专利名称：堆栈式凸块结构及其制作方法
堆栈式凸块结构及其制作方法
技术领域：
本发明有关于一种凸块结构及其制作方法，尤其是关于一种堆栈式 凸块结构及其制作方法。背景技术：
在半导体产业中，集成电路(integrated circuits, IC)的生产主要 可分为三个阶段集成电路设计(IC design)、集成电路的制作(IC process)及集成电^各的封装(IC package )。在集成电路的制作中，芯片(chip)是经由晶圆(wafer)制作、形 成集成电路以及切割晶圓(wafer sawing)等步骤而完成。晶圆具有一 主动面(active surface ), 其泛指晶圆的具有主动组件(active device ) 的表面。当晶圆内部的集成电路完成之后，晶圓的主动面更配置有多个 焊垫(bonding pad),以使最终由晶圓切割所形成的芯片可经由焊垫而 向外电性连接于一承载器(carrier )。承载器例如为一导线架(leadframe ) 或一封装载板(package substrate )。芯片可以打线接合(wire bonding ) 或覆晶接合(flip chip bonding )的方式连接至承载器上，使得芯片的焊 垫可电性连接于承载器的接点，以构成一芯片封装体。就打线接合技术而言，除了使得芯片的焊垫电性连接于承载器的接 点外，也可依照设计需求而使得芯片的两焊垫经由打线导线(bonding wire )而彼此电性连接，此即为托脚针脚式接合(stand-off stitch bonding, SSB)。请参考图1,其显示了一种现有的芯片焊垫采用托脚针脚式接合的 示意图。该现有的芯片100具有多个焊垫110，这些焊垫110配置于芯
片100的一表面120上。由图1可知，芯片100上的两相邻焊垫110是 藉由托脚针脚式接合而彼此电性连接。然而，若两相邻焊垫110的间距 dl过小时，那么电性连接两相邻焊垫110的打线导线Wl会因为空间的 限制而弯曲过大，如此将导致打线导线Wl产生缺陷，使得原本应该电 性连接的两相邻焊垫110其电性连接性能不佳甚至产生断路，进而降低 芯片100的制作良率。
发明内容本发明的目的是提供一种堆栈式凸块结构的制作方法，以提高焊垫 之间电性连接的可靠度(interconnection reliability )及其电性表现 (electrical performance ), 且可增加组件的封装密度(packaging density )。本发明的另一目的是提供一种堆栈式凸块结构，适用于一基板，此 基板上具有多个焊垫，藉由一形成于两相邻焊垫之间的凸块使这两个焊 垫电性连接，以降低基板的厚度。为实现上述目的，本发明提出一种堆栈式凸块结构的制作方法，其 包括下述步骤。首先，提供一基板，基板之一表面上配置有多个焊垫。 接着，于基板上的任两相邻之一第一焊垫与一第二焊垫上分别形成一第 一凸块与一第二凸块。之后，于第一凸块与第二凸块之间形成一第三凸 块，以藉由第三凸块使两相邻的焊垫电性连接。该制作方法还包括利用打线技术接合另 一第三焊垫与该第三凸块 之间，使该第三焊垫与该第 一 焊垫及该第二焊垫电性连接。为实现上述目的，本发明提出一种堆栈式凸块结构，适用于一基板 上，该基板的表面上具有多个焊垫，该凸块结构包括一第一凸块与一第 二凸块，分别配置于该基板的任两相邻焊垫上；以及一第三凸块，堆栈 于该第一凸块与该第二凸块之间，以藉由该第三凸块使两相邻的焊垫电
性连接。该堆栈式凸块结构还包括一第四凸块，配置于该基板之另 一焊垫上；以及一打线导线，该打线导线的两端分别连接于该第三凸块与该第 四凸块。上述第一凸块、第二凸块与第三凸块均为一钉状凸块，且第一凸块、 第二凸块与第三凸块的材料为金，而焊垫为铝垫。线接合技术于基板上的两相邻焊垫间形成一凸块，使得这两个焊垫可透 过此凸块而彼此电性连接，如此，不仅可提高焊垫之间电性连接的可靠 度(interconnection reliability )及其电小生表玉见(electrical performance )， 且可增加组件的封装密度(packaging density )及降低基板的厚度。此外， 本发明的堆栈式凸块结构的制作方法可应用于多个焊垫之间的电性连 接，使得多个焊垫藉由多个凸块与打线导线而彼此电性连接，且打线导 线的弯曲度不会过大，因此这些焊垫的电性连接性能较佳。为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施 例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1为现有的一种芯片的焊垫采用托脚针脚式接合的示意图。 图2A至图2D为本发明一实施例的一种堆栈式凸块结构的制作方 法的示意图。图3A至图3C为以打线接合技术形成图2B的第一凸块的示意图。 图4A与4B为本发明另一实施例的在基板的焊垫上形成第一凸块、 第二凸块及第三凸块，之后再利用打线接合技术形成一打线导线，使第 一凸块、第二凸块与第三凸块透过此打线导线而彼此电性连接的制作流 程示意图。
