涂敷显影装置及其方法以及存储介质的制作方法

专利名称：涂敷显影装置及其方法以及存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如对半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基 板)等基板进行抗蚀剂液的涂敷处理、曝光后的显影处理等的涂敷显 影装置及其方法以及存储介质。
背景技术：
在半导体设备以及LCD基板的制造工序中，利用所谓的光刻技术 对基板实施抗蚀剂图形的形成。该技术通过下述一连串工序来进行， 即，例如对半导体晶片(以下称为"晶片")等基板涂敷抗蚀剂液，在 该晶片的表面形成液膜，使用光掩模对该抗蚀剂膜进行曝光，之后进 行显影处理而得到期望的图形。
这种处理一般是使用在进行抗蚀剂液的涂敷和显影的涂敷显影装 置中连接曝光装置的抗蚀剂图形形成装置而进行的，但是，为了进一 步增大涂敷显影装置的处理速度，在专利文献1中提出有一种结构， 即，沿上下方向配置用来收纳曝光处理前的模块的区域与用来收纳曝 光处理后的模块的区域，在各个区域中设置搬送单元，从而减轻搬送 单元的负载以提高搬送效率，以此来提高涂敷显影装置的处理能力。
例如，该技术如图17所示，以载体块S1、处理块S2和界面块S3 的顺序连接设置这些块，并且所述处理块S2通过相互层叠用来进行显 影处理的显影块B1、 B2、用来进行抗蚀剂液的涂敷处理的涂敷块B4、
用来在抗蚀剂液涂敷之前或之后分别形成反射防止膜的反射防止膜形 成块B3、 B5而构成。在所述处理块S2的各个块B1 B5中配备用 来进行显影处理和抗蚀剂液涂敷处理、反射防止膜形成用的药液涂敷 处理等的液处理的液处理部、多层排列进行所述液处理之前或之后的 处理的处理单元的搁板(shdf)单元、在液处理部与搁板单元的各部 之间搬送晶片W的搬送单元A1 A5，并且具备通过搁板单元U5、 U6 在各个块B之间交接晶片W的专用的交接臂。通过设置在载体块Sl上的传输臂C将晶片W搬送至处理块S2中，使用搬送单元A1 A5和交接臂D1、 D2将晶片W搬送至规定的 处理单元，由此，减轻传输臂C、搬送单元A1 A5、交接臂的负担， 从而提高整个装置的处理能力在上述装置中，作为所述液处理部例如准备3个液处理单元并且 具有与该液处理单元对应个数的所述处理单元，能够确保例如180个/hr 左右的处理能力，但是，要求出现一种超过市售装置处理能力的200 个/hr 250个/hr左右的高处理能力的装置。然而，若通过增多设置在显影块B1、涂敷块B3的液处理部以及 进行液处理部前后的处理的处理单元来实现处理能力的提高，则会导 致搬送单元的负担增大，结果，难以提高装置整体的处理能力。此外， 考虑增加显影块Bl等的层叠数来增加所述液处理部和处理单元的个 数，但是此时会增加在各个块B1 B5之间进行晶片W的交接的交接 臂的负担，因此，仍然难以提高装置整体的处理能力。而且，考虑通过横向配置多个所述处理块S2来提高处理能力，但 是若这样增加处理块S2本身来增加涂敷块B4等的个数，则在向接近 载体块Sl的处理块S2的涂敷块B3搬送晶片W时，向远离载体块Sl 的处理块S2的涂敷块B4搬送晶片W时的搬送路径各不相同，因此， 使搬送路径变得复杂，存在使搬送程序的编成变得非常困难的问题。专利文献1:日本特开2006-203075号公报发明内容本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种在涂敷显 影装置中能够容易制成搬送程序并且能够提高处理能力的技术。