绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法

专利名称：：绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法
技术领域：
：本发明涉及被加工成所希望的形状的绝缘膜的制造方法。本发明还涉及将该绝缘膜使用于层间的半导体器件的制造方法。
背景技术：
：对设置在半导体元件或布线之间的绝缘膜来说，为了对在该绝缘膜上形成的各种膜均匀地进行光刻或蚀刻，或者为了提高在绝缘膜的台阶上的各种膜的覆盖性，重要的不仅是介电常数低，并且在该绝缘膜表面具有平坦性。从表面的平坦性的角度来看，涂布法(SOD:SpinOnDeposition)比CVD法可以容易地形成更高质量的绝缘膜。尤其是使用硅氧烷树脂且通过涂布法形成的绝缘膜不仅具有高平坦性，而且具有低介电常数和良好的耐热性的特性，因此作为集成电路的绝缘膜被广泛使用。硅氧烷树脂相当于以硅氧烷类材料为原材料而形成的包含Si-O-Si鍵(bond)的树脂。硅氧烷树脂具有高耐药品性，因此在加工(构图)成所希望的形状时不合适湿蚀刻，利用干蚀刻的加工是主流。在专利文献l(日本专利>5^开Hei7-133350号公报)中记载有利用干蚀刻的硅氧烷树脂的构图。近年来，就通过分子设计对原来是非感光性的硅氧烷树脂赋予感光性的技术进行研究。由于具有感光性的硅氧烷树脂的出现，可以通过光刻法来构图硅氧烷树脂。在专利文献2(日本专利公开2007-17481号公报)中记载有具有感光性的硅氧烷树脂。
发明内容但是通过干蚀刻对由硅氧烷树脂构成的绝缘膜进行构图时，其截面的锥形角容易过大。当锥形角大时，会产生如下问题在由硅氧烷得极薄或被截断等。、-'',、尤其是发光元件之一的OLED(OrganicLightEmittingDiode:有机发光二极管)是对绝缘膜的平坦性非常严的元件。一般而言，发光元件具有一对电极、设置在该电极之间的包含场致发光材料的层(下面，记为场致发光层)，该场致发光材料可以获得通过施加电场而发生的发光(Electroluminescence)。若绝缘膜不确保十分高的平坦性，即会发生如下问题在该绝缘膜上形成的发光元件的电极中产生凹凸不平，进而在该电极上形成的场致发光层的一部分变得极薄，或该场致发光层产生断开等。场致发光层的极薄的部分会促进场致发光材料的退化，因此成为降低发光元件的可靠性的原因之一。另外，由于在该场致发光层发生断开的部分中一对电极短路，因此发光元件不发光、或从短路部分的附近促进场致发光材料的退化。这些问题都成为降低发光元件的可靠性的原因之一。此外也有如下问题，就是当对由硅氧烷树脂形成的绝缘膜进行千蚀刻而构图时，由于进行干蚀刻时发生的等离子体，在由硅氧烷树脂形成的绝缘膜的表面上容易生成OH基。当OH基增加时绝缘膜的吸湿性增高，因此在绝缘膜中的水分影响到半导体元件的可靠性。尤其是上述的发光元件使用的场致发光材料由于水分促进退化，因此在绝缘膜中的吸湿性的大小是左右半导体器件的可靠性的重要问题。另一方，当使用具有感光性的硅氧烷树脂时，通过光刻法而进行构图，因而可以避免在干蚀刻时发生的上述问题。但是，具有感光性的硅氧烷树脂为了适用于各种各样的用途还在开发中的阶段，因此在市场上未普及廉价的产品。鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种绝缘膜的制造方法，该绝缘膜可以使用以往被使用的非感光性的硅氧烷树脂，通过湿蚀刻法形成为所希望的形状。另外，本发明的目的还在于提供使用了上述制造方法的半导体器件的制造方法。本发明人发现不是在用硅氧坑树脂形成绝缘膜之后，而是在用硅氧烷树脂形成绝缘膜的过程中，可以进行使用有机溶媒的湿蚀刻。在本发明中，在焙烧包含硅氧烷树脂或者硅氧烷类材料的薄膜而完成作为绝缘膜的前阶段中，用有机溶媒对该薄膜进行湿蚀刻。所述硅氧烷类材料是硅氧烷树脂的前驱体。具体而言，在本发明中，在形成硅氧烷树脂的绝缘膜的过程中，进行至少两次的加热处理。在该两次加热处理之间进行利用有机溶媒的湿蚀刻。用包含硅氧烷树脂或硅氧烷树脂的前驱体的硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜之后进行第一次加热处理(bake:焙烧)。通过该焙烧，在该薄膜中的硅氧烷类材料被凝胶化，或者在该薄膜中包含的有机溶媒的一部分挥发，因此该薄膜被固化到可以进行湿蚀刻的程度.然后通过焙烧而固化了的薄膜通过用有机溶媒的湿蚀刻被加工成所希望的形状。在湿蚀刻之后进行第二次加热处理(cure:固化).通过进行固化，聚合在该薄膜中凝胶化了的硅氧烷类材料，或者进一步挥发包含在该薄膜中的有机溶媒，因此可以形成具有所希望的图案的硅氧烷树脂的绝缘膜。在上述蚀刻中被使用的有机溶媒优选为如丁醇、丙醇等碳数为3至5的中级醇。通过把上述醇作为蚀刻剂而使用，在对通过固化了的薄膜进行湿蚀刻时，可以确保适于蚀刻的蚀刻速度和对于掩模的高选择比。此外，通过把上述有机溶媒作为蚀刻剂而使用，与使用无机材料如氢氟酸等的蚀刻剂的情况不同，可以抑制设在绝缘膜的下层的布线、电极等的导电膜的表面上产生粗糙，并且可以降低处理上的危险度。焙烧的处理温度设定为可以进行选择性的湿蚀刻的程度，即可以使具有硅氧烷树脂或者硅氧烷类材料的薄膜固化的温度范围。具体而言，设定为高于可以确保所希望的蚀刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜的悬浊液中的有机溶媒的沸点。此外，固化的处理温度设定为可以使包含在薄膜中的硅氧烷类材料聚合，或者促进挥发包含在薄膜中的有机溶媒的温度范围。具体而言，固化的温度设定为高于包含在用于形成薄膜的悬浊液中的有机溶媒的沸点。另外，当选择性地进行湿蚀刻时使用的掩模既可以通过光刻法来形成，也可以通过液滴喷射法或印刷法而形成。液滴喷射法意味着从细孔喷出或喷射包含规定构成物的液滴来形成预定图形的方法，喷墨法等包括在其范畴内。在本发明的绝缘膜的制造方法中，可以使用湿蚀刻，因此可以抑制在构图形成的绝缘膜的端部上的锥形角，而可以形成平坦性更良好的绝缘膜。并且，在本发明的绝缘膜的制造方法中，不发生如下问题，即如干蚀刻那样由于OH基增加，而使绝缘膜的吸湿性增高。此外，因为可以用以往的非感光性的硅氧烷树脂形成绝缘膜，这样可以使用廉价的原材料。此外，在使用上述绝缘膜的制造方法的本发明的半导体器件的制造方法中，通过将绝缘膜的端部的锥形角抑制为较小，可以防止在绝断。因此;以提高半导体器件的成品率/可靠性。此外，在具^发光元件的半导体器件的情况下，通过使绝缘膜的端部的锥形角为小，可以防止场致发光层的一部分变得极薄或发生断开。因此，可以不仅仅提高发光元件的可靠性，而且提高具有该发光元件的半导体器件的可靠性。此外，在使用上述绝缘膜的制造方法的本发明的半导体器件的制造方法中，不发生如下问题，即如干蚀刻那样由于OH基增加，而使绝缘膜的吸湿性增高，因此可以防止在绝缘膜中的水分不仅给半导体元件的可靠性，而且给半导体器件的可靠性带来负面影响。并且在具有发光元件的半导体器件的情况下，通过抑制在绝缘膜中的吸湿性可以抑制发光元件的退化，因此可以提高半导体器件的可靠性。此外，在使用上述绝缘膜的制造方法的本发明的半导体器件的制造方法中，因为可以用以往的非感光性的硅氧烷树脂形成绝缘膜，所以可以使用廉价的原材料，这样可以抑制制造半导体器件时所需要的成本。图1A至1C是表示本发明的绝缘膜的制造方法的图；图2A至2C是表示本发明的绝缘膜的制造方法的图；图3A至3C是表示本发明的绝缘膜的制造方法的图；图4A至4C是表示本发明的绝缘膜的制造方法的图；图5A至5C是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图6A和6B是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图7A和7B是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图8A和8B是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图9是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图IOA至IOC是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图11A至11C是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图12A至12C是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图13A至13C是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图14A和14B是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图15A和15B是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图16A和16B是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图17A至17C是表示本发明的半导体器件的制造方法的图；图18A至18C是使用本发明所制造的半导体器件的截面图；图19A至19C是使用本发明所制造的半导体器件的截面图。附图标记说明100衬底；101薄膜；102薄膜；103掩模；104薄膜；105绝缘膜；106端部；200衬底；201薄膜；202抗蚀剂层；203掩模；204薄膜；205薄膜；206绝缘膜；207端部；300衬底；301绝缘膜；302島状半导体膜；304顶栅型晶体管；305顶栅型晶体管；306栅极绝缘膜；307导电膜；309绝缘膜；310绝缘膜；311绝缘膜；312导电膜；315导电膜；316导电膜；317阳极；318薄膜；319抗蚀剂层；320掩模；321薄膜；322薄膜；323绝缘膜;324场致发光层；325阴极；326发光元件；500半导体衬底；501晶体管；502晶体管；503绝缘膜；504元件分离绝缘膜；505p阱；506栅极绝缘膜；507导电膜；508杂质区；509杂质区；510导电膜；700衬底；701绝缘膜；702剥离层；703绝缘膜；704半导体膜；705半导体膜；706半导体膜；709栅极绝缘膜；710电极；711低浓度杂质区；712掩模；713p型高浓度杂质区；714栅极绝缘膜；715侧壁；716掩模；717n型高浓度杂质区；718n沟道型晶体管；719p沟道型晶体管；722绝缘膜；723薄膜；724抗蚀剂层；725掩模；726薄膜；727薄膜；728绝缘膜；729导电膜；730导电膜；732导电膜；734绝缘膜；735导电膜；740保护层；741第一薄膜材料；742元件形成层；743各向异性导电膜；744第二薄膜材料；745天线；6001晶体管；6003发光元件；6004第一电极；6005场致发光层；6006第二电极；6007绝缘膜；6008隔壁；6011晶体管；6013发光元件；6014第一电极；6015场致发光层；6016第二电极；6017绝缘膜；6018隔壁；6021晶体管；6023发光元件；6024第一电极；6025场致发光层；6026第二电极；6027绝缘膜；6028隔壁；6031晶体管；6033发光元件；6034第一电极；6035场致发光层；6036第二电极；6037绝缘膜；6038隔壁；6041晶体管；6043发光元件；6044第一电极；6045场致发光层；6046第二电极；6047绝缘膜；6048隔壁；6051晶体管；6053发光元件；6054电极；6055场致发光层；6056第二电极；6057绝缘膜；6058隔壁。具体实施例方式下面，参照本发明的实施方式及实施例。但是，本发明可以通过多种不同的方式来实施，所属
技术领域：