图5为本发明又一实施例的一种堆栈式凸块结构的示意图。
具体实施方式图2A至图2D为本发明一实施例的一种堆栈式凸块结构的制作方 法的示意图。本实施例的堆栈式凸块结构的制作方法包括下述步骤。首 先，请参考图2A,提供一基板200 (例如为一芯片)，基板200的一表 面210上配置有多数个焊垫222、 224、 226 (可为铝垫)，且这些焊垫 222、 224、 226可具有相同的电性。接着，请参考图2B,于基板200上的任两相邻焊垫222、 224上分 别形成一第一凸块Bl与--第二凸块B2。在本实施例中，此相邻两焊垫 222、 224间的间距d2可、、于70微米(pm);此外，第一凸块B1与第 二凸块B2的材质可为金，且第一凸块Bl与第二凸块B2例如藉由打线 4妻合4支术、电镀(electroplating)或其它方式而形成。在此，对于以打线接合技术形成第一凸块Bl与第二凸块B2的制作 过程作进一步说明。图3A至图3C为以打线接合技术形成图2B的第一 凸块的示意图。首先，请参考图3A,细导线W2的一端于打线器M的 钢嘴Ml之前形成一球状物B。若细导线W2的材质为金，则球状物B 为金球。接着，请参考图3A与图3B，打线器M以加压的方式将球状 物B压焊于焊垫222上。然后，请参考图3C,打线器M的钢嘴M1快 速切离细导线W2,以形成第一凸块Bl于焊垫222上。在此必须说明的 是，由于打线器M的钢嘴Ml的切离动作，所以第一凸块B1通常会形 成钉状凸块；换言之，第一凸块Bl的外型可为类似钉子的形状而具有 一头状部H与一颈缩部N。此外，第二凸块B2的制作过程与外型则通 常同于上述第一凸块Bl的制作过程与外型，故此处不再赘述。在形成如图2B所示的第一凸块Bl与第二凸块B2之后，请参考图 2C，再利用打线接合技术于第一凸块Bl与第二凸块B2之间形成一第
三凸块B3 (其材质可为金)，以藉由第三凸块B3使两相邻的焊垫222、 224电性连接。本实施例中，第三凸块B3亦可为一钉状凸块。值得注 意的是，本实施例中，由于第一凸块B1、第二凸块B2与第三凸块B3 的材质皆可为金，第一凸块Bl与第三凸块B3之间，以及第二凸块B2 与第三凸块B3之间为金-金共晶接合，因此，此堆栈式凸块结构S具有 较佳的电性表现。经由上述图2A至图2C的步骤之后， 一种基本的堆栈式凸块结构S 即可完成。而在完成上述基本的堆栈式凸块结构S之后，本发明更可利 用下列方式使第一凸块Bl及第二凸块B2与其它焊垫上的凸块电性连 接。图2D为在基板的焊垫上形成第四凸块，之后再利用打线接合技术 形成一打线导线，使第一凸块、第二凸块与第四凸块透过此打线导线而 彼此电性连接的制作流程示意图。请参考图2D，首先，于另一焊垫226 上形成一第四凸块B4。第四凸块B4的制作过程与外型通常与第一凸块 Bl的制作过程及其外型相同，故此处不再赘述。然后，利用打线接合 技术于第三凸块B3与第四凸块B4之间形成一打线导线W3，以藉由打 线导线W3使另一焊垫226与上述两相邻的焊垫222、 224电性连接。 在此必须说明的是，第四凸块B4若是藉由打线接合技术而形成，那么 可以在形成第四凸块B4之后以不切离细导线W2(见图3B与图3C)的 方式，将细导线W2沿着设计好的路径而拉焊至第三凸块B3以形成打 线导线W3后再加以切离。换言之，在依序形成第四凸块B4与打线导 线W3之后，细导线W2才会切离。经由上述图2D的步骤之后，堆栈式凸块结构S更包括第四凸块B4 以及电性连接第三凸块B3与第四凸块B4的打线导线W3。由图2D可 知，由于打线导线W3的弯曲度不会过大，因此打线导线W3不会产生 缺陷，进而维持这些焊垫222、 224、 226之间的电性连接的性能。