本发明的一种涂敷显影装置，其特征在于利用涂敷膜形成用单位块在由载体搬入到载体块中的基板上形成 包括抗蚀剂膜的涂敷膜，然后，经由界面块将该基板搬送至曝光装置， 利用显影处理用单位块对经由所述界面块返回的曝光后的基板进行显 影处理并将其交接至所述载体块，并且，在所述涂敷膜形成用单位块 和显影处理用单位块中均包括用于将药液涂敷在基板上的液处理模 块、加热基板的加热模块、冷却基板的冷却模块、以及在这些模块之间搬送基板的单位块用的基板搬送单元，其中， 所述涂敷显影装置包括第一处理块，其构成为与所述载体块连接地设置，并且层叠包括 涂敷膜形成用单位块在内的多个单位块，通过设置在载体块上的交接 单元来与载体块之间进行基板的交接；第二处理块，其构成为与所述界面块连接地设置，并且层叠包括 涂敷膜形成用单位块在内的多个单位块，通过设置在界面块上的界面 臂来与界面块之间进行基板的交接；交接块，设置在第一处理块和第二处理块之间，多层设置有通过 第一处理块的单位块的基板搬送单元以及第二处理块的单位块的基板 搬送单元进行基板的交接的公共交接部，并且具有在这些公共交接部 彼此之间进行基板的搬送的交接臂；显影处理用单位块，设置在第一处理块和第二处理块的至少一方，层叠在所述涂敷膜形成用单位块上；第一直通搬送单元，设置在所述第一处理块上，用于在载体块与 交接块的公共交接部之间进行基板的交接；第二直通搬送单元，设置在所述第二处理块上，用于在交接块的 公共交接部和界面块之间进行基板的交接；以及用于控制所述交接单元、直通搬送单元、交接臂、基板搬送单元 和界面臂的单元，使得通过第一直通搬送单元从载体块将基板搬送至 交接块，将基板从该交接块分配交接至第一处理块的涂敷膜形成用的 单位块和第二处理块的涂敷膜形成用的单位块，接着，将利用第一处 理块和第二处理块形成有包括抗蚀剂膜在内的涂敷膜的基板从第一处 理块和第二处理块交接至交接块，之后，通过第二直通搬送单元从交 接块将基板搬送至界面块。此外，在本发明的涂敷显影装置中，也可以取代通过第二直通搬 送单元将形成有包括抗蚀剂膜在内的涂敷膜的基板从交接块搬送至界 面块，通过基板搬送单元将形成有包括抗蚀剂膜在内的涂敷膜的基板 从第二处理块搬送至界面块。此外，在所述第一处理块中，也可以在与载体块邻接的区域多层 设置有在该第一处理块的层积的单位块彼此之间进行基板的交接并且在第一处理块与载体块之间进行基板的交接的第一交接部，设置有在 这些第一交接部彼此之间进行基板的搬送的第一交接臂。此外，在所述第二处理块中，也可以在与界面块邻接的区域多层 设置有在该第二处理块的层积的单位块彼此之间进行基板的交接并且 在第二处理块与界面块之间进行基板的交接的第二交接部，设置有在 这些第二交接部彼此之间进行基板的搬送的第二交接臂。所述第一直通搬送单元以及第二直通搬送单元也可以具有用于从 载体块向界面块搬送基板的进路(前进)用的直通搬送单元以及用于 从界面块向载体块搬送基板的回路(返回)用的直通搬送单元。也可以是用于形成同类涂敷膜的单位块通过交接块邻接设置在第 一处理块和第二处理块上，用于形成同类涂敷膜的单位块的基板搬送 单元相对于交接块的公共交接部进行基板的交接。所述涂敷膜形成用单位块包括在基板上形成抗蚀剂膜的单位块 以及在基板上形成抗蚀剂膜之前或之后在基板上形成反射防止膜的单 位块。在第一处理块和第二处理块中，在基板上形成抗蚀剂膜的单位 块以及在基板上形成抗蚀剂膜之前或之后在基板上形成反射防止膜的 单位块通过交接块邻接设置，所述单位块的基板搬送单元相对于交接 块的公共的共用交接部进行基板的交接。所述交接块包括用于相对于第一处理块的涂敷膜形成用单位块 进行基板的交接的设置有多层的第一处理块用的交接部；在这些第一 处理块用的交接部彼此之间进行基板的搬送的第一处理块用的交接 臂；用于相对于第二处理块的涂敷膜形成用单位块进行基板的交接的 设置有多层的第二处理块用的交接部；以及在这些第二处理块用的交 接部彼此之间进行基板的搬送的第二处理块B用的交接臂。