的普通人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在本发明的实施方式及实施例所记栽的内容中。实施方式1在本实施方式中，使用图l和图2对使用光刻法的本发明的绝缘膜的制造方法进行说明。首先，如图1A所示那样，通过将悬浊液涂布在衬底200上形成薄膜201,在该悬浊液中分散有硅氧烷树脂或硅氧烷树脂的前驱体的硅氧烷类材料。硅氧烷树脂是通过将硅(Si)和氣(O)结合而构成骨架结构的材料。作为取代基，除了氢之外，还可以具有氟、氟基团、有机基(如烃基、芳香烃)中的至少一种。悬浊液的溶媒优选为可以分散硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的有机溶媒，例如可以使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、3-曱氧基-3-曱基-l-丁醇(MMB)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本实施方式中使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-曱氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。可以通过旋涂法，即在衬底200上滴下悬浊液之后，使衬底200高速旋转来进行悬浊液涂布。此外不限于旋涂法，也可以使用狭缝涂布法、浸渍涂布法等进行悬浊液涂布。另外，虽然图1A例示在衬底200上直接形成薄膜201的情况，但是本发明不局限于该结构。也可以在村底200上形成绝缘膜以及包含布线或电极的导电膜等的各种膜之后，形成具有硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的薄膜201。其次，对薄膜201进行称为预烤(prebaking)的加热处理，使薄膜201固化。在本实施方式中，通过进行预烤，可以提高通过光刻法形成掩模之后的工序的工作效率。预烤的温度优选设定为高于可以使薄膜201固化到容易被处理的程度，并且低于在薄膜201中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在90至100'C、30至60秒的条件下进行预烤。其次，为了提高薄膜201和抗蚀剂的密接性，将薄膜201置于显影液中。然后，如图1B所示，使用抗蚀剂在薄膜201上形成抗蚀剂层202。在本实施方式中，作为抗蚀剂使用酚醛清漆树脂。然后对抗蚀剂层202施加110至120°C、30至90秒的加热处理(预烤抗蚀剂)。通过上述加热处理，在表面形成难溶解层来使抗蚀剂层202固化，从而可以提高工作效率。接着通过对抗蚀剂层202进行膝光、显影，部分地去除抗蚀剂层202。其结果，如图1C所示，形成选择性地被设置在薄膜201上的掩模203。接着如图2A所示那样，进行称为焙烧的加热处理，使薄膜201进一步固化。在图2A中，将焙烧之后的薄膜201图示为薄膜204。在此，在表l中示出按焙烧的条件和蚀刻剂的种类，对薄膜及抗蚀剂的蚀刻速度(nm/min)进行调查的结果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>※单位门m/s对任意一种样品都在衬底上涂布将硅氧烷树脂或硅氧烷类材料分散到有机溶媒中的悬浊液来形成薄膜之后，在温度90t:,时间90秒的条件下进行预烤，使该薄膜固化到容易被处理的程度。其次，按照各个温度条件对该样品进行焙烧之后进行湿蚀刻，或者不进行焙烧在刚进行预烤之后立即在室温下进行湿蚀刻。所使用的硅氧烷树脂或硅氧烷类材料是TORAY有限公司制造的PSB-K31,在溶媒的3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)中以15至25wt。/。的比例包含之。进而，将上述硅氧烷类材料分散到丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)。作为抗蚀剂使用酚醛清漆树脂。作为蚀刻剂使用乙醇、OK73稀释剂(东京应化工业有限公司制造)、丙酮、2-丁醇。OK73稀释剂包含丙二醇曱醚(PGME)和丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)，并使其重量比为7:3。除了不进行焙烧的"没有加热处理"的样品之外，对所有的样品都进行0.5小时(h)的焙烧。焙烧的温度设定为130'C、135'C、140'C、150'C、160。C、180°C。如表l所示那样，在作为蚀刻剂使用乙醇、OK73稀释剂、丙酮的示例中，与焙烧的条件无关，薄膜的蚀刻速度都小于抗蚀剂的蚀刻速度。但是，在作为蚀刻剂使用2-丁醇的样品中，薄膜的蚀刻速度大于抗蚀剂的蚀刻速度。因此，根据表l所示的结果可知，在上述有机溶媒中，2-丁醇最合适于作为包含硅氧烷类材料的薄膜的蚀刻剂。此外，在作为蚀刻剂使用2-丁醇的样品中，当焙烧的条件为135'C、140°C、150°C、16(TC时，抗蚀剂的蚀刻速度成为负值。这是抗蚀剂膨润的缘故，因此可以看作在这些样品中没有进行抗蚀剂的蚀刻。在上述样品中，尤其是焙烧条件为135'C的样品的薄膜的蚀刻速度最高，焙烧的温度越高，薄膜的蚀刻速度越低。因此，仅注目于使用了2-丁醇作为蚀刻剂的样品，当焙烧的温度过高时，虽然可以确保能够形成图案的蚀刻速度差，但是薄膜的蚀刻速度过低，因此作为蚀刻的条件不合适。因此，焙烧的温度优选低于在悬浊液使用的有机溶媒的沸点。此外，焙烧的条件为130。C的样品和没有进行加热处理的样品的蚀刻速度成为正值。尤其是没有进行加热处理的样品的抗蚀剂的蚀刻速度较高，为2.284nm/s。还有，在用2-丁醇进行蚀刻的没有进行加热处理的示例中，由于薄膜的蚀刻速度过高，难以检测出正确值，所以可以估计实际上以超过100nm/s的速度蚀刻薄膜。因此，仅注目于使用了2-丁醇作为蚀刻剂的样品，当焙烧的温度过低时，不仅仅抗蚀刑的蚀刻速度过高，而且薄膜的蚀刻速度也过高。当蚀刻速度过高时，不能确保从进行湿蚀刻到冲洗蚀刻剂最低限度需要的、在器件之间的衬底的移动时间，因此作为蚀刻条件不合适。因此，与薄膜的膜厚度无关，焙烧温度优选设定为蚀刻时间为30秒以上地使薄膜固化的温度。或者，通过将焙烧的温度下限设定为比溶媒的沸点低70。C,可以使薄膜固化且确保所希望的蚀刻速度。因此，当在如下情况下考虑到薄膜的蚀刻速度的高低及抗蚀剂和薄膜的蚀刻速度的差异时，可以估计焙烧的处理温度优选大约为100至170'C,该情况是作为使硅氧烷树脂或硅氧烷类材料分散的有机溶媒使用丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)及3-曱氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB),并且在之后的蚀刻工序中作为蚀刻剂使用2-丁醇。鉴于上述试验结果，在本实施方式中，在130至140。C，0.5至l小时的条件下进行焙烧。通过焙烧，可以防止掩模203由在之后的湿蚀刻中使用的有机溶媒腐蚀或溶解。其次，如图2B所示，作为蚀刻剂使用有机溶媒对薄膜204进行湿蚀刻。作为蚀刻剂使用的有机溶媒优选为如丁醇、丙醇等碳数为3至5的中级醇。通过使用上述醇作为蚀刻剂，在对通过固化的薄膜204进行湿蚀刻时，可以确保适于蚀刻的蚀刻速度和对于掩模203的高选择比。此外，通过使用上述有机溶媒作为蚀刻剂，与使用无机材料如氢氟酸等的蚀刻剂的情况不同，可以抑制设在薄膜204的下层的布线、电极等的导电膜的表面产生粗糙，并且可以降低处理上的危险度。在本实施方式中，作为蚀刻剂使用2-丁醇，以进行湿蚀刻。通过湿蚀刻，可以形成被加工成所希望的形状的薄膜205。其次，去除掩模203。作为使用于去除掩模203的剥离液，使用可以选择性地去除掩模203的剥离液。例如当使用酚醛清漆树脂形成掩模203时，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剥离液。接下来，如图2C所示那样，对薄膜205进行称为固化的加热处理。固化的处理温度设定为可以使包含在薄膜205中的硅氧烷类材料聚合、或者促进挥发包含在薄膜205中的有机溶媒的温度范围。具体而言，固化的温度设定为高于包含在用于形成薄膜201的悬浊液中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在300至350。C，l小时左右的条件下进行固化。通过固化，在薄膜205中硅氧烷类材料聚合，或者与焙烧相比，在该薄膜205中包含的有机溶媒进一步挥发，因此形成具有所希望的图案的硅氧烷树脂的绝缘膜206。通过上述制造方法，可以抑制绝缘膜206的端部的锥形角，即可以使端部207的坡度变緩。在上述绝缘膜的制造方法中，不发生如干蚀刻那样的问题，就是由于OH基的增加，使绝缘膜的吸湿性增高。此外，用以往的非感光性的硅氧烷树脂形成绝缘膜，因此可以使用廉价的原材料。此外，在本实施方式的制造方法中，用于使薄膜固化的焙烧可以防止掩模203被有机溶媒腐蚀或溶解，换句话说，可以兼作提高掩模203的耐有机溶媒性的加热处理。本实施方式可以与其它实施方式适当地组合而实施。实施方式2在本实施方式中，使用图3和4，对本发明的绝缘膜的制造方法进行说明。首先，如图3A所示，与实施方式l同样，通过将悬浊液涂布在衬底100上形成薄膜101，在该悬浊液中分散有硅氧烷树脂或作为硅氧烷树脂的前驱体的硅氧烷类材料。硅氧烷树脂是通过将硅(Si)和氧(O)结合而构成骨架结构的材料。作为取代基，除了氢之外，还可以具有氟、氟基团、有机基(如烃基、芳香烃)中的至少一种。悬浊液的溶媒优选为可以分散硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的有机溶媒，例如可以使用丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-曱基-l-丁醇(MMB)、N-曱基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本实施方式中使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。通过旋涂法，即在衬底100上滴下悬浊液之后，使衬底100高速旋转来可以进行悬浊液涂布。此外不限于旋涂法，也可以使用狭缝涂布法、浸渍涂布法等进行悬浊液涂布。另外，虽然图3A例示在衬底100上直接形成薄膜101的情况，但是本发明不局限于该结构。也可以在衬底IOO上形成绝缘膜以及包含布线或电极的导电膜等的各种膜之后，形成具有硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的薄膜101。其次，在进行焙烧之前，也可以对薄膜IOI执行称为预烤的加热处理。预烤是为了提高工作效率进行的加热处理。例如，在用于以悬浊液形成薄膜101的装置和用于进行焙烧的装置分开存在的情况下，通过预烤使薄膜IOI固化，可以提高工作的效率。预烤的温度优选设定为高于可以使薄膜101固化到容易被处理的程度，并且低于在薄膜IOI中的有机溶媒的沸点。当作为有机溶媒使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)时，例如在90至100'C、30至60秒的条件下进行预烤即可。如图3B所示，进行称为焙烧的加热处理来固化薄膜101。在图3B中，将焙烧之后的薄膜IOI图示为薄膜102。焙烧的温度范围设定为使薄膜IOI固化且可以进行选择性的湿蚀刻的程度。具体而言，其温度范围优选设定为高于可以确保所希望的蚀刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜IOI的悬浊液中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在130至140'C,0.5至1小时的条件下进行焙烧。其次，如图3C所示，在通过焙烧形成的薄膜102上形成掩模103。掩模103既可以通过使用抗蚀剂的光刻法形成，又可以通过液滴喷射法或印刷法形成。另外，虽然在本实施方式中，在进行焙烧之后形成掩模103，但是本发明不局限于该结构。也可以在形成掩模103之后进行焙烧。此外，无论在使用光刻法的情况下、还是在使用液滴喷射法或印刷法的情况下，都在形成掩模的过程中进行一次或多次加热处理。本发明也可以使该加热处理中之一兼作焙烧。其次，如图4A所示，作为蚀刻剂使用有机溶媒对薄膜102进行湿蚀刻。作为蚀刻剂使用的有机溶媒优选为如丁醇、丙醇等碳数为3至5的中级醇。通过以上述醇为蚀刻剂而使用，在对由焙烧而固化的薄膜102进行湿蚀刻时，可以确保适于蚀刻的蚀刻速度和对于掩模的高选择比。此外，通过以上述有机溶媒为蚀刻剂而使用，与使用无机材料如氢氟酸等的蚀刻剂的情况不同，可以抑制设在薄膜102的下层的布线、电极等的导电膜的表面产生粗糙，并且可以降低处理上的危险度。在本实施方式中，作为蚀刻剂使用2-丁醇，以进行湿蚀刻。通过湿蚀刻，可以形成被加工成所希望的形状的薄膜104。其次，如图4B所示，去除掩模103。用于去除掩模103的剥离液，使用可以选择性地去除掩模103的剥离液。例如当使用酚醛清漆树脂形成掩模103时，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剥离液。接下来，如图4C所示，对薄膜104进行称为固化的加热处理。固化的处理温度设定为可以使包含在薄膜104中的硅氧烷类材料聚合、或者促进挥发包含在薄膜104中的有机溶媒的温度范围。具体而言，固化的温度设定为高于包含在用于形成薄膜IOI的悬浊液中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在300至350'C，l小时左右的条件下进行固化。通过固化，在薄膜104中硅氧烷类材料聚合、或者与焙烧相比在该薄膜104中包含的有机溶媒进一步挥发，因此形成具有所希望的图案的硅氧烷树脂的绝缘膜105。通过上述制造方法，可以抑制在绝缘膜105的端部上的锥形角，即可以使端部106的坡度变緩。在上述绝缘膜的制造方法中，不发生如干蚀刻那样的问题，就是由于OH基的增加，而使绝缘膜的吸湿性增高。