术：
形成图案的方法使用被称为抗蚀剂的光敏材料，其中通过曝光有选择地改变抗蚀剂的状态(包括不同的放射线，如电子束或带电粒子束)。接着，在抗蚀剂的状态改变了的部分和没有改变的部分以不同蚀刻速率进行蚀刻(和显影)，从而形成凸凹的图案。这种方法实际应用在用于制造各种各样的光信息记录介质或半导体器件的细微机械加工中。
将参照其中以制造光信息记录介质的方法为例的图3，对用这种抗蚀剂来形成图案的方法的传统示例进行描述。
首先，描述制造母板305的过程。包括形成在衬底301上的抗蚀层302的记录母板303暴露在激光束或电子束下，从而形成如导向槽或信息凹坑等所期望的图案，作为潜像304(图3(A))。在曝光之后对记录母板303进行显影，记录为潜像304的所期望的图案变成槽脊和凹坑，于是就产生了母板305(图3(B))。这里，图3示出了其中将潜像形成为凹坑的情况。应当注意的是，在制造DVD或下一代光信息记录介质的母板的过程中，蓝色激光或紫外线激光广泛地用于曝光，碱性溶液广泛地用于显影。
接着，将描述模板308的制造过程。在母板305上形成传导膜306(图3(C))，然后利用传导膜306进行电镀形成金属层307(图3(D))。再然后，从母板305上仅移去此金属层307，或者移去具有传导层306的金属层307，并对金属层307执行如背面抛光或模压等成形处理，从而制成模板308。
最后，通过其中使用模板308的注模法，制成光信息记录介质309的盘衬底(图3(F))。以上描述的是正型抗蚀剂。然而，以上描述同样也可以应用于负型抗蚀剂，除了在母板上的凹凸点是相反的以外(参见图3(E))。
以上对制造光信息记录介质的方法的描述是使用抗蚀剂形成图案的方法的示例。这种形成图案的方法是光子模式记录方法，其使用作为光敏材料的抗蚀剂，并且利用其在曝光过程中的光化学反应。然而，还有另外一种方法，其中使用热敏材料作为抗蚀剂，并且执行热模式记录(例如，参见日本未审专利公开No.H10-97738)。
热模式记录是一种利用由于曝光后温度的变化而导致状态的变化的记录方法。这种方法使得只在达到了特定温度的曝光部分一部分中的光敏性发生变化，因此，当在曝光时使用同一种波长的光，能够得到比使用光子模式记录更微细的图案，在光子模式记录中，根据曝光强度，光敏性变化在整个曝光部分上连续发生。换而言之，热模式记录能够形成与传统上相同尺寸的凹坑和凸点的微细图案，但使用更长波长的光。
近来，为了产生更微细的图案，在使用抗蚀剂形成图案的方法中，曝光使用的光的波长变得越来越短，例如248nm或193nm。此外，电子束也可以用来曝光，并且抗蚀剂、光源、光器件的使用和制造变得越来越困难。在这种环境下，就需要有一种通过热模式记录、使用抗蚀剂来形成图案的方法，在热模式记录中，可以使用更长波长的光来形成相同尺寸的微细图案。
一种想法是使用氧族元素化合物，它们是众所周知的相变材料，作为能够进行热模式记录的可能抗蚀剂(例如，参见日本未审专利公开No.H10-97738)。然而，没有文献清楚地描述一种特定的抗蚀剂和一种使用氧族元素化合物来形成图案的方法。本发明人注意到作为氧族化合物的氧化碲，并评估了它作为抗蚀剂的特性。其结果是，发现对于显影，这种材料具有非常低的对比度，这意味着存在实质性的实际问题，比如残留膜比率和线边缘粗糙度等。
发明内容
本发明的目的是提供一种能进行热模式记录的抗蚀剂，拥有高环境抗性，其中可以使用抗蚀剂的较宽波长范围，显影中的高残留膜比率，较低的线边缘粗糙度，并且能够用在传统的显影设备中，以及一种使用上述抗蚀剂形成图案的方法和一种使用抗蚀剂制造光信息记录介质的方法。