本发明的一种涂敷显影方法，其特征在于在该涂敷显影方法中，利用涂敷膜形成用单位块在由载体搬入到 载体块中的基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜，然后，经由界面块将 该基板搬送至曝光装置，利用显影处理用单位块对经由所述界面块返 回的曝光后的基板进行显影处理并将其交接至所述载体块，所述涂敷显影方法依次包括利用所述载体块的交接单元，将基板从所述载体块交接至第一处理块的第一直通搬送单元的工序，其中，所述第一处理块与所述载体 块连接设置，并且层叠包括涂敷膜形成用单位块在内的多个单位块而 构成；利用所述第一直通搬送单元，将晶片搬送至交接块的工序，其中，所述交接块与所述第一处理块以及层叠包括涂敷膜形成用单位块在内 的多个单位块而构成的第二处理块连接；利用设置在交接块上的交接臂，将基本搬送至公共交接部的工序， 其中，所述公共交接部设置有多层交接块，用于相对于第一处理块以及第二处理块的涂敷形成用单位块进行基板的交接；利用设置在第一处理块的涂敷形成用单位块上的基板搬送单元或 者设置在第二处理块的涂敷形成有单位块上的基板搬送单元，在各个单位块接收公共交接部的基板的工序；在接收有基板的涂敷形成用单位块内进行规定涂敷膜的形成处理 的工序；利用基板搬送单元，将形成有涂敷膜的基板搬送至交接块的公共 交接部的工序；以及利用设置在第二处理块上的第二直通搬送单元将交接块的公共交 接部的基板搬送至界面块的工序。此外，在本发明中，也可以取代利用设置在第二处理块上的第二 直通搬送单元将交接块的公共交接部的基板搬送至界面块，利用第二 处理块的基板搬送单元搬送至界面块。本发明的一种存储介质，其特征在于保存有涂敷显影装置使用 的计算机程序，所述涂敷显影装置在从载体块接收的基板上形成包括 抗蚀剂膜的涂敷膜，并对曝光后的基板进行显影处理，所述程序编制 步骤组，以运行上述涂敷显影方法。根据本发明，在第一处理块和第二处理块之间设置有交接块，用 于相对于这些第一处理块以及第二处理块的涂敷膜形成用的单位块分 配交接基板，若晶片从载体块被搬送至交接块，则以该交接块为基点 进行基板的交接，使得将基板分别分配至第一处理块的涂敷膜形成用 的单位块和第二处理块的涂敷膜形成用的单位块。因此，因为处理块 为两台，所以能够提高处理能力，此外，因为向第一处理块的涂敷膜形成用的单位块进行搬送时的搬送路径与向第二处理块的涂敷膜形成 用的单位块进行搬送时的搬送路径相同，因此易于做成搬送程序。


图1是本发明所涉及的涂敷显影装置的实施方式的平面图。图2是所述涂敷显影装置的立体图。图3是所述涂敷显影装置的侧部剖面图。图4是所述涂敷显影装置中C0T1层的单位块的平面图。图5是所述C0T1层的单位块的立体图。图6是设置在所述涂敷显影装置中的梭臂的截面图和平面图。图7是用来说明所述涂敷显影装置中的晶片W的搬送路径的侧面图。图8是表示所述涂敷显影装置中的其它实施方式的平面图。 图9是表示所述涂敷显影装置的侧面图。图10是用来说明所述涂敷显影装置中的晶片W的搬送路径的侧 面图。图11是所述涂敷显影装置的又一实施方式的侧面图。 图12是用来说明所述涂敷显影装置中的晶片W的搬送路径的侧 面图。图13用来说明设置在所述涂敷显影装置中的梭臂的立体图。 图14是所述涂敷显影装置的又一实施方式的平面图。 图15是所述涂敷显影装置的又一实施方式的侧面图。 图16是用来说明所述涂敷显影装置中的晶片W的搬送路径的侧 面图。图17是现有技术的涂敷显影装置的侧面图。标号说明W 半导体晶片20 载体51 载体块52 第一处理块53 交接块54 第二处理块55 界面块56 曝光装置 A11 A23 主臂 C 传输臂Dl 第一交接臂D2 第二交接臂Gl、 G2梭臂F 界面臂100 控制部具体实施方式