此外，用以往的非感光性的硅氧烷树脂形成绝缘膜，因此可以使用廉价的原材料。实施方式3接下来，对本发明的半导体器件的具体的制造方法进行说明。另外在本实施方式中，以在同一衬底上制造发光元件和晶体管的情况为例进行说明。首先如图5A所示在村底300上形成绝缘膜301。对衬底300可以4吏用如钡硼珪酸盐玻璃(barium-borosilicateglass)、硼珪酸铝玻璃(alumino-borosilicateglass)等的玻璃衬底、石英衬底、陶乾衬底等，此外，也可以使用包含不锈钢衬底的金属衬底或在其表面上形成有绝缘膜的硅衬底。一般而言，与上述衬底相比，由具有柔性的塑料等合成树脂构成的衬底有其耐热温度较低的趋势，但是只要能够耐受制造工序中的处理温度即可以使用。通过布置绝缘膜301，可以防止在衬底300中包含的碱金属如Na等或碱土金属扩散到半导体膜中，而给晶体管等的半导体元件的特性造成不良影响。因此，使用可以抑制碱金属或碱土金属扩散到半导体膜中的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成绝缘膜301。在本实施方式中，通过等离子体CVD法形成膜厚度为10至400nm(优选为50至300nm)的氮氧化硅膜。另外，绝缘膜301即可以是单层也可以是层叠了多个绝缘膜的绝缘膜。此外，在使用多少含有碱金属或碱土金属的衬底如玻璃衬底、不锈钢衬底或塑料衬底的情况下，从防止杂质扩散的观点来看，在衬底和半导体膜之间设置绝缘膜是很有效的。但是，在使用石英衬底等杂质扩散并不成为重要问题的情况下，并不一定需要设置绝缘膜。接着在绝缘膜301上形成島状半导体膜302、303。烏状半导体膜302、303的膜厚度为25至100nm(优选为30至60nm)。此外，乌状半导体膜302、303既可以为非晶半导体，又可以为多晶半导体。另外该半导体除了使用硅以外还可使用硅锗。在使用硅锗的情况下，锗浓度优选大约为0.01至4.5atomic%。在使用多晶半导体的情况下，首先形成非晶半导体，通过使用已知的晶化方法使非晶半导体晶化即可。作为已知的晶化方法有如下方法通过使用加热器加热进行晶化的方法；通过照射激光束进行晶化的方法；通过使用催化金属进行晶化的方法；通过使用红外光进行晶化的方法。例如，当使用激光技术进行晶化时，使用脉冲振荡型或者连续振荡型的受激准分子激光器、YAG激光器、YV04激光器等即可。例如，当使用YAG激光器时，优选使用容易被半导体膜吸收的二次谐波的波长。然后振荡频率为30至300kHz、能量密度为300至600mJ/cm2(典型为350至500mJ/em2)，并且将扫描速度设定为可以对任意的地点可以分别进行几次照射。其次，使用该岛状半导体膜302、303形成晶体管。另外，在本实施方式中，如图5B所示，使用島状半导体膜302、303形成顶栅型晶体管304、305，但是晶体管不局限于顶栅型，例如也可以为底栅型。具体而言，形成栅极绝缘膜306以便覆盖岛状半导体膜302、303。然后，在栅极绝缘膜306上形成被加工(构图)成所希望的形状的导电膜307、308。然后，使用导电膜307、308或者对抗蚀剂进行成膜后构图的抗蚀剂作为掩模，并且对岛状半导体膜302、303添加赋予n型或p型的杂质，而形成作为源区、漏区、以及LDD区而发挥功能的杂质区等。另外在此，将晶体管304设为n型、将晶体管305设为p型。另外，对栅极绝缘膜306可以使用如氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅等，此外其形成方法可以使用等离子体CVD法、溅射法等。例如，当通过等离子体CVD法形成使用氧化硅的栅极绝缘膜时，使用TEOS(TetraethylOrthosilicate:原硅酸四乙酯)和02的混合气体，并且反应压力设为40Pa、衬底温度设为300至400'C、高频率(13.56MHz)电力密度i殳为0.5至0.8W/cm2，而形成。此外，作为栅极绝缘膜306可以使用氮化铝。氮化铝的导热率较高，并且可以有效发散在晶体管中产生的热。此外，也可以使用在形成不包含铝的氧化硅和氧氮化硅等之后，层叠了氮化铝的层作为栅极绝缘膜。通过上述一系列的工序，可以形成n沟道型晶体管304、控制供给到发光元件的电流的p沟道型晶体管305。另外，晶体管的制造方法不局限于上述工序。也可以通过液滴喷射法制造被加工成所希望的形状的导电膜。另外，在本实施方式中，以薄膜晶体管为例子进行说明，但是本发明不局限于该结构。除了薄膜晶体管之外，还可以采用通过使用单晶硅形成的晶体管、通过使用SOI形成的晶体管等。此外，既可以为使用有机半导体的晶体管，又可以为使用碳纳米管的晶体管。其次，形成绝缘膜309以便覆盖晶体管304、305。绝缘膜309可以使用含有硅的氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等的绝缘膜，并且其厚度大约为100至200nm。其次，为了使掺杂到乌状半导体膜302、303的杂质元素激活，进行热处理。该工序可以使用用退火炉的热退火法、激光退火法、或快速热退火法(RTA法)。例如，当通过热退火法进行激活时，在400至700。C(优选为500'C至600。C)的温度下，在氮浓度为lppm以下，优选为O.lppm以下的氮气气氛中进行。进而，在含氢3至100%的气氛中，在300。C至450'C的温度下进一步进行热处理1至12小时，从而进行島状半导体膜的氢化。进行该工序的目的是为了使用热激发的氢终止半导体薄膜中的悬挂键(danglingbond)。作为氬化的另一种方法，也可以采用等离子体氢化(使用由等离子体激发的氢)。此外，也可以在形成绝缘层309之前进行激活。其次，如图5C所示，形成绝缘膜310和绝缘膜311以便覆盖绝缘膜309。作为绝缘膜310，可以使用含有有机树脂膜、无机绝缘膜、硅氧烷树脂的绝缘膜等。在本实施方式中，使用聚酰亚胺形成绝缘膜。光元件的退化的原因的物质的膜。典型地使用通过RF溅射法形成的氮化硅膜，但也可以使用类金刚石碳(DLC)膜、氮化铝膜等。其次，对绝缘膜309、绝缘膜310、及绝缘膜311进行蚀刻，形成开口部分。接着，形成与岛状半导体膜302、303连接的导电膜312至315。其次，形成具有透光性的导电膜316以便覆盖绝缘膜311及导电膜312至315。在本实施方式中，通过溅射法使用含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)形成导电膜316。另外，导电膜316还可以使用除了ITSO之外的透光性氧化导电材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)等。当使用ITSO时，作为靶子可以使用含有2至10重量％的氧化硅的ITO。具体而言，在本实施方式中，使用含有ln203、Sn02、Si02的质量百分比为85:10:5的靶子，且在如下条件下形成膜厚度为105nm的导电膜316:Ar的流量为50sccm;02的流量为3sccm;濺射压力为0.4Pa;溅射电力为lkW;成膜速度为30nm/min;。也可以在形成导电膜316之后，为了使其表面平坦化，使用CMP法或通过聚乙烯醇类的多孔质体的清洗等进行研磨。其次，如图6A所示那样，对导电膜316进行构图，以形成连接到导电膜315的阳极317。然后，形成具有硅氧烷树脂或者作为硅氧烷树脂的前驱体的硅氧烷类材料的薄膜318以便覆盖绝缘膜311、导电膜312至315、阳极317。薄膜318可形成为将悬浊液涂布在绝缘膜311上以覆盖导电膜312至315、阳极317，在该悬浊液中分散有硅氧烷树脂或硅氧烷类材料。悬浊液的溶媒优选为可以分散硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的有机溶媒，例如可以使用丙二醇曱醚醋酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本实施方式中使用丙二醇甲酸醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。悬浊液的涂布可以通过在绝缘膜311上滴下悬浊液之后，使衬底300高速旋转的旋涂法来进行。此外不限于旋涂法，也可以使用狭缝涂布法、浸渍涂布法等进行悬浊液涂布。其次，对薄膜318进行称为预烤的加热处理，使薄膜318固化。在本实施方式中，通过进行预烤，可以提高通过光刻法形成掩模之后的工序的工作效率。预烤的温度优选设定为高于可以使薄膜318固化到容易被处理的程度，并且低于在薄膜318中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在90至100。C、30至60秒的条件下进行预烤。其次，为了提高薄膜318和抗蚀剂的密接性，将薄膜318置于显影液中。再者，如图6B所示，使用抗蚀剂在薄膜318上形成抗蚀剂层319。在本实施方式中，作为抗蚀剂使用酚醛清漆树脂。然后对抗蚀剂层319施加110至120'C、30至卯秒的加热处理(预烤抗蚀剂)。通过上述加热处理，在表面形成难溶解层来使抗蚀剂层319固化，从而可以提高工作效率。接着通过对抗蚀剂层319进行膝光、显影，部分地去除抗蚀剂层319。其结果，如图7A所示，形成选择性地被设置在薄膜318上的掩模320。如图7B所示，进行称为焙烧的加热处理，使薄膜318进一步固化。在图7B中，将焙烧之后的薄膜318图示为薄膜321。焙烧的温度范围设定为使薄膜318固化且可以进行选择性的湿蚀刻的程度。具体而言，其温度范围优选设定为高于可以确保所希望的蚀刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜318的悬浊液中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在130至140'C，0.5至1小时的条件下进行焙烧。通过焙烧，可以防止掩模320由在之后的湿蚀刻中使用的有机溶媒腐蚀或溶解。其次，如图8A所示，作为蚀刻剂使用有机溶媒对薄膜321进行湿蚀刻。作为蚀刻剂使用的有机溶媒优选为如丁醇、丙醇等碳数为3至5的中级醇。通过以上述醇为蚀刻剂而使用，在对由焙烧而固化的薄膜321进行湿蚀刻时，可以确保适于蚀刻的蚀刻速度和对于掩模320的高选择比。此外，通过以上述有机溶媒为蚀刻剂而使用，与使用无机材料如氢氟酸等的蚀刻剂的情况不同，可以抑制设在薄膜321的下层的布线、电极等的导电膜的表面产生粗糙，并且可以降低处理上的危险度。在本实施方式中，作为蚀刻剂使用2-丁醇，以进行湿蚀刻。通过湿蚀刻，可以形成被加工成所希望的形状的薄膜322。通过形成薄膜322，使阳极317净皮部分地露出。其次，去除掩模320。作为用于去除掩模320的剥离液，使用可以选择性地去除掩模320的剥离液。例如当使用酚醛清漆树脂形成掩模320时，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剥离液。接下来，如图8B所示，对薄膜322进行称为固化的加热处理。固化的处理温度设定为可以使包含在薄膜322中的硅氧烷类材料聚合，或者促进挥发包含在薄膜322中的有机溶媒的温度范围。具体而言，固化的温度设定为高于包含在用于形成薄膜318的悬浊液中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在300至350'C，l小时的条件下进行固化。通过固化，在薄膜322中硅氧烷类材料聚合，或者与焙烧相比，在该薄膜322中包含的有机溶媒进一步挥发，因此形成露出阳极317的开口部的由硅氧烷树脂构成的绝缘膜323。其次，在本发明中，在形成场致发光层324之前，为了去除吸附于绝缘膜323及阳极317的水分或氧等，在大气气氛下进行加热处理或者在真空气氛下进行加热处理(真空焙烧)。具体而言，衬底的温度为200至450'C，优选为250至300°C，并且0.5至20小时左右在真空气氛下进行加热处理。优选在4xl(T5Pa以下，若有可能，设为4xl(^Pa以下是最优选的。然后，当在真空气氛下进行加热处理之后形成场致发光层324时，通过直到形成场致发光层324前将该衬底设在真空气氛下，可以进一步提高可靠性。此外，也可以在真空焙烧之前或真空焙烧之后，对阳极317照射紫外线。接着如图9所示，在阳极317上形成场致发光层324。场致发光层324由单层或多层构成，并且在每个层中不仅仅包含有机材料，还可以包含无机材料。在场致发光层324中的发光包括从单激发态返回基态时所产生的光发射(荧光)和从三重激发态返回基态时所产生的光发射(磷光)。其次，形成阴极325以便覆盖场致发光层324。阴极325可以使用一般而言具有小功函数的金属、合金、导电性化合物、以及它们的混合物等。具体而言，除了碱金属如Li或Cs等；碱土金属如Mg、Ca、Sr等；以及包括这些金属的合金(如Mg:Ag或Al:Li等)以夕卜，还可以采用稀土金属如Yb或Er等来形成阴极325。而且，通过形成为把包含电子注入性高的材料的层与阴极325接触，可以使用如使用了铝或氧化物导电材料等的一般的导电膜。