将对根据本发明的一种制造光信息记录介质的母板的方法、一种形成图案的方法、一种母板本身、一种模板、一种光信息记录介质和一种抗蚀剂进行描述。制造光信息记录介质的母板的方法包括抗蚀层形成步骤，使用抗蚀剂在衬底的上表面上形成抗蚀层；曝光步骤，有选择地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在曝光步骤之后，对抗蚀层进行碱性显影处理。抗蚀剂主要由无机物组成，并且至少包括碲、氧，以及还包含在碱性环境中比TeO2有更低溶解度的稳定化添加剂。
在根据本发明的制造光信息记录介质的方法中，碲和TeO2使其能够进行热模式记录，对于宽波长范围内的光——如太阳光，是惰性的，在从真空紫外线到红外线的较宽范围内具有吸光率，以及能够用碱显影。此外，稳定化添加剂提高了未曝光部分对显影溶液的抗蚀性，所以能够进行良好的图案形成。
优选地，抗蚀剂按照成分公式TeOx包含碲和氧，其中0.3≤x≤1.7，更为优选的是，按照成分公式TeOx包含碲和氧，其中0.8≤x≤1.4。
作为稳定化添加剂，抗蚀剂最好至少含有下列材料之一Mg，Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，As，Se，Y，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sb，Ta，W，Pt，Au，Bi和这些元素的化合物，更为优选的是，至少含有以下材料之一Pd，Au，Pt，Cu，Sb，Bi，Si和这些元素的化合物。
在抗蚀剂中稳定化添加剂的构成比率最好在0.15-0.55的范围内，更为优选的是，在0.15-0.50的范围内。这是因为上述范围能在显影中有足够高的残留膜比率和足够低的线边缘粗糙度。
在根据本发明的制造光信息记录介质的母板的方法中，在显影步骤中使用碱性溶液作为显影溶液。最好是用TMAH作为碱。这是因为在使用TMAH时曝光部分的残留特别低。这种情况下，TMAH的浓度最好是在0.02％-20％的范围内。
在根据本发明的制造光信息记录介质的母板的方法中，在曝光步骤中，曝光用的光波长可以是本发明的抗蚀剂能吸收的任意波长，但可以使用波长至少在121-940nm之间的光。另外，抗蚀层的厚度最好是在5-200nm的范围内。
根据本发明，一种制造光信息记录介质的母板的方法、一种形成图案的方法、一种母板本身、一种模板、一种光信息记录介质和一种抗蚀剂能够进行热模式记录；能够使用传统的显影设备；以及具有高环境抗性的抗蚀剂，其可以吸收较宽波长范围内的光，在显影时，具有较高的残留比率，以及具有较低的线边缘粗糙度。
图1(A)-1(C)示出了根据本发明的形成图案的方法；图2示出了在根据本发明的形成图案的方法中的曝光方法；以及图3示出了传统技术。
具体实施例方式
在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。
根据本发明，制造光信息记录介质的母板的方法将作为抗蚀剂和形成图案的方法的示例。然而，本发明的抗蚀剂和形成图案的方法的效果并不限于此应用。当然，本发明的效果不仅可以在光信息记录介质的母板的记录中得到，还能在半导体器件的制造和多种光刻蚀技术中得到。
(1)抗蚀层形成步骤如图1(A)的横截面所示，在由任意类型的玻璃、硅或树脂做成的衬底101上形成抗蚀层102，被称为记录母板103。抗蚀层102主要是由无机材料组成的抗蚀剂做成，并且该抗蚀剂至少含有碲和氧(在下文中，碲和氧的化合物被称为TeOx)、以及作为在碱性环境中溶解度比TeO2的溶解度更低的材料的稳定化添加剂。通过真空处理形成抗蚀层102，如溅射法或真空蒸发法。注意，记录母板可以包括其他元件，比中间层，隔热层或反射层，只要它保持上述结构。