首先，将参照附图对本发明的涂敷显影装置的实施方式所涉及的 抗蚀剂图形形成装置进行说明。图1是所述装置的一个实施方式的平面图，图2是其概略立体图，图3是其概略侧面图。该装置包括用来搬入搬出密闭式收纳有例如13个作为基板的晶片W的载体20的载 体块S1、第一处理块S2、交接块S3、第二处理块S4、界面块S5、以 及曝光装置S6。在该载体块Sl中设置有能够载放多个所述载体20的载放台21、 从该载放台21观察设置在前方的壁面上的开关部22、以及构成为能够 经由开关部22从载体20中取出晶片W的交接单元的传输臂C。该传 输臂C以能够自由进退、自由升降、围绕垂直轴自由旋转、沿着载体 20的排列方向自由移动的方式构成，使得能够相对于后述的单位块 Bll的交接模块TRSll与输入端口 Pl和输出端口 P2进行晶片W的交接。载体块Sl的纵深一侧与周围被框体24包围的第一处理块S2连 接，该处理块S2纵向排列有多个例如3个单位块B11 B13而构成， 在本例中，从下方一侧依次被分割成作为显影处理用单位块的第一 显影处理层(DEV1) Bll、作为用来在抗蚀剂膜的下层侧进行反射防 止膜(以下称为"第一反射防止膜")处理的单位块的第一反射防止膜 形成层(BCT1层)B12、作为用来进行抗蚀剂膜的形成处理的单位块的第一涂敷处理层(COTl层)B13，并且分别划分这些DEV1层Bll、 BCTl层B12、 COTl层B13。此处，所述BCTl层B12与COTl层B13相当于涂敷膜形成用单位块。这些各个单位块Bll、 B12、 B13分别采用同样的方式构成，并且 具备用来向晶片W涂敷涂敷液的液处理模块、用来进行在所述液处理 模块中所进行的处理的前处理以及后处理的各种处理模块、用来在所 述液处理模块与各种处理模块之间进行晶片W的交接的作为专用的基 板搬送单元的主臂A11 A13。而且，如图1及图3所示，在各单位块Bll、 B12、 B13的与载体 块S1邻接的区域之内，在传输臂C与各个主臂A11 A13能够进入的 位置设有交接用的搁板单元U1。在该搁板单元U1中设置有例如用来 在每个单位块与其它的单位块之间或者载体块SI与第一处理块S2之 间进行晶片W交接的第一交接部，构成为通过以自由进退以及自由升 降的方式而构成的第一交接臂D1，相对于设置在搁板单元U1中的各 个交接部进行晶片W的交接。接下来，首先以COTl层B13为例，并且根据图4及图5对所述 单位块B11 B13的结构进行说明。在该COT1层B13的大致中央， 沿着COTl层B13的纵向(长度方向)(图4、图5中Y方向)形成晶 片W的搬送区域Rl。在从载体块Sl —侧看到的该搬送区域Rl的两 侧，从前方一侧(载体块S1—侧)朝向后方一侧，在右侧设置有具有 成为液处理模块的用来涂敷抗蚀剂液的涂敷模块的涂敷处理部31。该涂敷处理部31的多个例如3个液处理模块COTll COT13以 分别面临搬送区域R1的方式，在沿Y方向排列的状态下被收纳在通 用的处理容器30的内部。各个涂敷模块COTll COT13从通用的药 液喷嘴向例如被水平吸附固定在旋转卡盘上的晶片W供给作为涂敷液 的抗蚀剂液，同时，通过使晶片W旋转而使抗蚀剂液遍及晶片W的 整个表面，这样在晶片W的表面涂敷抗蚀剂液。所述处理容器30在 与各个涂敷模块COTll COT13对应的位置具备晶片W的搬送口 33A 33C (参照图5)，晶片W通过各自的搬送口 33A 33C而在对 应的涂敷模块COTll COT13与主臂A13之间被搬送。此外，在该涂敷处理部31的搬送区域R1的对面一侧设置有例如以2层X4列的方式设有处理模块的搁板单元U4，在该图中设有用来实施在涂敷处理部31中所进行的处理的前处理以及后处理的各种处理模块。