阳极317、场致发光层324、阴极325在绝缘膜323的开口部中彼此重叠，该重叠的部分相当于发光元件326。另外，形成发光元件326之后，也可以在阴极325上形成绝缘膜。与绝缘膜311同样，该绝缘膜使用与其他绝缘膜相比不容易透过水分或氧等成为促进发光元件的退化的原因的物质膜。典型地优选使用DLC膜、氮化碳膜、通过RF賊射法形成的氮化硅膜等。此外，也可地透过水分或氧^等的膜^而作^上述绝缘膜使用。一"另外，虽然在图9中示出来自发光元件326的所发射的光照射到衬底300—侧的结构，但是也可以采用光朝向与衬底300相反一侧的结构的发光元件。实际上，在到图9为止结束后，优选还使用具有高气密性的保护膜(贴合膜、紫外线固化树脂膜等)或具有透光性的覆盖组件封装(密封)该发光器件以使其不暴露于外气。此时，使覆盖组件的内部处于惰性气氛或将具有吸湿性的材料(例如，氧化钡)设置在覆盖组件中时，发光元件的可靠性提高。虽然在本实施方式中，以通过光刻法形成掩模320的情况作为一例进行了说明，但是本发明不局限于该结构。除了光刻法之外，还可以使用液滴喷射法、印刷法等形成掩模320。此外，虽然在本实施方式中与实施方式1同样，以形成掩模320之后对薄膜进行焙烧的情况作为一例进行了说明，但是本发明不局限于该结构。也可以如实施方式2那样，在形成掩模320之前进行薄膜的焙烧。在本发明中通过上述制造方法，可以抑制在绝缘膜323的端部上的锥形角，即可以使端部207的坡度变緩。通过上述结构，可以改善之后所形成的场致发光层324和阴极的覆盖率。通过改善场致发光层324的覆盖率，可以防止在场致发光层324中形成的孔中阳极317和阴极短路，并且可以减低所谓收缩的减少发光区域的不良，而提高可靠性。在上述半导体器件的制造方法中，不发生如下问题，即如干蚀刻那样由于OH基的增加，绝缘膜323的吸湿性增高。因此可以防止在绝缘膜中的水分不仅仅给半导体元件的可靠性，还给半导体器件的可靠性带来负面影响。另外，具有发光元件的半导体器件通过抑制在绝缘膜中的吸湿性，可以抑制使发光元件的退化，因此可以提高半导体器件的可靠性。此外，可以用以往的非光感性的硅氧烷树脂形成绝缘膜323。因此，可以抑制制造半导体器件的成本。此外，在本实施方式的制造方法中，为了使薄膜固化的焙烧可以防止掩模320被有机溶媒腐蚀或溶解，换言之，可以兼作为了提高掩膜320的耐有机溶媒型的加热处理。此外，在本实施方式中，通过本发明的制造方法形成作为发光元件326的隔壁而发挥功能的绝缘膜323，但是本发明不局限于该结构。隔壁以外的绝缘膜，如当绝缘膜310用硅氧垸树脂形成时，可以通过本发明的制造方法来形成绝缘膜310。此时，可以^^在绝缘膜310中形成的开口部的端部的坡度小。因此，可以防止在开口部的端部的导电膜312至315变得极薄或产生断开。本实施方式可以与其它实施方式适当地组合而实施。实施方式4接着，具体地说明本发明的半导体器件的制造方法。另外，虽然在本实施方式中示出了以晶体管作为半导体元件的一例，但本发明的半导体器件中所使用半导体元件不局限于此。例如，除了晶体管之外，还可以使用存储元件、二极管、电阻器、电容器、电感器等。首先，如图IOA所示，在具有耐热性的衬底700上按顺序形成绝缘膜701、剥离层702、绝缘膜703、以及半导体膜704。绝缘膜701、剥离层702、绝缘膜703、以及半导体膜704可以连续形成。作为衬底700，例如可以使用玻璃衬底如硼硅酸钡玻璃和硼硅酸铝玻璃等、石英衬底、陶资衬底等。此外，也可以使用包括不锈钢衬底的金属衬底或如硅衬底等半导体衬底。一般而言，与上述衬底相比，由具有柔性的塑料等合成树脂构成的衬底有其耐热温度较低的趋势，但是只要能够耐受制造工序中的处理温度即可以使用。作为塑料衬底，可以举出以聚对苯二曱酸乙二酯(PET)(polyethyleneterephthalate)为代表的聚酉旨(polyester)、聚醚砜(PES)(polyethersulfone)、聚萘二酸乙二酯(PEN)(polyethylenenaphthalate)、聚碳酸西旨(PC)(polycarbonate)、尼龙(nylon)、聚醚醚酮(PEEK)(polyetheretherketone)、聚砜(PSF)(polysulfone)、聚醚酰亚胺(PEI)(polyetherimide)、聚丙烯酸酯(PAR)(polyarylate)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)(polybutyleneterephthalate)、聚酰亚胺(polyimide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树月旨(anacrylonytrile-butadiene-styreneresin)、聚氯乙烯(polyvinylchloride)、聚丙烯(polypropylene)、聚乙酸乙烯西旨(polyvinylacetate)、丙烯酸树月旨(anacrylicresin)等。另外，在本实施方式中虽然在衬底700的整个表面上设置剥离层702,但本发明不局限于该结构。例如，也可以使用光刻法等在衬底700上部分形成剥离层702。绝缘膜701和绝缘膜703通过使用CVD法或溅射法等并且使用氧化硅、氮化硅(SiNx、Si3N4等)、氧氮化硅(SiOxNy)(x>y>0)、氮氧化硅(SiNxOy)(x>y>0)等的具有绝缘性的材料形成。设置绝缘膜701和绝缘膜703，以便防止包含在衬底700中的Na等的碱金属或碱土金属扩散到半导体膜704中而对晶体管等半导体元件的特性造成不良影响。另外，绝缘膜703还具有以下作用防止包含在剥离层702中的杂质元素扩散到半导体膜704中，并且在之后的剥离半导体元件的工序中保护半导体元件。绝缘膜701、绝缘膜703可以使用单层绝缘膜，也可以使用层叠多个绝缘膜。在本实施方式中，按顺序层叠100nm厚的氧氮化硅膜、50nm厚的氮氧化硅膜、lOOnm厚的氧氮化硅膜来形成绝缘膜703，但各个膜的材质、膜厚度、层叠个数不局限于此。例如，也可以通过旋转涂布法、狭缝式涂布机法、液滴喷射法、印刷法等形成0.5fim至3jim厚的硅氧烷树脂而代替下层的氧氮化硅膜。另外，也可以使用氮化硅膜(SiNx、Si3N4等)而代替中层的氮氧化硅膜。另外，也可以使用氧化硅膜而代替上层的氧氮化硅膜。另外，它们的膜厚度分别优选为0.05nm至3jim,从该范围内可以任意选择。或者，也可以使用氧氮化硅膜或氧化硅膜形成与剥离层702最接近的绝缘膜703的下层，使用硅氧烷类树脂形成中层，并且使用氧化硅膜形成上层。氧化硅膜可以使用硅烷和氧、TEOS(四乙氧基硅烷)和氧等混合气体并且通过热CVD、等离子体CVD、常压CVD、偏压ECRCVD等方法来形成。另外，氮化硅膜可以典型使用硅烷和氨的混合气体并且通过等离子体CVD来形成。另外，氧氮化硅膜和氮氧化硅膜可以典型使用硅烷和一氧化二氮的混合气体并且通过等离子体CVD来形成。剥离层702可以使用金属膜、金属氧化膜、以及层叠金属膜和金属氧化膜而形成的膜。金属膜和金属氧化膜可以是单层，也可以具有层叠有多层的叠层结构。另外，除了金属膜和金属氧化膜以外，还可以使用金属氮化物和金属氧氮化物。剥离层702可以通过溅射法或等离子体CVD法等的各种CVD法等来形成。作为用于剥离层702的金属，可以举出钨(W)、钼(Mo)、钬(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、把(Pd)、锇(Os)或铱(Ir)等。剥离层702除了由上述金属形成的膜以外，还可以使用由以上述金属为主要成分的合金形成的膜、或使用包含上述金属的化合物来形成的膜。另外，剥离层702既可以使用由硅(Si)单体形成的膜，又可以使用由以硅(Si)为主要成分的化合物形成的膜。或者，也可以使用由包含硅(Si)和上述金属的合金形成的膜。包含硅的膜可以具有非晶、微晶、多晶结构中的任一种结构。剥离层702可以使用单层的上述膜，也可以使用上述多个膜的叠层。层叠了金属膜和金属氧化膜的剥离层702可以通过在形成成为基本的金属膜之后使该金属膜的表面氧化或氮化来形成。具体而言，在氧气氛中或一氧化二氮气氛中对成为基本的金属膜进行等离子体处理、或者在氧气氛中或一氧化二氮气氛中对金属膜进行加热处理即可。另外，也可以通过在成为基本的金属膜上接触地形成氧化硅膜或氧氮化硅膜来进行金属膜的氧化。另外，可以通过在成为基本的金属膜上接触地形成氮氧化硅膜或氮化硅膜来进行氮化。作为进行金属膜的氧化或氮化的等离子体处理，可以进行如下等离子体处理，即等离子体密度为lxl()Ucm-s以上，优选为lxl0UcnT3至9xl0"cm^以下，并且使用微波(例如，频率为2.45GHz)等的高频波。另外，可以通过使成为基本的金属膜的表面氧化来形成层叠有金属膜和金属氧化膜的剥离层702，但是也可以在形成金属膜之后另行形成金属氧化膜。例如，在作为金属使用钨的情况下，在通过溅射法或CVD法等形成鴒膜作为成为基本的金属膜之后，对该钨膜进行等离子体处理。通过该工序，可以形成相当于金属膜的钨膜、以及与该金属膜接触且由鵠的氧化物形成的金属氧化膜。另外，钨的氧化物可以由WOx表示。X在2以上3以下的范围内，有如下情况X为2(WOj、X为2.5(W20s)、X为2.75(W-Ou)、以及X为3(W03)。当形成鵠的氧化物时，对x值没有特别的限制，而根据蚀刻速度等来设定X值即可。半导体膜704优选在形成绝缘膜703之后，以不露出于大气的方式形成。半导体膜704的厚度为20至200nm(优选为40至170nm，更优选为50至150nm)。另外，半导体膜704既可以是非晶半导体，又可以是多晶半导体。此外，作为半导体，除了硅以外，还可以使用硅锗。在使用硅锗的情况下，锗的浓度优选为0.01至4.5atomic%左右。另外，半导体膜704也可以通过众所周知的技术来结晶。作为众所周知的方法，有利用激光的激光晶化法、使用催化元素的晶化法。或者，也可以采用组合了使用催化元素的晶化法和激光晶化法的方法。另外，在使用石英等具有优越的耐热性的衬底作为衬底700的情况下，也可以采用使用电热炉的热晶化法、利用红外光的灯退火晶化法、或使用催化元素的晶化法、以及组合了950'C左右的高温退火的晶化法的方法。例如，在采用激光晶化法的情况下，在使激光晶化之前对半导体膜704以550'C进行4小时的加热处理，以便提高对激光的半导体膜704的耐性。之后，通过使用能够连续振荡的固体激光器照射基波的二次至四次谐波的激光，可以获得大晶粒尺寸的结晶。例如，典型地，最好使用Nd:YV04激光器(基波1064nm)的二次谐波(532nm)或三次谐波(355nm)。具体而言，由连续振荡型YV04激光器发射的激光由非线性光学元件转换为高次谐波以获得输出功率为10W的激光。优选地，通过使用光学系统在照射表面形成矩形或椭圆形的激光，并且将它照射到半导体膜704。在这种情况下，需要O.Ol至100MW/cii^左右(优选为0.1至10MW/cm"的能量密度。将扫描速度设定为10至2000cm/sec左右来照射。作为连续振荡的气体激光器，可以使用Ar激光器、Kr激光器等。另外，作为连续振荡的固体激光器，可以使用YAG激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、镁橄榄石(Mg2Si04)激光器、GdV04激光器、￥203激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、变石激光器、Ti:蓝宝石激光器等。另外，作为脉冲振荡的激光器，例如可以使用Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器、C02激光器、YAG激光器、￥203激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、变石激光器、Ti:蓝宝石激光器、铜蒸汽激光器、或金蒸汽激光器。另外，也可以通过使脉沖振荡的激光的振荡频率为10MHz以上，使用大大高于通常使用的几十至几百Hz的频带的频带，来进行激光晶化。一般认为从以脉沖振荡方式将激光照射到半导体膜704后直到半导体膜704完全固化的时间是几十至几百nsec。因此，通过使用上述频带，在半导体膜704由于激光从熔融到固化为止，可以照射下一个脉冲的激光。因此，由于可以在半导体膜704中连续移动固液界面，所以形成具有朝向扫描方向连续生长的晶粒的半导体膜704。具体而言，可以形成在被包含的晶粒的扫描方向上的宽度为10至30nm并且在垂直于扫描方向的方向上的宽度为1至5fim左右的晶粒的集合。通过形成沿着所述扫描方向连续生长的单晶晶粒，可以形成至少在晶体管的沟道方向上几乎不存在晶界的半导体膜704。另外，激光晶化既可以并行照射连续振荡的基波的激光和连续振荡的高次谐波的激光，又可以并行照射连续振荡的基波的激光和脉冲振荡的高次谐波的激光。另外，也可以在稀有气体或氮等惰性气体气氛中照射激光。由此，可以抑制由于激光照射而导致的半导体表面的粗糙度，并且可以抑制由于界面态密度的不均匀性而产生的阈值的不均匀。