衬底可以预先拥有凸凹图案，以便用来制造半导体器件，或者可以是上述以外的其他任意材料，只要其并不妨碍如下详细描述的抗蚀层的形成。
当使用溅射法来形成抗蚀层的时候，可以使用有与期望的抗蚀剂一样的成份的靶，从而在如Ar或Xe等惰性气体中进行溅射，或可以分别准备TeOx靶和稳定化添加剂靶，以便执行共同溅射。此外，作为TeOx靶，例如，可以通过将氧混合在惰性气体(如Ar或Xe等)中而使用比抗蚀剂含有较低比率的氧的靶(可以是单独的碲靶)，从而进行反应溅射。类似的，在使用真空蒸发法的情况下，可以从单一材料或复合材料中形成蒸气沉积。在执行本发明的方法时，最好用溅射法(尤其是反应溅射法，以便对氧的量进行微细调整)来形成抗蚀层，因为能够很容易地形成均质非晶膜，成份(尤其是数量)的微细调整将会容易，几乎没有粉末的产生，并且能够形成稳定的膜。然而，本发明的结果能够从任意制造抗蚀剂的方法中得到，比如烧结粉末材料等。注意，抗蚀剂的成份和它的特性将在后面详细的描述(2)曝光步骤接下来，如图1(B)所示，通过有选择地曝光记录母板103，记录下潜像104，将参照图2对其进行详细的描述。把记录母板201放在旋转台202上，它与旋转台202一起旋转。透镜204将由光源203发射的记录光聚焦到记录母板201的表面上。如果需要，可以在记录光源203中调制和偏转记录光。在记录的过程中，记录头205和旋转台202互相相对地平行移动，以便在记录母板上完成类似螺线的记录。尽管激光束或电子束也同样适用于本发明的方法，由于它的聚焦性和外设元件的可用性，记录光可以是能有选择地使抗蚀层温度升高的任意光。
注意，尽管作为在本发明的方法的曝光步骤的示例，描述了用于记录光信息记录介质的母板的方法，但是，如光刻蚀法等能通过有选择地曝光使抗蚀剂温度升高的其他方法，也可以作为本发明的方法。
(3)显影步骤接下来，使用碱性溶液，如氢氧化四甲铵(TMAH)，KOH或NaOH等，显影记录母板。显影过程可以使用传统的显影方法，如喷雾法，簇射法或胶泥填塞法(puddle method)等，因此，也可以使用传统的设备。注意，只要显影方法用到了碱，就能够获得本发明的效果。如图1(C)所示，通过显影，可以制造其上作为凹坑图案形成了潜像104的母板105。
(实施例1)通过碱性显影处理，本发明的抗蚀剂用作正型抗蚀剂。将参照试验结果，描述其结构方式，及其构成的细节。TeOx材料是众所周知的相变材料，它已商业化，比如于一次写、多次读型的光盘等。本发明人发现了如下现象由于结晶化，TeOx的碱溶解度会因为曝光和它的结构方式的原因而增加。本发明人还发现，当加入的稳定化添加剂材料的溶解度比TeO2在碱性环境中还要低的时候，未曝光部分(未结晶的部份)的碱溶解度会降低，于是残留膜比率和线边缘粗糙度就会得到提高。这种机制可以如下考虑。
本发明的抗蚀剂中的TeOx材料在曝光前处于非晶体的状态，也就是，在碱中不可溶的碲和在碱中可溶的TeO2是处于混合均匀分布的状态。然而，当由于碱显影处理，存在于抗蚀剂表面的TeO2溶解到碱中时，在表面会迅速地出现碲，于是在碱中的抗蚀剂的溶解度相对较低。当通过曝光和加热使本发明的抗蚀剂被熔解并结晶化时，碲和TeO2会因为较低的相溶性而导致分离。其结果是，碲的晶体增加，并且TeO2均匀分布，填满碲晶体之间的间隙。因此，当碱显影处理完成时，均匀分布的TeO2溶解，并且丢失掉周围的分子(TeO2)的碲晶体也溶解于碱溶液。如此，本发明的抗蚀剂在显影过程中能以正型抗蚀剂的形式工作。然而，如果把只由TeOx组成的材料作为抗蚀剂，我们会发现以下问题。
