口 100?103、专用写使能接口 WE# (Write Enable，写使能，在写取数据之前，要先使WE#有效)、专用地址锁存使能接口 ALE (Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能)、专用命令锁存使能接口 CLE(Command LatchEnable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能)、专用写保护接口 WP# (Write Protect，写保护)、专用状态标识接口 R/B# (Ready/Busy Output，就绪 /忙，主要用于在发送完编程/擦除命令后，检测这些操作是否完成，忙表示编程/擦除操作仍在进行中，就绪表示操作完成)和4个专用输入输出接口 104?107。需要说明的是，在字母后面加是表示低电平有效，比如上述的CE#等。
[0047]其中，复用电源接口 VCC、复用接地接口 VSS、复用芯片使能接口 CE#、复用控制接口 SCLK/RE#、4个复用输入输出接口 100?103为复用接口。复用电源接口 VCC为能够兼容SPI类型的NAND Flash中电源接口和ONFI类型的NAND Flash中电源接口的复用接口 ；复用接地接口 VSS为能够兼容SPI类型的NAND Flash中接地接口和ONFI类型的NAND Flash中接地接口的复用接口 ；复用芯片使能接口 CE#为能够兼容SPI类型的NAND Flash中芯片使能接口和ONFI类型的NAND Flash中芯片使能接口的复用接口 ；复用控制接口 SCLK/RE#为能够兼容SPI类型的NAND Flash中时钟接口和ONFI类型的NAND Flash中读使能接口的复用接口 ；4个复用输入输出接口 100?103为能够兼容SPI类型的NAND Flash中4个输入输出接口(S100?S103)和ONFI类型的NAND Flash中设定的4个输入输出接口(100?103)的4个复用接口。
[0048]其中，专用写使能接口 WE#、专用地址锁存使能接口 ALE、专用命令锁存使能接口CLE、专用写保护接口 WP#、专用状态标识接口 R/B#和4个专用输入输出接口 104?107为专用接口。专用写使能接口 WE#为对应于ONFI类型的NAND Flash中写使能接口的专用接口 ；专用地址锁存使能接口 ALE为对应于ONFI类型的NAND Flash中地址锁存使能接口的专用接口 ；专用命令锁存使能接口 CLE为对应于ONFI类型的NAND Flash中命令锁存使能接口的专用接口 ；专用写保护接口 WP#为对应于ONFI类型的NAND Flash中写保护接口的专用接口 ；专用状态标识接口 R/B#为对应于ONFI类型的NAN D Flash中状态标识接口的专用接口 ；4个专用输入输出接口 104?107为对应于ONFI类型的NAND Flash中设定的输入输出接口(104?107)的专用接口。
[0049]图2所示的Flash芯片中，专用接口中包括4个专用输入输出接口 104?107，则针对该种情况，通过采用不同的封装方式，该Flash芯片可以被封装为SPI类型的NANDFlash，或者可以被封装为8输入输出的ONFI类型的NAND Flash。
[0050]如果要将该Flash芯片封装为SPI类型的NAND Flash,则仅需使用其中的全部复用接口(8个)即可实现SPI类型的NAND Flash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口封装为外部引脚，将Flash芯片中的全部专用接口置为悬浮状态，并且还可以在Flash芯片中预先设置控制位，该控制位用于指示Flash芯片封装的类型(包括SPI类型和ONFI类型)，Flash芯片根据该控制位可以确定复用接口应该执行哪种类型的NAND Flash中的对应接口的功能，因此还需将Flash芯片中预设的控制位设置为SPI类型，从而得到封装后的SPI类型的NAND Flash。也即，若所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash，则所述复用接口被封装为外部引脚，所述专用接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为SPI类型。
[0051]参照图3，示出了本发明实施例二的一种SPI类型的NAND Flash的接口示意图。如图3所示，该SPI类型的NAND Flash中包括:电源接口 VCC，接地接口 VSS，芯片使能接P CE#，时钟接口 SCLK，4 个输入输出接口 SI/S100、S0/S101、WP#/S102 和 H0LD#/S103。其中，电源接口 VCC为通过将图2所示的复用电源接口 VCC封装为外部引脚得到的，接地接口VSS为通过将图2所示的复用接地接口 VSS封装为外部引脚得到的，芯片使能接口 CE#为通过将图2所示的复用芯片使能接口 CE#封装为外部引脚得到的，时钟接口 SCLK为通过将图2所示的复用控制接口 SCLK/RE#封装为外部引脚得到的，4个输入输出接口 SI/S100、SO/S101、WP#/S102和H0LD#/S103分别为通过将图2所示的4个复用输入输出接口 100?103封装为外部引脚得到的。