通过上述的激光照射来形成进一步提高了结晶性的半导体膜704，另外，也可以使用通过溅射法、等离子体CVD法、热CVD法等预先形成的多晶半导体作为半导体膜704。另外，虽然在本实施方式中使半导体膜704晶化，但也可以不使它晶化而使用非晶半导体膜或微晶半导体膜来直接进入后续的步骤。因为使用非晶半导体或微晶半导体的晶体管的制造工序少于使用多晶半导体的晶体管的制造工序，所以其具有可以抑制成本且提高成品率的优点。可以通过辉光放电分解包含硅的气体来获得非晶半导体。作为包含珪的气体，可以举出SiH4、Si2H6。也可以使用氢或氢及氦稀释上述包含硅的气体来使用。接着，对半导体膜704以低浓度添加赋予p型的杂质元素或赋予n型的杂质元素，来进行沟道掺杂工序。该沟道掺杂工序既可以对半导体膜704的整个面进行，又可以对半导体膜704的一部分选择性地进行。作为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等。作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。这里，使用硼(B)作为杂质元素，来进行添加以使半导体膜包含浓度为lxl0"/cm3至5xl0"/cm3的硼。接着，如图10B所示，将半导体膜704加工(构图)成预定的形状，以形成岛状半导体膜705至706。并且，形成栅极绝缘膜709以便覆盖岛状半导体膜705、706。栅极绝缘膜709可以通过使用等离子体CVD法或溅射法等以单层或层叠形成包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧氮化硅的膜来形成。在层叠他们的情况下，例如，优选具有从衬底700—侧层叠有氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的三层结构。栅极绝缘膜709也可以通过进行高密度等离子体处理使岛状半导体膜705、706的表面氧化或氮化来形成。高密度等离子体处理例如使用He、Ar、Kr、Xe等的稀有气体与氧、氧化氮、氨、氮、氢等的混合气体来进行。在此情况下，可以通过导入微波来进行等离子体的激发，而产生低电子温度且高密度的等离子体。通过由这种高密度的等离子体产生的氧基(也有包括OH基的情况)或氮基(也有包括NH基的情况)来使半导体膜的表面氧化或氮化，与半导体膜接触地形成1至20nm，典型为5至10nm的绝缘膜。该5至10nm的绝缘膜用作栅极绝缘膜709。上述的利用高密度等离子体处理的半导体膜的氧化或氮化以固相反应进行，从而可以使栅极绝缘膜和半导体膜之间的界面态密度极为低。另外通过利用高密度等离子体处理来直接使半导体膜氧化或氮化，可以抑制所形成的绝缘膜的厚度的不均勻性。另外，在半导体膜具有结晶性的情况下，通过利用高密度等离子体处理以固相反应使半导体膜的表面氧化，可以抑制仅在晶粒界面快速进行氧化，形成均匀性好且界面态密度低的栅极绝缘膜。在包含于栅极绝缘膜的一部分或整体利用高密度等离子体处理形成的绝缘膜而生成的晶体管可以抑制特性的不均匀性。接着，如图10C所示，通过在将导电膜形成在栅极绝缘膜709上之后将该导电膜加工(构图)成预定的形状，来在岛状半导体膜705、706的上方形成电极710。在本实施方式中，通过对层叠了的两个导电膜进行构图来形成电极710。导电膜可以使用钽(Ta)、鴒(W)、钬(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、铌(Nb)等。另外，也可以使用以上述金属为主要成分的合金，也可以使用包含上述金属的化合物。或者，也可以使用对半导体膜掺杂了赋予导电性的杂质元素如磷等而成的多晶硅等半导体来形成。在本实施方式中，使用氮化钽膜或钽(Ta)膜作为第一层导电膜，并且使用钨(W)膜作为第二层导电膜。作为两个导电膜的组合，除了本实施方式中示出的实例以外，还可以举出氮化钨膜和钨膜、氮化钼膜和钼膜、铝膜和钽膜、以及铝膜和钛膜等。由于鴒和氮化钽具有高耐热性，所以在形成两层导电膜之后的工序中可以进行目的在于热激活的加热处理。另外，作为两层导电膜的组合，例如也可以使用掺杂了赋予n型杂质的硅和镍硅化物、掺杂了赋予n型杂质的Si和WSix等。另外，虽然在本实施方式中由层叠了的两个导电膜形成电极710，但本实施方式不局限于该结构.电极710既可以由单层的导电膜形成，又可以通过层叠三层以上的导电膜来形成。在采用层叠三层以上的导电膜的三层结构的情况下，优选采用钼膜、铝膜和钼膜的叠层结构。作为形成导电膜的方法，可以使用CVD法、溅射法等。在本实施方式中，以20至100nm的厚度形成第一层导电膜，并且以100至400nm的厚度形成第二层导电膜。另夕卜，作为当形成电极710之际使用的掩模，也可以使用氧化硅、氧氮化硅等而代替抗蚀剂。在此情况下，虽然还加有进行构图来形成氧化硅、氧氮化硅等的掩模的工序，但由于当蚀刻时的掩模的膜厚度的减薄比抗蚀剂少，所以可以形成具有所需宽度的电极710。另外，也可以通过使用液滴喷射法选择性地形成电极710,而不使用掩模。接着，将电极710作为掩模对岛状半导体膜705、706以低浓度掺杂赋予n型的杂质元素(典型为P(磷)或As(砷))(第一摻杂工序)。第一掺杂工序的条件为剂量是lxl0"至lxl0"/cm3、加速电压是50至70keV，但不局限于此。借助于该第一掺杂工序，通过栅极绝缘膜709进行掺杂，在乌状半导体膜705、706中分别形成低浓度杂质区711。另外，也可以使用掩模覆盖成为p沟道型TFT的岛状半导体膜706后进行第一掺杂工序。接着，如图11A所示，形成掩模712以便覆盖成为n沟道型TFT的岛状半导体膜705。然后不仅使用掩模712,还使用电极710作为掩模，对岛状半导体膜706以高浓度掺杂赋予p型的杂质元素(典型为硼(B))(第二掺杂工序)。第二掺杂工序的条件为剂量是lxl019至lxl02G/cm3、加速电压是20至40keV。借助于该第二掺杂工序，通过栅极绝缘膜709进行掺杂，在岛状半导体膜706中形成p型高浓度杂质区713。接着，如图IIB所示，在通过灰化等去除掩模712之后形成绝缘膜以便覆盖栅极绝缘膜709及电极710。该绝缘膜通过等离子体CVD法或溅射法等以单层或叠层结构由硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、或含有有机树脂等有机材料的膜形成，在本实施方式中，通过等离子体CVD法形成100nm厚的氧化珪膜。之后，通过以垂直方向为主体的各向异性蚀刻部分地蚀刻栅极绝缘膜709及该绝缘膜。通过上述各向异性蚀刻，栅极绝缘膜709部分地被蚀刻，在烏状半导体膜705、706上部分地形成栅极绝缘膜714。另外，通过上迷各向异性蚀刻部分地蚀刻为了覆盖栅极绝缘膜709及电极710而形成了的绝缘膜，形成与电极710的侧面接触的侧壁715。侧壁715用作当形成LDD(轻掺杂漏)区时的掺杂用掩模。在本实施方式中，使用CHF3和He的混合气体作为蚀刻气体。另外，形成侧壁715的工序不局限于这些。接着，如图11C形成掩模716以便覆盖成为p沟道型晶体管的岛状半导体膜706。之后，不仅使用形成的掩模716，还使用电极710及侧壁715作为掩模，对島状半导体膜705以高浓度掺杂赋予n型的杂质元素(典型为P或As)(第三掺杂工序)。第三掺杂工序的条件为剂量是lxlO"至lxl02Q/cm3、加速电压是60至100keV。借助于该第三掺杂工序，在岛状半导体膜705中分别形成n型高浓度杂质区717。另外，侧壁715作为当之后掺杂高浓度的赋予n型的杂质且在侧壁715的下部形成低浓度杂质区或无掺杂的偏移区时的掩模而发挥功能。因此，为了控制低浓度杂质区或偏移区的宽度，适当地改变当形成侧壁715时的各向异性蚀刻的条件或用于形成侧壁715的绝缘膜的厚度来调节侧壁715的大小即可。另外，也可以在半导体膜706中，在侧壁715的下部形成低浓度杂质区或无掺杂的偏移区。接着，也可以在通过灰化等去除掩模716之后，进行利用杂质区的加热处理的激活。例如，在形成50nm的氧氮化硅膜之后，在氮气气氛中以55(TC进行4小时的加热处理即可。另外，也可以在形成厚度为100nm的包含氢的氮化硅膜后进行如下工序，即在氮气气氛中以410'C进行1小时的加热处理，来使乌状半导体膜705、706氢化。或者，也可以进行在包含氢的气氛中以30(TC至450。C进行1至12小时的加热处理，来使烏状半导体膜705、706氳化的工序，在加热处理中，可以使用热退火、激光退火法、或RTA法等。借助于加热处理，不仅进行氢化，而且也可以进行添加到半导体膜中的杂质元素的激活。另外，作为氢化的其他方法，也可以进行等离子体氢化(使用由等离子体激发的氢)。借助于该氢化工序，可以使用热激发的氢来使悬空键终结。借助于上述的一系列工序，形成n沟道型晶体管718、以及p沟道型晶体管719。另外，在本实施方式中，以薄膜晶体管为例子进行说明，但是本发明不局限于此结构。除了薄膜晶体管之外，还可以通过使用单晶硅形成的晶体管、通过使用SOI形成的晶体管等。此外，既可以为使用有机半导体的晶体管，又可以为使用碳纳米管的晶体管。其次，如图12A所示，形成为了保护晶体管718、719的绝缘膜722。虽然不一定要设置绝缘膜722，但是通过形成绝缘膜722,可以防止碱金属或碱土金属等杂质进入到晶体管718、719中。具体而言，作为绝缘膜722，优选使用氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅等。在本实施方式中，作为绝缘膜722使用膜厚度大约为600nm的氧氮化硅膜。在此情况下，也可以在形成该氧氮化硅膜形成之后进行上述氢化工序。其次，在绝缘膜722上形成具有硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的薄膜723以便覆盖晶体管718、719。通过覆盖晶体管718、719地在绝缘膜722上涂布悬浊液形成薄膜723,在该悬浊液中分散有硅氧烷树脂或硅氧烷类材料。悬浊液的溶媒优选为可以分散硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的有机溶媒，例如可以使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等。在本实施方式中使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)及3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇(MMB)。悬浊液涂布可以通过在绝缘膜722上滴下悬浊液之后，使村底700高速旋转的旋涂法来进行。此外不限于旋涂法，也可以使用狭缝涂布法、浸渍涂布法等进行悬浊液涂布，其次，对薄膜723进行称为预烤的加热处理，来固化薄膜723。在本实施方式中，通过进行预烤，可以提高通过光刻法形成掩模之后的工序的工作效率。预烤的温度优选设定为高于可以使薄膜723固化到容易被处理的程度，并且低于在薄膜723中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在90至10(TC、30至60秒的条件下进行预烤。其次，为了提高薄膜723和抗蚀剂的密接性，将薄膜723置于显影液。然后，如图12C所示，使用抗蚀剂在薄膜723上形成抗蚀剂层724。在本实施方式中，作为抗蚀剂使用酚醛清漆树脂。然后对抗蚀剂层724施加110至120°C、30至90秒的加热处理(预烤抗蚀剂)。通过上述加热处理，在表面形成难溶解层来使抗蚀剂层724固化，可以提高工作效率。接着通过对抗蚀剂层724进行膝光、显影，抗蚀剂层724被部分地去除。其结果，如图13A所示，形成在薄膜723上被选择性地布置的掩模725。如图13B所示，进行称为焙烧的加热处理，使薄膜723进一步固化。在图13B中，将焙烧之后的薄膜723图示为薄膜726。焙烧的温度范围设定为使薄膜723固化且可以进行选择性的湿蚀刻的程度。具体而言，其温度范围优选设定为高于可以确保所希望的蚀刻速度的程度，并且低于包含在用于形成薄膜723的悬浊液中的有机溶媒的沸点，在本实施方式中，在130至140'C，0.5至lh的条件下进行焙烧。通过焙烧，可以防止掩模725由在之后的湿蚀刻中使用的有机溶媒腐蚀或溶解。其次，如图13C所示，作为蚀刻剂使用有机溶媒对薄膜726进行湿蚀刻。作为蚀刻剂使用的有机溶媒优选为如丁醇、丙醇等碳数为3至5的中级醇。通过以上述醇为蚀刻剂而使用，在对由焙烧而固化的薄膜726进行湿蚀刻时，可以确保适于蚀刻的蚀刻速度和对于725掩模的高选择比。此外，通过把上述有机溶媒用作蚀刻剂，与使用无机材料如氢氟酸等的蚀刻剂的情况不同，可以抑制设在薄膜726的下层的布线、电极等的导电膜的表面产生粗糙，并且可以降低处理上的危险度。在本实施方式中，作为蚀刻剂使用2-丁醇，以进行湿蚀刻。通过湿蚀刻，可以形成被加工成所希望的形状的薄膜727。通过形成薄膜727，绝缘膜722被部分地露出。其次，去除掩模725。作为使用于去除掩模725的剥离液，使用可以选择性地去除掩模725的剥离液。