为了形成极好的图案，最好是抗蚀剂在显影中拥有高对比度。换而言之，最好是抗蚀剂在显影溶液中，未曝光的部分有低的溶解度，而曝光部分有高的溶解度。如果在使用由TeOx制成的抗蚀剂的情况下解释并重述了这两个意思，那么就会出现下面的两个要求。
(要求1)在抗蚀剂的成份中最好含有大量的碲以便降低在显影溶液(碱性)中未曝光部分(未结晶部份)的溶解度。
(要求2)TeO2中含有碲成份的比率最好为合适的值，以便增加在显影溶液(碱性)中曝光部分(已结晶部分)的溶解度。
然而，我们发现很难同时满足这两个要求，因为成份碲的构成比率满足要求1的话，则对于要求2来说碲的数量就过多了。因此，仅由TeOx组成的抗蚀剂不可能实现良好的残留膜比或良好的线边缘粗糙度。
因此，本发明人设法加入如钯，金或铂之类在碱中比TeO2有更低溶解度的材料作为稳定化添加剂，从而当调整碲和TeO2成份的比率到适当的值以增加在碱中曝光部分(已结晶部分)的溶解度的时候，稳定化添加剂在降低未曝光部分(未结晶部份)在溶液中的溶解度方面发挥了重要作用。其结果是使得在高对比度下完成显影成为可能。因而，就能够实现良好的残留膜比和良好的线边缘粗糙度。稳定化添加剂仅需要降低未曝光部分在碱中的溶解度。所以，我们认为负责未曝光部分在碱中的溶解度的具有在碱中比TeO2的溶解度低的任何材料都可用作稳定化添加剂。
在图案形成实验中，使用钯作为稳定化添加剂的抗蚀剂在石英衬底上形成了厚度为60nm的抗蚀层。残留膜比率和线边缘粗糙度的结果如表1所示。
注意稳定化添加剂的构成比例表述为(抗蚀剂中稳定化添加剂的原子数)/(抗蚀剂中碲的原子数与稳定化添加剂的原子数之和)。
在不同的稳定化添加剂的构成比例情况下，选择当最优图案形成时(当TeOx中x的值在0.3-1.7之间时为佳)抗蚀剂中的氧的构成。使用405nm波长的激光完成有选择性的曝光，在抗蚀剂上照射强度在0.1-2.0mJ/m的范围内，且物镜的NA是0.95，使得以螺线方式形成一系列长短凹坑，最小凹坑长度约为100nm，轨道间距为320nm。显影过程中，在稳定化添加剂含量不同的情况下，选择当得到最优图案(在浓度范围为0.02％-20％时得到最优图案)时TMAH的浓度。
残留膜比表述为(显影后未曝光部分膜的厚度)/(显影后曝光部分膜的厚度)。
线边缘粗糙度定义为在足够长、可以把它当作线段的凹坑处的(凹坑最大宽度值)-(凹坑最小宽度值)。线边缘粗糙度的评估结果以三个级别示出，“好”，“可以接受”，“坏”。“好”表示线边缘粗糙度小于20nm；“可以接受”表示线边缘粗糙度在20-60nm之间；“坏”表示大于或等于60nm的不能接受的线边缘粗糙度。
注意，在这个实验中曝光所使用的光源的波长是405nm，抗蚀剂上的照射强度范围是在0.1-2.0mJ/m，本发明的方法并不局限于此波长和光强度值。经过实验证实，本发明对于使用不同的波长的氘灯、半导体激光或气体激光的灵敏度的范围在121nm-940nm之间。在热模式记录中，曝光用的光并不直接依赖于它自身的波长，只要它能升高温度。可以通过使用任意波长的光或放射线来得到本发明的效果。另外，抗蚀层的厚度并不一定限制于60nm，我们发现抗蚀层厚度在5-200nm之间时使用也没有任何问题。抗蚀层的厚度越薄，形成的图案就越细微。经过实验已经证实的图案尺寸是17nm的线宽和24nm直径的孔。然而，没有抗蚀剂分辨率极限的证据，认为可以优化曝光波长和光学系统来形成更加微细的图案。考虑到抗蚀剂的成份，优选的是，如果抗蚀层的厚度越小，抗蚀剂的吸收系数就越大。因此，最好降低抗蚀剂中氧的含量。相反，优选的是，如果抗蚀层的厚度越大，抗蚀剂的吸收系数就越小。这种情况下，最好是增加抗蚀剂中氧的含量。