图4A与4B绘示本发明另 一实施例之在基板的焊垫上形成第一凸 块、第二凸块及第三凸块，之后再利用打线接合技术形成一打线导线， 使第一凸块、第二凸块与第三凸块透过此打线导线而彼此电性连接的制 作流程示意图。本实施例与上述实施例的主要不同处在于，本实施例的 某些制程步骤顺序有作改变。请参考图4A,在相当于图2A的步骤之后，亦即提供一基板300之 后，在基板300的任两相邻焊垫322、 324上分别形成一第一凸块Bl， 与一第二凸块B2，。接着，于另一焊垫326上形成第三凸块B3'。然后， 请参考图4B,利用打线接合技术于第一凸块Bl，与第二凸块B2，之间形 成一第四凸块B4，以及一连接第三凸块B3，与第四凸块B4，的打线导线 W3',以藉由打线导线W3，使另一焊垫326与上述两相邻的焊垫322、 324电性连接。请参考图5，其为本发明又一实施例的一种堆栈式凸块结构的示意 图。另一实施例的堆栈式凸块结构S，包括九个凸块B5与一打线导线 W4。堆栈式凸块结构S (见图2D)与堆栈式凸块结构S，的不同之处在 于，堆栈式凸块结构S，的五个焊垫420经由这些凸块B5与打线导线 W4而彼此电性连接。值得注意的是，堆栈式凸块结构S与S，只是用以 举例，其焊垫之间的电性连接关系可依照设计需求而改变凸块与打线导 线的数量与连接方式，以达到所欲设计的电性连接性能。优点一、 由于本发明可使相邻焊垫上的凸块与相邻焊垫间的凸块之间为 共晶接合，因此可提高焊垫之间电性连接的可靠度及其电性表现。二、 由于本发明可使多个相邻焊垫藉由多个凸块而彼此电性连接， 因此可增加组件的封装密度及降低基板的厚度。三、 由于本发明可使得多个焊垫藉由多个凸块与打线导线而彼此电
性连接，且打线导线的弯曲度不会过大，因此这些焊垫的电性连接性能较佳。虽然本发明以前述的实施例揭露如上，但其仅为说明本发明的原理 及功效，而非用以限制本发明。在不脱离本发明的精神和范围内，本领 域的普通技术人员可以对本发明进行各种改动。倘若对本发明的修改属 于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些 改动在内。
权利要求
1.一种堆栈式凸块结构的制作方法，首先提供一基板，该基板的一表面上配置有多个焊垫；其特征在于，该制作方法还包括于该基板上的任两相邻之一第一焊垫与一第二焊垫上分别形成一第一凸块与一第二凸块；以及于该第一凸块与该第二凸块之间形成一第三凸块，以藉由该第三凸块使两相邻的焊垫电性连接。
2. 如权利要求1所述的堆栈式凸块结构的制作方法，其特征在于 该制作方法更包括下列步骤利用打线技术接合另一第三焊垫与该第三凸块之间，使该第三焊垫 与该第 一 焊垫及该第二焊垫电性连接。
3. 如权利要求1或2所述的堆栈式凸块结构的制作方法，其特征在 于该第一凸块、该第二凸块与该第三凸块为一钉状凸块，且藉由打线 接合技术形成。
4. 一种堆栈式凸块结构的制作方法，首先提供一基板，该基板的一 表面上配置有多个焊垫；其特征在于，该制作方法还包括于该基板上的任两相邻之一第一焊垫与一第二焊垫上分别形成一第一凸块与一第二凸块；以及于该基板上的另一第三焊垫形成一第三凸块；以及 利用打线技术接合该第三凸块与第一凸块及一第二凸块之间，使该第三焊垫与该第 一 焊垫及该第二焊垫电性连接。
5. 如权利要求4所述的堆栈式凸块结构的制作方法，其特征在于 该第一凸块、该第二凸块与该第三凸块为一钉状凸块，且藉由打线接合 技术形成。
6. —种堆栈式凸块结构，适用于一基板上，该基板的表面上具有多 个焊垫，其特征在于该凸块结构包括 一第一凸块与一第二凸块，分别配置于该基板的任两相邻焊垫上；以及一第三凸块，堆栈于该第一凸块与该第二凸块之间，以藉由该第三 凸块使两相邻的焊垫电性连接。
7. 如权利要求6所述的堆栈式凸块结构，其特征在于该堆栈式凸 块结构更包括一第四凸块，配置于该基板之另一焊垫上；以及一打线导线，该打线导线的两端分别连接于该第三凸块与该第四凸块。
8. 如权利要求6或7所述的堆栈式凸块结构，其特征在于该第一 凸块、该第二凸块与该第三凸块为一钉状凸块。
9. 如权利要求6或7所述的堆栈式凸块结构，其特征在于该基板 任两相邻焊垫的间距小于70微米。
10. 如权利要求6或7所述的堆栈式凸块结构，其特征在于该第一 凸块、该第二凸块与该第三凸块的材料为金，而该焊垫为铝垫。
全文摘要
本发明提供一种堆栈式凸块结构及其制作方法。该制作方法为首先，提供一基板，基板之一表面上配置有多数个焊垫；接着，于基板上的任两相邻之一第一焊垫与一第二焊垫上分别形成一第一凸块与一第二凸块；之后，于第一凸块与第二凸块之间形成一第三凸块，以藉由第三凸块使两相邻的焊垫电性连接。
文档编号H01L21/60GK101131975SQ200610126109
公开日2008年2月27日 申请日期2006年8月22日 优先权日2006年8月22日
发明者洪志明 申请人:日月光半导体制造股份有限公司