例如当使用酴醛清漆树脂形成掩模725时，可以使用包含2-氨基乙醇和乙二醇的剥离液。接下来，如图14A所示，对薄膜727进行称为固化的加热处理。固化的处理温度设定为可以使包含在薄膜727中的硅氧烷类材料聚合，或者促进挥发包含在薄膜723中的有机溶媒的温度范围。具体而言，固化的温度设定为高于包含在用于形成薄膜723的悬浊液中的有机溶媒的沸点。在本实施方式中，在300至350。C，l小时左右的条件下进行固化。通过固化，在薄膜727中硅氧烷类材料聚合，或者与焙烧相比，在该薄膜727中包含的有机溶媒进一步挥发，因此形成具有露出绝缘膜722的开口部的由硅氧烷树脂构成的绝缘膜728。其次，如图14B所示，在绝缘膜728的开口部中，在绝缘膜722上形成开口部，以便使岛状半导体膜705、706的一部分分别露出。在本实施方式中，通过对绝缘膜722进行干蚀刻，形成开口部。当在绝缘膜722中形成开口部时，用掩模覆盖绝缘膜728。虽然千蚀刻可以使用CHF3和He的混合气体，但是本发明不局限于此。另外，当不设置绝缘膜722时，不必要上述干蚀刻的工序。然后，如图15A所示，在绝缘膜722及绝缘膜728的开口部中，形成导电膜729、与岛状半导体膜705、706接触的导电膜730至733。导电膜729至733可以通过CVD法或溅射法等而形成。具体而言，作为导电膜729至733可以使用铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锰(Mn)、钕(Nd)、碳(C)、硅(Si)等。此外，既可以使用以上述金属为主要成分的合金，又可以使用包含上述金属的化合物。导电膜729至733可以以使用上述金属的膜的单层结构或叠层结构而形成。作为以铝为主要成分的合金的实例，可以举出以铝为主要成分且包含镍的合金。另外，也可以举出以铝为主要成分且包含镍以及碳和硅的一方或双方的合金作为实例。铝和铝硅的电阻值很低且其价格低廉，所以作为形成导电膜729至733的材料最合适。尤其是，与铝膜相比，铝硅膜当对导电膜729至733进行构图时，可以防止在抗蚀剂焙烧中产生的小丘。另外，也可以在铝膜中混入0.5重量％左右的Cu而代替硅(Si)。导电膜729至733例如可以采用阻挡膜、铝硅膜和阻挡膜的叠层结构；阻挡膜、铝硅膜、氮化钛膜和阻挡膜的叠层结构。另外，阻挡膜是如使用钛、钛的氮化物、钼、或钼的氮化物等来形成的膜。若中间夹着铝硅膜来形成阻挡膜，则可以进一步防止产生铝或铝硅的小丘。另外，若使用具有高还原性的元素的钛来形成阻挡膜，即使在岛状半导体膜705、706上形成有薄的氧化膜，包含在阻挡膜中的钛也还原该氧化膜，导电膜730至733和島状半导体膜705、706可以良好地接触。另外，也可以层叠多个阻挡膜来使用。在此情况下，例如，可以使导电膜729至733具有从下层按顺序层叠有钛、氮化钛、铝硅、钛、氮化钛的五层结构。另外，导电膜730、731连接到n沟道型晶体管718的高浓度杂质区717,导电膜732、733连接到p沟道型晶体管719的高浓度杂质区713。其次，形成绝缘膜734以便覆盖导电膜729至733，之后在该绝缘膜734上形成开口部，以便使导电膜729的一部分露出。然后，在该开口部中，与导电膜729接触地形成导电膜735。如果是可以使用于导电膜729至733的材料，也可以作为导电膜735的材料而使用。绝缘膜734可以使用有机树脂膜、无机绝缘膜或硅氧烷绝缘膜来形成。当采用有机树脂膜时，例如可以使用丙烯酸、环氧、聚酰亚胺、聚耽胺、聚乙烯基苯酚、苯并环丁烯等。当采用无机绝缘膜时，可以使用氧化硅、氣氮化硅、氮氧化硅、以DLC(类金刚石碳)为代表的含碳的膜等。此外，可以通过液滴喷射法或印刷法形成由光刻法形成开口部时使用的掩模。另外，绝缘膜734可以根据其材料而通过CVD法、溅射法、液滴喷射法或印刷法等形成。另外，当形成绝缘膜734时也可以使用本发明的制造方法。在此情况下，可以使用参照图12B至14A所说明的绝缘膜728的制造方法。其次，如图15B所示，在绝缘膜734上形成保护层740以便覆盖导电膜735。对保护层740使用之后以剥离层702为分界且剥离衬底700时可以保护绝缘膜734、导电膜735的材料。例如，可以将可溶于水或乙醇之类的环氧基、丙烯酸酯基、硅基的树脂涂布在整个面上，来形成保护层740。在本实施方式中，通过旋涂法将水溶性树脂(TOAGOSEI制造VL-WSHL10)涂布30pm厚，为了临时硬化将该树脂啄光2分钟之后，通过从背面照射紫外线2.5分钟；从表面照射紫外线IO分钟，总共12.5分钟进行啄光来正式硬化，来形成保护层740。另外，当层叠多个有机树脂时，由于所使用的溶媒，当涂布或焙烧时有机树脂之间会部分溶解或互相密接性变得太高。因此，当作为绝缘膜734和保护层740都使用对同一溶媒可容的有机树脂时，优选覆盖绝缘膜734地形成无机绝缘膜(氮化硅膜、氮氧化硅膜、AlNx膜、或者AlNxOy膜)，以便在之后的工序中，顺利进行保护层740的去除。其次，从衬底700剥离从绝缘膜703到形成在绝缘膜734上的导电膜735的包含以晶体管为代表的半导体元件或各种导电膜的层(以下称为"元件形成层742")和保护层740。在本实施方式中，将第一薄膜材料741贴合在保护层740，并且利用物理力量从衬底700剥离元件形成层742和保护层740。剥离层702也可以是不被整体去除而留下一部分的状态。另外，上述剥离也可以通过利用剥离层702的蚀刻的方法来进行。在此情况下，露出剥离层702的一部分地形成槽。该槽通过切割、划线、利用含有UV光的激光的加工、光刻法等来形成。槽只要具有露出剥离层702的深度即可。并且，使用氟化卣作为蚀刻气体，从槽导入该气体。在本实施方式中，例如使用C1F3(三氟化氯)，在以下条件下进行温度为350°C、流量为300sccm、气压为800Pa、时间为3h。另外，也可以使用在C1F3中混合了氮的气体。通过使用C1F3等氟化卣，可以选择性地蚀刻剥离层702,并且从元件形成层742剥离衬底700。另外，氟化卣可以是气体也可以是液体。接着，如图16A所示，在将第二薄膜材料744贴合在通过上述剥离露出了的元件形成层742的表面上。然后，从第一薄膜材料741剥离元件形成层742及保护层740之后，去除保护层740。作为第二薄膜材料744可以使用玻璃衬底如硼硅酸钡玻璃和硼硅酸铝玻璃等、有机材料如柔性纸或塑料等。此外，作为第二薄膜材料744,也可以使用柔性无机材料。作为塑料衬底可以使用由具有极性基的聚降冰片烯(polynorbornene)构成的ARTON(JSR公司制造)。此外，可以举出以聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为代表的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酰亚胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸乙烯酯、丙烯酸树脂等。另外，在将对应于多个半导体器件的半导体元件形成在衬底700上的情况下，针对每个半导体器件来分断元件形成层742。可以使用激光照射装置、切割装置、划线装置等来分断。其次，如图16B所示，使天线745和导电膜735电连接。可以通过4吏用各向异性导电膜(ACF;AnisotropicConductiveFilm)743使天线745和导电膜735压合，来使它们电连接。除了各向异性导电膜之外，还可以使用各向异性导电骨(ACP)等使天线745和导电膜735压合。另外，也可以使用导电粘合剂如银骨、铜骨或碳骨等；或者焊接来进行连接。另外，在本实施方式中，对形成半导体元件之后，另外准备的天线745电连接到半导体元件的一例进行了说明，但是本发明不局限于该结构。也可以将天线形成在与半导体元件同一衬底上。在此情况下，可以形成用作天线的导电膜735以使其一部分与导电膜735接触。用作天线的导电膜可以使用银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钯(Pd)、铬(Cr)、拍(Pt)、钼(Mo)、钬(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铝(Al)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、锡(Sn)、镍(Ni)等金属来形成。作为天线而发挥功能的导电膜，除了使用由上述金属形成的膜之外，还可以使用由以上述金属为主要成分的合金形成的膜或使用包含上述金属的化合物形成的膜。作为天线而发挥功能的导电膜可以以单层使用上述的膜，也可以层叠使用上述多个膜。作为天线而发挥功能的导电膜可以通过使用CVD法、溅射法、印刷法如丝网印刷或胶版印刷等、液滴喷射法、滴落法、涂镀法、光刻法、气相沉积法等来形成。例如，在采用丝网印刷法的情况下，可以通过在绝缘膜734上选择性地印刷导电骨，形成作为天线而发挥功能的导电膜，所述导电骨是通过将粒径为几nm至几十nm的具有导电性的粒子(导电体粒子)分散在有机树脂中而成的。导电体粒子可以使用银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、镍(M)、柏(Pt)、把(Pd)、钽(Ta)、钼(Mo)、锡(Sn)、铅(Pb)、锌(Zn)、铬(Cr)、或钛(Ti)等来形成。导电体粒子除了由上述金属形成以外，还可以由以上述金属为主要成分的合金形成或使用包含上述金属的化合物来形成。另外，也可以使用离化银的微粒子或分散纳米粒子。另外，可以使用聚酰亚胺、硅氣烷类树脂、环氧树脂、硅树脂等作为包含在导电骨中的有机树脂。作为上述金属的合金的一例，可以举出以下组合银(Ag)和把(Pd)、银(Ag)和柏(Pt)、金(Au)和賴(Pt)、金(Au)和钯(Pd)、银(Ag)和铜(Cu)。另外，例如也可以使用通过由银(Ag)涂布铜(Cu)而获得的导电体粒子等。另外，当形成用作天线的导电膜时，优选在通过印刷法或液滴喷射法在挤出导电貪之后进行焙烧，例如，在采用以银为主要成分的导电体粒子(例如粒径为lnm以上至100nm以下)作为导电骨的情况下，可以通过以150t至300。C的温度范围进行焙烧而形成作为天线而发挥功能的导电膜。焙烧可以通过使用红外光灯、氙灯、卣灯等的灯退火来进行，也可以通过使用电炉的炉内退火来进行。另外，也可以通过使用受激准分子激光器、Nd:YAG激光器的激光退火法来进行。另外，也可以使用以焊料或无铅焊料为主要成分的微粒子，在此情况下，优选使用粒径为20fim以下的微粒子。焊料和无铅焊料具有低成本的优点。另外，在本实施方式中，示出从衬底700剥离元件形成层742而利用的一例，但是也可以不设置剥离层702且在衬底700上形成上述的元件形成层742，来作为半导体器件而利用。此外，虽然在本实施方式中，对具有天线的半导体器件的制造方法进行了说明，但是本发明不局限于该结构。使用本发明的制造方法制造的半导体器件不一定需要具有天线。虽然在本实施方式中，以通过光刻法形成掩模725的情况作为一例进行了说明，但是本发明不局限于该结构。除了光刻法之外，还可以使用液滴喷射法、印刷法等形成掩模725。此外，虽然在本实施方式中与实施方式1同样，以形成掩模725之后对薄膜进行焙烧的情况作为一例进行了说明，但是本发明不局限于该结构。也可以如实施方式2那样，在形成掩模725之前进行薄膜的焙烧。在本实施方式中，可以使在绝缘膜728中形成的开口部的端部的坡度小。由此，可以防止在开口部的端部的导电膜730至733变得极薄或产生断开，并且可以提高半导体器件的可靠性。此外，虽然在本实施方式中，通过本发明的制造方法形成绝缘膜728,但是本发明不局限于该结构。既可以通过本发明的制造方法形成绝缘膜728和绝缘膜734，又可以通过本发明的制造方法仅形成绝缘膜728和绝缘膜734中的绝缘膜734。在通过本发明的制造方法形成绝缘膜734的情况下，可以防止在开口部的端部的导电膜735变极薄或产生断开。在上述半导体器件的制造方法中，不发生如下问题，即如千蚀刻那样由于OH基的增加，绝缘膜728的吸湿性增高。因此可以防止在绝缘膜728中的水分不仅仅给晶体管718、719等半导体元件的可靠性，还给半导体器件的可靠性带来负面影响。此外，可以用以往的非光感性的硅氧烷树脂形成绝缘膜728。因此，可以抑制制造半导体器件的成本。此外，在本实施方式的制造方法中，为了使薄膜固化的焙烧可以防止掩模725被有机溶媒腐蚀或溶解，换言之，可以兼作为了提高掩膜725的耐有机溶媒性的加热处理。本实施方式可以与其它实施方式适当地组合而实施。实施例1在本实施例中，对在单晶衬底上形成了的半导体元件上形成绝缘膜的本发明的制造方法进行说明。另外，虽然在本实施例中，以作为半导体元件使用晶体管的情况作为一例进行说明，但是在单晶衬底上形成的半导体元件不局限于晶体管。首先，如图17A所示，形成绝缘膜503以便覆盖在半导体衬底500上形成的晶体管501及晶体管502。作为半导体衬底500,例如可以使用具有n型或p型导电类型的单晶珪衬底、化合物半导体衬底(GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC村底、蓝宝石衬底、ZnSe衬底等)、以及使用贴合法或SIMOX(注入氧隔离)法来制造的SOI(绝缘体上硅片)衬底等。