从表1可以清楚地了解，当稳定化添加剂的成份大于或等于0.05时，可以可靠地得到增加残留膜比的效果，并且当稳定化添加剂的成份大于或等于0.15时，效果更加明显。另外，当稳定化添加剂的成份大于或等于0.05时，线边缘粗糙度也得到改善。然而，当稳定化添加剂的成份大于或等于0.55时，发现抗蚀剂的灵敏度下跌。当稳定化添加剂的成份大于或等于0.60时，曝光不能产生晶体化。
根据以上对实验结果的描述，当稳定化添加剂的含量至少在0.05-0.55的范围内，可以得到本发明的效果，并且，在0.15-0.50的范围内，可以增加本发明的效果。然而，认为在不关心灵敏度的下降时，即使稳定化添加剂的含量大于或等于0.60，仍能获得本发明的效果。
除了钯以外，可以使用其他的稳定化添加剂来得到本发明的效果，包括Mg，Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，As，Se，Y，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sb，Ta，W，Pt，Au，Bi和这些元素的氧化物，氮化物等。其中，能够得到特别高的效果的稳定化添加剂是Pd，Au，Pt，Cu，Sb，Bi，Si和这些元素的氧化物、氮化物等化合物。每一个在碱中都有较低的溶解度，并且认为都有降低本发明的抗蚀剂的未曝光部分在碱中的溶解度的效果。
(实施例2)接下来，将参考更加详细的数据来描述本发明的使用抗蚀剂来制造光信息记录介质的方法和形成的图案的方法。注意，以上描述了制造光信息记录介质的母板之前的步骤，后面的描述只是上述方法的一个示例。下面的描述并不局限本发明的方法的应用范围。在直径为200mm厚度为5mm的石英衬底上形成厚度为60nm的TeOxPdy抗蚀剂。使用由碲和钯以74比26的比例混合的靶，和氩和氧的混合气体的反应溅射法形成抗蚀剂，从而形成记录母板。在溅射过程中真空室内的压强为2毫托，氧的部分压强为0.6毫托。当x在0.8-1.4的范围内，y约为26/74时，可以得到非常好的特性。
使用这种记录母板，波长为405nm的激光和NA为0.95的物镜，通过以上参照图2解释的记录方法，有选择性地曝光一系列长短凹坑，最小凹坑长度约为100nm。信号调制模式是1-7pp，将信号长度2T(最短的凹坑)设置为149nm，轨道间距是320nm(这相当于在直径为120mm的光信息记录介质中每层有25GB的存储量)。注意，通过调整凹坑最小长度到50nm，轨道间距到100nm，并且使用同一种成份和同样厚度的抗蚀层可以形成良好的图案。注意，只要曝光装置允许，为了形成更大的图案，抗蚀剂的厚度并没有限制。当然，如果降低抗蚀层的厚度，可以得到更微细的图案。
接下来，使用2.4％的TMAH执行60秒的显影，从而得到具有高度为55nm凹凸点图案的光信息记录介质的母板。已经发现TMAH的浓度范围为0.2％-4.0％时，母板上的凹凸点图案或残留膜比率并没有变化，并且与传统的抗蚀剂抗蚀剂相比，本发明的抗蚀剂还有较大的显影容限。此外，在具有不同成分的本发明的另一抗蚀剂中，对于具有相同显影效果的显影容易的浓度范围，其最大值大约是最小值的10倍。注意，浓度的绝对值可以不同于以上描述。同样，对于显影结果没有改变的显影时间范围，该范围的最大值可以大于最小值的2倍。此外，对于本发明的抗蚀剂的环境抗性，它有优秀的特性，在太阳光下曝光或在常温下在大气中存储6个月，也并不影响显影处理。