[0052]如果要将该Flash芯片封装为8输入输出的ONFI类型的NAND Flash,则不仅需要使用其中的全部复用接口，还需要使用其中的全部专用接口(由于专用接口中包括4个专用输入输出接口，因此Flash芯片中的输入输出接口共有8个，需全部使用)，可实现8输入输出的ONFI类型的NAND Flash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口和全部专用接口封装为外部引脚，并将Flash芯片的控制位设置为ONFI类型，从而得到封装后8输入输出的ONFI类型的NAND Flash。也即，若图2所示的Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NAND Flash，则所述复用接口及所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。
[0053]参照图4，示出了本发明实施例二的一种8输入输出的ONFI类型的NAND Flash的接口示意图。如图4所示，该8输入输出的ONFI类型的NAND Flash中包括:电源接口 VCC，接地接口 VSS，芯片使能接口 CE#，读使能接口 RE#，写使能接口 WE#，地址锁存使能接口 ALE，命令锁存使能接口 CLE，写保护接口 WP#，状态标识接口 R/B#，8个输入输出接口 100?107。其中，电源接口 VCC为通过将图2所示的复用电源接口 VCC封装为外部引脚得到的，接地接口 VSS为通过将图2所示的复用接地接口 VSS封装为外部引脚得到的，芯片使能接口 CE#为通过将图2所示的复用芯片使能接口 CE#封装为外部引脚得到的，读使能接口 RE#为通过将图2所示的复用控制接口 SCLK/RE#封装为外部引脚得到的，4个输入输出接口 100?103分别为通过将图2所示的4个复用输入输出接口 100?103封装为外部引脚得到的；写使能接口 WE#为通过将图2所示的专用写使能接口 WE#封装为外部引脚得到的，地址锁存使能接口 ALE为通过将图2所示的专用地址锁存使能接口 ALE封装为外部引脚得到的，命令锁存使能接口 CLE为通过将图2所示的专用命令锁存使能接口 CLE封装为外部引脚得到的，写保护接口 WP#为通过将图2所示的专用写保护接口 WP#封装为外部引脚得到的，状态标识接口 R/B#为通过将图2所示的专用状态标识接口 R/B#封装为外部引脚得到的，剩余4个输入输出接口 104?107为通过将图2所示的4个专用输入输出接口 104?107封装为外部引脚得到的。
[0054]实施例三
[0055]参照图5，示出了本发明实施例三的一种Flash芯片的接口示意图。如图5所示，本发明实施例中的Flash芯片可以包括复用电源接口 VCC、复用接地接口 VSS、复用芯片使能接口 CE#、复用控制接口 SCLK/RE#、4个复用输入输出接口 10?103、专用写使能接口WE#、专用地址锁存使能接口 ALE、专用命令锁存使能接口 CLE、专用写保护接口 WP#、专用状态标识接口 R/B#和12个专用输入输出接口 104?1015。
[0056]其中，复用电源接口 VCC、复用接地接口 VSS、复用芯片使能接口 CE#、复用控制接口 SCLK/RE#、4个复用输入输出接口 100?103、专用写使能接口 WE#、专用地址锁存使能接口 ALE、专用命令锁存使能接口 CLE、专用写保护接口 WP#和专用状态标识接口 R/B#，与上述实施例二中图2所示的接口基本相似，具体参照上述针对图2的相关描述即可，本发明实施例在此不再详细论述。剩余12个专用输入输出接口 104?1015为对应于ONFI类型的NAND Flash中设定的输入输出接口(104?1015)的专用接口。
[0057]图5所示的Flash芯片中，专用接口中包括12个专用输入输出接口 104?107，则针对该种情况，通过采用不同的封装方式，该Flash芯片可以被封装为SPI类型的NANDFlash，或者可以被封装为8输入输出的ONFI类型的NAND Flash，或者可以被封装为16输入输出的ONFI类型的NAND Flash。
[0058]如果要将该Flash芯片封装为SPI类型的NAND Flash，则具体过程与上述实施例二中的过程基本相似，封装后的SPI类型的NAND Flash与图3基本相似，具体参照上述实施例二的相关描述即可，本发明实施例在此不再详细论述。
[0059]如果要将该Flash芯片封装为8输入输出的ONFI类型的NAND Flash,则不仅需要使用其中的全部复用接口，还需要使用其中的专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他4个专用接口(由于专用接口中包括12个专用输入输出接口，因此仅需使用其中的4个即可，需要说明的是，专用输入输出接口有严格的排序，在选取时并非随机选取4个，而是按顺序从第I个专用输入输出接口开始选取4个，也即选取104?107)，可实现8输入输出的ONFI类型的NAND Flash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口和专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他专用接口封装为外部引脚，将上述设定的8个专用输入输出接口置为悬浮状态悬浮，并将Flas