晶体管501和晶体管502都由元件分离绝缘膜504进行电分离。作为元件分离绝缘膜504的形成方法，可以使用选择氧化法(LOCOS)或深沟分离法等。此外，在半导体衬底500中形成有p阱505，在该p阱505上形成晶体管502。另外，在本实施例中示出了使用具有n型导电类型的单晶硅衬底作为半导体衬底500，并且在该半导体衬底500中形成p阱505的实例。形成在半导体衬底500中的p阱505可以通过将赋予p型导电类型的杂质元素选择性地引入到半导体衬底500中来形成。作为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等。另外，在本实施例中，因为使用具有n型导电类型的半导体衬底作为半导体衬底500，所以形成晶体管501的区域中没形成n阱。但是，也可以通过引入赋予n型的杂质元素来在形成晶体管501的区域中形成n阱。作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)和砷(As)等。此外，当使用具有p型导电类型的半导体衬底作为半导体衬底500时，将赋予n型导电类型的杂质元素选择性地引入到该半导体衬底中来形成n阱，然后可以在n阱中形成晶体管501。晶体管501及晶体管502具有栅极绝缘膜506。在本实施例中，将使半导体衬底500热氧化而形成的氧化硅膜用作栅极绝缘膜506。另外，也可以通过热氧化形成氧化硅膜之后进行氮化处理，使氧化硅膜的表面氮化来形成氧氮化硅膜，并且将层叠有氧化硅膜和氧氮化硅膜的层用作绝缘膜506。另外，也可以不采用热氧化处理，而采用等离子体处理形成栅极绝缘膜506。例如，通过利用高密度等离子体处理使半导体衬底500的表面氧化或氮化，可以形成用作栅极绝缘膜506的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜。此外，晶体管501及晶体管502在栅极绝缘膜506上具有导电膜507。在本实施例中，示出了使用按顺序层叠了的两层导电膜作为导电膜507的实例。作为导电膜507，可以使用单层导电膜，也可以使用层叠有三层以上的导电膜的结构。作为导电膜507，可以使用钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、铌(Nb)等。另外，作为导电膜507，除了使用由上述金属形成的膜以外，还可以使用由以上述金属为主要成分的合金形成的膜或使用包含上述金属的化合物来形成的膜。或者，也可以使用对半导体膜掺杂赋予导电性的杂质元素如磷等而成的多晶硅等半导体来形成。在本实施例中，导电膜507具有层叠使用氮化钽的导电膜和使用鴒的导电膜的结构。此外，晶体管501在半导体衬底500中具有作为源区或漏区而发挥功能的一对杂质区509。一对杂质区509之间相当于晶体管501的沟道形成区。作为杂质元素，使用赋予n型的杂质元素或赋予p型的杂质元素。作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(A1)、镓(Ga)等。在本实施例中，使用硼(B)作为杂质元素。此外，晶体管502在p阱505中具有作为源区或漏区而发挥功能的一对杂质区508。一对杂质区508之间相当于晶体管502的沟道形成区。作为杂质元素，使用赋予n型的杂质元素或赋予p型的杂质元素。作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等。在本实施例中，使用磷(P)作为杂质元素。绝缘膜503具有开口部以部分地露出栅极绝缘膜506。绝缘膜503可以使用如上述实施方式所示的本发明的绝缘膜的制造方法。另外，虽然在本实施例中示出硅氧烷树脂的绝缘膜503直接覆盖晶体管501及晶体管502的实例，但是本发明不局限于该结构。在形成绝缘膜503之前，也可以形成用于防止碱金属或碱土金属等杂质进入到晶体管501及502中的绝缘膜。具体而言，作为该绝缘膜，优选使用氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅等。在此情况下，可以防止杂质元素的进入的上述绝缘膜，在绝缘膜503的开口部中露出，其次，如图17B所示，对栅极绝缘膜506进行构图，使杂质区508、509露出。可以由干蚀刻进行该构图。另外，当构图栅极绝缘膜506时，优选用掩模覆盖绝缘膜503。另外，在用可以防止杂质元素的进入的上迷绝缘膜覆盖晶体管501及晶体管502的情况下，对该绝缘膜也进行构图。其次，如图17C所示那样，在开口部中与杂质区508、509接触地形成导电膜510至513。在本实施例中，可以使在绝缘膜503中形成的开口部的端部的坡度小.因此，可以防止在开口部的端部上导电膜510至513变得极薄或发生断开，并且可以提高半导体器件的可靠性。另外，晶体管501、502不局限于在本实施例中示出于附图上的结构，例如，也可以是反交错结构。另外，本实施例可以与上述实施方式适当地组合而实施。实施例2在本实施例中，参照图18A至18C说明用来当驱动发光元件的晶体管为p型时的像素的截面结构。另外，在图18A至18C中，说明第一电极和第二电极分别用作阳极和阴极的情况，但是第一电极和第二电极也可以分别用作阴极和阳极.图18A是当晶体管6001为p型且从第一电极6004—侧取出来自发光元件6003的光时的像素的截面图。晶体管6001被绝缘膜6007覆盖，并在绝缘膜6007上形成有具有开口部的隔壁6008。在隔壁6008的开口部中部分暴露了第一电极6004，并且在所述开口部中按顺序层叠第一电极6004、场致发光层6005、第二电极6006。第一电极6004由透过光的材料或膜厚形成，且由适合于用作阳极的材料形成。例如，第一电极6004可以由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、添加了镓的氧化锌(GZO)等其它透光性氧化物导电材料形成。另外，第一电极6004也可以由包含氧化硅的氧化锌、包含氧化硅的氧化铟锡(以下记为ITSO)、或对ITSO还混合了2至20重量。/。的氧化锌(ZnO)的化合物形成。除了所述透光性氧化物导电材料之外，第一电极6004还可以由如下结构形成例如由氮化钛、氮化锆、钛、鵠、镍、铂、铜、银、铝等中的一种或多种形成的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜及氮化钛膜的三层结构等。然而，当釆用透光性氧化物导电材料之外的材料时，以透过光的程度的膜厚(优选为5至30nm左右)形成第一电极6004。另外，第二电极6006可以由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，且由低功函数的金属、合金、导电化合物、以及它们的混合物等形成。具体地说，可以使用Li或Cs等的碱金属、以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属、包含它们的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它们的化合物(氟化钩或氮化钙)、Yb或Er等的稀土金属。当设置电子注入层时，也可以使用Al等的其它导电层。场致发光层6005由单层或多层组成。在由多层组成的情况下，按照栽流子传输特性这些层可以分为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。当场致发光层6005除了发光层之外，还具有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的任何层时，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层以这种顺序层叠在第一电极6004上。此外，每层的边界不必要是清楚的，存在形成各自层的材料部分混合，使得界面不清楚的情况。每一层可以使用有机类材料或无机类材料。作为有机类材料，可以使用高、中或低分子类材料中的任何一种。另外，中分子类材料相当于重复结构单元的数目(聚合度)大约为2至20的低聚合物。空穴注入层和空穴传输层间的区别不一定明确。为方便起见，空穴注入层是形成在与阳极接触一侧的层，而与发光层接触的层区别称为空穴传输层。这可以同样应用于电子传输层和电子注入层。和阴极接触的层被称作电子注入层，而和电子注入层接触的层被称作电子传输层。发光层有时还兼作电子传输层，因此它会被称为发光性电子传输层。在图18A所示的像素中，发光元件6003所发射的光可以如空心箭头所示从第一电极6004侧提取。图18B是当晶体管6011为p型且从第二电极6016—侧取出来自发光元件6013的光时的像素的截面图。晶体管6011被绝缘膜6017覆盖，并且在绝缘膜6017上形成有具有开口部的隔壁6018。在隔壁6018的开口部中部分暴露了第一电极6014，并且在开口部中按顺序层叠有第一电极6014、场致发光层6015、第二电极6016。第一电极6014由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，且由适合于用作阳极的材料形成。第一电极6014可以由如下结构形成例如由氮化钛、氮化锆、钛、钨、镍、铂、铜、银、铝等中的一种或多种构成的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜及氮化钛膜的三层结构等。另外，第二电极6016可以由透过光的材料或膜厚形成，且由低功函数的金属、合金、导电化合物、以及它们的混合物等形成。具体地说，可以使用Li或Cs等的碱金属、以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属、包含它们的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它们的化合物(氟化钙或氮化钓)、Yb或Er等的稀土金属。当设置电子发光层时，也可以使用Al等的其它导电层。并且，以透过光的程度的膜厚(优选为5至30nm左右)形成第二电极6016。此外，也可以使用氧化锢锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、添加了镓的氧化锌(GZO)等其它透光性氧化物导电材料。另外，第二电极6016也可以由包含氧化硅的氧化锌、包含氧化硅的氧化铟锡(以下记为ITSO)、或对ITSO还混合了2至20重量。/。的氧化锌(ZnO)的化合物形成。在使用透光性氧化物导电材料的情况下，理想的是，将电子注入层设置于场致发光层6015。场致发光层6015可以与图18A所示的场致发光层6005相似地形成。在图18B所示的像素中，发光元件6013发出的光如空心箭头所示可以从笫二电极6016侧提取。图18C是当晶体管6021为p型且从第一电极6024—侧及第二电极6026—侧取出来自发光元件6023的光时的像素的截面图。晶体管6021被绝缘膜6027覆盖，在绝缘膜6027上形成有具有开口部的隔壁6028。在隔壁6028的开口部中部分暴露了第一电极6024，并且在该开口部中按顺序层叠有第一电极6004、场致发光层6005、第二电极6006。笫一电极6024可以与图18A所示的第一电极6004相似地形成。第二电极6026可以与图18B所示的第二电极6016相似地形成。另夕卜，场致发光层6025可以与图18A所示的场致发光层6005相似地形成。在图18C所示的像素中，发光元件6023发出的光如空心箭头所示可从第一电极6024和第二电极6024侧提取。另外，作为隔壁6008、6018、6028使用通过本发明的制造方法形成的绝缘膜，并且在该开口部上的坡度比通过干蚀刻形成的坡度小且其平坦性高。因此，可以防止在开口部的端部场致发光层6005、6015、6025变得极薄或产生断开。因此，可以不仅仅提高发光元件6003、6013、6023的可靠性，而且提高具有该发光元件的6003、6013、6023的半导体器件的可靠性。此外，不发生如下问题，即如干蚀刻那样由于OH基的增加，绝缘膜的吸湿性增高。通过抑制在隔壁6008、6018、6028中的吸湿性，可以抑制发光元件6003、6013、6023的退化，因此可以提高半导体器件的可靠性。此外，可以用以往的非感光性的硅氧烷树脂形成隔壁6008、6018、6028，所以可以使用廉价的原材料，因此可以抑制制造半导体器件时所需要的成本。本实施例可以与上述实施方式或实施例适当地组合而实施。实施例3在本实施例中，参照图19A至19C说明当用来驱动发光元件的晶体管为n型时的像素的截面结构。另外，在图19A至19C中，说明第一电极和笫二电极分别为阳极和阴极的情况，但是第一电极和第二电极也可以分别为阴极和阳极。图19A是当晶体管6031为n型且从第一电极6034—侧取出来自发光元件6033的光时的像素的截面图。晶体管6031被绝缘膜6037覆盖，在绝缘膜6037上形成有具有开口部的隔壁6038。