由通过上述方法制成的母板制造光信息记录介质的方法是一种传统的技术，因此下面只作简单的描述。通过镀Ni或类似的元素，在母板上形成金属层，并且对从母板上移除的金属层进行处理和成型，以便制造模板。使用注射模技术，这个模板的凹凸图案将会转换到由聚碳酸酯制成的直径为120mm厚度为1.1mm的盘衬底上。注意，其他的树脂，如丙烯酸树脂，也可以作为盘衬底的材料，并且盘衬底的直径和厚度可以是任何值。此外，使用溅射法或蒸气沉积法，在这个盘衬底上的凹凸图案上形成Ag做成的反射膜。接着，通过旋涂法对将紫外线固化树脂涂覆在反射膜上，并通过紫外线固化树脂，形成厚度为0.1mm厚的保护层，完成光信息记录介质的制造。注意，像Au，Al或Si这样有高反射率的材料，可以用来制成反射膜，并且聚碳酸酯或丙烯酸树脂做成的薄片可以通过保护层的粘合片连接到一起。另外，如果从保护层的相对侧进行信号再现，那么可以使用不透明材料来制作保护层。
使用波长为405nm、物镜NA为0.85的再现光，根据再现信号的抖动来评估用这种方法制造的光信息记录介质。评估的结果是，得到了非常好的信号特性，当使用极限均衡器时，为5.7％。应当理解的是，如果在上面提到的环境下，再现信号的抖动值如果小于或等于6.5％，那么对于实际应用来说就足够小了。
(其他实施例)注意，尽管在上面对制造方面的描述中例举了只读类型的光信息记录介质，本发明的方法也能够应用于制造可记录型光信息记录介质的方法。这种情况下，可以有选择性地曝光导向槽来代替上面提到的一系列长短的凹凸点，此外，可以将由相变材料制成的记录层形成于上面提到的反射层。然而，当用本发明的抗蚀剂来形成图案时，根据本发明的制造光信息记录介质的方法具有最大的效果。只要将通过本发明的方法形成的凹凸图案直接或间接地转换到光信息记录介质上，可以采用光信息记录介质的反射层和记录层的任何结构和任何元件。另外，同样宽度的导向槽图案比凹凸点图案更容易成形。因此，如果使用制造光信息记录介质(举例为只读型介质)的母板的方法，就能够产生更高密度的母板，于是就能够产生光信息记录介质。
根据本发明的抗蚀剂、用于形成图案的方法和用于制造光信息记录介质的母板的方法具有以下效果使用相同波长的光源，可以形成比光子模式记录方法更微细的图案，以及可以获得较高的环境抗性。本发明对于纳米级的微机械处理是有用的，例如，光信息记录介质、半导体器件、显示板或微机械的制造等。
权利要求
1.一种制造光信息记录介质的母板的方法，所述方法包括抗蚀层形成步骤，使用抗蚀剂在衬底的上表面上形成抗蚀层；曝光步骤，有选择地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在曝光步骤之后，对抗蚀层进行碱性显影处理，其中抗蚀剂主要由无机物组成，并且至少包括碲、氧以及在碱性环境中比TeO2有更低溶解度的稳定化添加剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用成份公式TeOx表示抗蚀剂中碲和氧的组合，其中0.3≤x≤1.7。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，用成份公式TeOx表示抗蚀剂中碲和氧的组合，其中0.8≤x≤1.4。
