技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括(部分地)：第一数据I/O块和第二数据I/O块。在写入操作期间，第一数据I/O块将经由第一焊盘供应的输入数据传送第一全局I/O线，并且还产生写入内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将写入内部信号传送到第二焊盘。在读取操作期间，第一数据I/O块将数据从第一全局I/O线供应到第一焊盘，并且还产生读取内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将读取内部信号传送到第二焊盘。
技术研发人员：金珍儿
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2013.01.24
技术公布日：2018.02.16