在隔壁6038的开口部中部分暴露了第一电极6034,并且按顺序层叠第一电极6034、场致发光层6035、第二电极6036。第一电极6034可以由透过光的材料或膜厚形成，且由低功函数的金属、合金、导电化合物、以及它们的混合物等形成。具体地说，可以使用Li或Cs等的碱金属、以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属、包含它们的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它们的化合物(氟化镝或氮化钙)、Yb或Er等的稀土金属。设置电子注入层时，也可以使用Al等的其它导电层。并且，以透过光的程度的膜厚(优选为5至30nm左右)形成第一电极6034。进而，也可以使用透光性氧化物导电材料形成具有透光性的导电层以使它接触于具有透过光的程度的膜厚的所述导电层之上或之之下，来抑制第一电极6034的薄层电阻。此外，也可以仅仅使用使用了氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、添加了镓的氧化锌(GZO)等其它透光性氧化物导电材料的导电层。另外，也可以使用由包含氧化硅的氧化锌、包含氧化珪的氧化铟锡(以下记为ITSO)、或对ITSO还混合了2至20重量。/o的氧化锌(ZnO)的化合物形成。在使用透光性氧化物导电材料的情况下，优选将电子注入层设置于场致发光层6035。第二电极6036由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，且由适合于用作阳极的材料形成。第二电极6036可以由如下结构形成例如由氮化钛、氮化锆、钛、钨、镍、铂、铜、银、铝等中的一种或多种构成的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜及氮化钛膜的三层结构等。场致发光层6035可以与图18A所示的场致发光层6005相似地形成。但是，当场致发光层6035除了发光层之外，还具有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的任何层时，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层以这种顺序层叠在第一电极6034上。在图19A所示的像素中，发光元件6033发出的光如空心箭头所示可从第一电极6034—侧提取。图19B是当晶体管6041为n型且从第二电极6046—侧取出来自发光元件6043的光时的像素的截面图。晶体管6041被绝缘膜6047覆盖，在绝缘膜6047上形成有具有开口部的隔壁6048。在隔壁6048的开口部中部分暴露了第一电极6044,并且在该开口部中按顺序层叠有第一电极6044、场致发光层6045、第二电极6046。笫一电极6044可以由反射或遮蔽光的材料及膜厚形成，并且由低功函数的金属、合金、导电化合物、以及它们的混合物等形成。具体地说，可以使用Li或Cs等的碱金属、以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属、包含它们的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)、以及它们的化合物(氟化钓或氮化钓)、Yb或Er等的稀土金属。当在设置电子注入层时，也可以使用Al等的其它导电层。另外，第二电极6046由透过光的材料或膜厚形成，且由适合于用作阳极的材料来形成。例如，第二电极6046可以由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、添加了镓的氧化锌(GZO)等其它透光性氧化物导电材料形成。另外，第二电极6046也可以由包含氧化珪的氧化锌、包含氧化硅的氧化铟锡(以下记为ITSO)、或对ITSO还混合了2至20重量。/。的氧化锌(ZnO)的化合物形成。除了所述透光性氧化物导电材料之外，第二电极6046还可以由如下结构形成例如由氮化钛、氮化锆、钛、鵠、镍、铂、铜、银、铝等中的一种或多种形成的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜及氮化钛膜的三层结构等。然而，当使用除了透光性氧化物导电材料之外的材料时，以透过光的程度的膜厚(优选为5至30nm左右)形成第二电极6046。场致发光层6045可以与图19A所示的场致发光层6035相似地形成。在图19B所示的像素中，发光元件6043发出的光如空心箭头所示可从第二电极6046—侧提取。图19C是当晶体管6051为n型且从第一电极6054—侧及第二电极6056—侧取出来自发光元件6053的光时的像素的截面图。晶体管6051被绝缘膜6057覆盖，在绝缘膜6057上形成有具有开口部的隔壁6058。在隔壁6058的开口部中部分暴露了第一电极6054，并且在该开口部中按顺序层叠第一电极6054、场致发光层6055、第二电极6056。笫一电极6054可以与图19A所示的第一电极6034同样地形成。另外，第二电极6056可以与图19B所示的第二电极6046同样地形成。场致发光层6055可以与图19A所示的场致发光层6035同样地形成。在图19C所示的像素中,发光元件6053发出的光如空心箭头所示可从第一电极6054—侧及第二电极6056—侧提取。另外，作为隔壁6038、6048、60584吏用通过本发明的制造方法形成的绝缘膜，并且在该开口部上的坡度比通过干蚀刻形成的坡度小且其平坦性高。因此，可以防止在开口部的端部场致发光层6035、6045、6055变得极薄或产生断开。因此，可以不仅仅提高发光元件6033、6043、6053的可靠性，而且提高具有该发光元件的6033、6043、6053的半导体器件的可靠性。此外，不发生如下问题，即如干蚀刻那样由于OH基的增加，绝缘膜的吸湿性增高。所以，通过抑制在隔壁6038、6048、6058中的吸湿性，可以抑制发光元件6033、6043、6053的退化，因此可以提高半导体器件的可靠性。此外，可以用以往的非感光性的硅氧烷树脂形成隔壁6038、6048、6058，所以可以使用廉价的原材料，因此可以抑制制造半导体器件时所需要的成本。本实施例可以与上述实施方式或实施例适当地组合而实施。本申请基于2007年2月26日在日本专利局提交的日本专利申请序列号2007-045146，在此引用其全部内容作为参考。权利要求1.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对所述第一加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜进行第二加热处理。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二有机溶媒为碳数是3至5范围内的醇。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述薄膜形成在导电膜上。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中通过所述湿蚀刻在所述薄膜中形成开口部以使所述导电膜露出。5.—种半导体器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对所述第一加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜以高于所述第一加热处理的温度进行第二加热处理。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中第二所述有机溶媒为碳数是3至5范围内的醇。7.根据权利要求5所迷的半导体器件的制造方法，其中所述薄膜形成在导电膜上。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中通过所述湿蚀刻在所述薄膜中形成开口部以使所述导电膜露出。9.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜以使所述薄膜固化的温度且低于所述第一有机溶媒的沸点的温度进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对所述第一加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜以高于所述笫一有机溶媒的沸点的温度进行第二加热处理。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一加热处理在低于所述第一有机溶媒的沸点的温度下进行以使完成所述湿蚀刻的时间周期为30秒或更长。11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二有机溶媒为碳数为3至5范围内的醇。12.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述薄膜形成在导电膜上。13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中通过所迷湿蚀刻在所述薄膜中形成开口部以使所述导电膜露出。14.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对形成所述掩模之后的所述薄膜进行第二加热处理；对所述第二加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜进行第三加热处理。15.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二有机溶媒是碳数为3至5范围内的醇。16.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中所述薄膜形成在导电膜上。17.根据权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中通过所述湿蚀刻在所述薄膜中形成开口部以使所述导电膜露出。18.—种半导体器件的制造方法，包括如下工序使用在第一有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对形成所述掩模之后的所述薄膜进行第二加热处理；对所述第二加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜以高于所述第二加热处理的温度进行第三加热处理。19.根据权利要求18所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二有机溶媒是碳数为3至5范围内的醇。20.根据权利要求18所述的半导体器件的制造方法，其中所述薄膜形成在导电膜上。21.根据权利要求20所述的半导体器件的制造方法，其中通过所述湿蚀刻在所述薄膜中形成开口部以使所述导电膜露出。22.—种半导体器件的制造方法，包括如下工序使用在有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜以使所述薄膜固化的温度进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对形成所述掩模之后的所述薄膜以高于所述第一加热处理的温度进行第二加热处理；对所述第二加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜以高于所述第一有机溶媒的沸点的温度进行第三加热处理，其中，所述第二加热处理在低于所述第一有机溶媒的沸点的温度下进行。23.根据权利要求22所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二加热处理在低于所述第一有机溶媒的沸点的温度下进行以使完成所述湿蚀刻的时间周期为30秒或更长。24.根据权利要求22所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二有机溶媒是碳数为3至5范围内的醇。25.根据权利要求22所述的半导体器件的制造方法，其中所述薄膜形成在导电膜上。26.根据权利要求25所述的半导体器件的制造方法，其中通过所述湿蚀刻在所述薄膜中形成开口部以使所述导电膜露出。全文摘要本发明提供一种绝缘膜的制造方法，该绝缘膜可以使用非光感性的硅氧烷树脂且通过湿蚀刻法形成为所希望的形状。该制造方法包括以在有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液形成薄膜；对该薄膜进行第一加热处理；在第一加热处理之后的薄膜上形成掩模；使用有机溶媒进行湿蚀刻来加工第一加热处理之后的薄膜的形状，并且对被加工了的薄膜进行第二加热处理。文档编号H01L21/3105GK101256956SQ20081008108公开日2008年9月3日申请日期2008年2月26日优先权日2007年2月26日发明者藤井照幸申请人:株式会社半导体能源研究所