4.根据权利要求1-3其中任何一个所述的方法，其特征在于抗蚀剂的稳定化添加剂至少包括从由Mg，Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，As，Se，Y，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sb，Ta，W，Pt，Au，Bi和这些元素的化合物组成的组中选择的一种元素。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于抗蚀剂的稳定化添加剂至少包括从由Pd，Au，Pt，Cu，Sb，Bi，Si和这些元素的化合物组成的组中选择的一种元素。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于稳定化添加剂的构成比率在0.05-0.55的范围内。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于稳定化添加剂的构成比率在0.15-0.50的范围内。
8.根据权利要求1-7其中任何一个所述的方法，其特征在于在抗蚀剂形成步骤期间，通过真空处理来形成抗蚀层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于在抗蚀剂形成步骤期间，真空处理利用的是溅射法。
10.根据权利要求1-9其中任何一个所述的方法，其特征在于在显影步骤期间，碱性显影处理利用的是含有TMAH的显影液。
11.一种光信息记录介质的母板，其中根据权利要求1-10其中任何一个所述的方法制造所述母板。
12.一种模板，通过使用根据权利要求11所述的母板制造。
13.一种光信息记录介质，通过使用根据权利要求12所述的模板制造。
14.一种抗蚀剂，包括至少包含碲，氧和在碱性环境中比TeO2的溶解度更低的稳定化添加剂的无机材料。
15.根据权利要求13所述的抗蚀剂，其特征在于，用成份公式TeOx表示抗蚀剂中碲和氧的组合，其中0.3≤x≤1.7。
16.根据权利要求15所述的抗蚀剂，其特征在于，用成份公式TeOx表示抗蚀剂中碲和氧的组合，其中0.8≤x≤1.4。
17.根据权利要求14-16其中任何一个所述的抗蚀剂，其特征在于稳定化添加剂至少含有从由Mg，Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，As，Se，Y，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sb，Ta，W，Pt，Au，Bi和这些元素的化合物组成的组中选择的一种元素。
18.根据权利要求17所述的抗蚀剂，其特征在于抗蚀剂的稳定化添加剂至少包括从由Pd，Au，Pt，Cu，Sb，Bi，Si和这些元素的化合物组成的组中选择的一种元素。
19.根据权利要求17或18所述的抗蚀剂，其特征在于稳定化添加剂的构成比率在0.05-0.55的范围内。
20.根据权利要求19所述的抗蚀剂，其特征在于稳定化添加剂的构成比率在0.15-0.50的范围内。
21.一种形成图案的方法，包括抗蚀层形成步骤，使用根据权利要求14-20之一所述的抗蚀剂，在衬底的上表面上形成抗蚀层；曝光步骤，有选择性地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在曝光步骤之后，在抗蚀层上执行碱性显影处理。
全文摘要
一种制造光信息记录介质的母板的方法，包括抗蚀层形成步骤，使用抗蚀剂在衬底的上表面形成抗蚀层；曝光步骤，有选择性地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在执行曝光步骤之后，在抗蚀层上执行碱性显影处理。抗蚀剂主要由无机材料组成，并且至少包括锑和氧，此外还含有在碱性环境中比TeO
文档编号G11B7/26GK1591631SQ200410057680
公开日2005年3月9日 申请日期2004年8月23日 优先权日2003年8月26日
发明者伊藤英一, 大野锐二, 川口优子 申请人:松下电器产业株式会社