上述各种处理模块中包括对抗蚀剂液涂敷后的晶片W进行加热 处理，然后进行冷却处理的加热冷却模块LHP;将晶片W调温至规定温度的调温模块CPL;以及周边曝光装置WEE等。作为所述加热冷却模块LHP包括例如用来在其上面载放并加热晶片W的加热板34以及兼用搬送臂的冷却板35，使用一种利用冷却 板35在主臂A13与加热板34之间进行晶片W的交接，S卩，使用一种 将加热模块与冷却模块装在一个单元中的这种结构的装置，但是加热 模块与冷却模块也可以分别独立设置。另外，作为调温模块CPL使用 例如具备被水冷式冷却的冷却板的装置。如图5所示，这些加热冷却 模块LHP和调温模块CPL等各个模块分别被收纳在处理容器36内， 在各个处理容器36的面向搬送区域R1的面上形成有晶片搬入搬出口 37。在C0T1层B13的搁板单元Ul中，作为所述第一交接部设置有 交接模块TRS13，构成为COT1层B3的主臂A13和第一交接臂Dl相 对于该交接模块TRS13能够进出。在该例中，在该交接模块TRS13上， 当主臂A13和第一交接臂Dl进入时，在不与它们发生干扰的位置设 置有多个(例如3个)用来保持晶片W背面一侧的突部(突起)。接下来对设置在所述搬送区域Rl内的主臂A13进行说明。该主 臂A13采用在该C0T1层B13内的所有模块(放置晶片W的地方)、 例如在涂敷模块COTll COT13、搁板单元Ul的交接模块TRS13、 搁板单元U4的各个处理模块、以及后述的交接块S3的交接模块TRS23 之间进行晶片交接的方式而构成，因此，它采用能够自如进退、自如 升降、围绕垂直轴自如旋转、沿着Y轴方向自如移动的方式而构成。如图4及图5所示，该主臂A13具备用来支承晶片W的背面一侧 周边区域的两根保持臂51、 52，这些保持臂51、 52以在基台53上相 互独立且自如进退的方式构成。此外，基台53以通过旋转机构54围 绕垂直轴自如旋转的方式被设置在搬送基体55上。图中56是沿着搬 送区域R1的纵向(图中Y方向)延伸的导轨56，图中57是升降用导 轨，所述搬送基体55以沿着该升降用导轨57自如升降的方式构成。另外，所述升降用导轨57的下端部潜入(插入)导轨56的下方而被 卡合固定，升降用导轨57沿着导轨56横向移动(图中Y方向)，于是， 搬送基体55能够在搬送区域R1内横向移动。此处，为了在相对于搁 板单元U4的各个处理模块进行晶片W的交接时不与保持臂51、 52发 生干扰，升降用导轨57在与保持臂51、 52进退的位置偏离的位置而 被设在搬送基体55上。再者，对其它的单位块进行简单的说明，即，所述BCT1层B12 按照与C0T1层B13同样的方式构成，BCT1层B12作为液处理模块 而设置有配备向晶片W供给第一反射防止膜形成用的涂敷液，并且用 来形成第一反射防止膜的多个例如3个反射防止膜形成模块BCT11 BCT13的第一反射防止膜形成部，在搁板单元U4中配备在加热板 上载放反射防止膜形成处理后的晶片W并对其进行加热处理，然后利 用冷却板保持并进行冷却处理的加热冷却模块LHP;以及用来将晶片 W调整至规定温度的调温模块CPL等。此外，在搁板单元U1中作为 第一交接部而在第一交接臂Dl能够进出的位置设置有交接模块 TRS12，构成为在这些第一反射防止膜形成模块BCT1、设置在这些搁 板单元U1、U4中的各种模块、以及后述的交接块S3的交接模块TRS22 之间，利用主臂A12进行晶片W的交接。此外，如图3以及图13所示，DEV1层Bll除搁板单元U4以3 层x4列的方式构成并且设有梭臂Gl、 G4以外，其余均按照与上述 C0T1层B13大体相同的方式构成，设有双层用来向晶片W供给作为 涂敷液的显影液并进行显影处理的显影处理部32，在该显影处理部32 的1层中例如设置有3个成为液处理模块的显影模块DEV11 DEV13。 在搁板单元U4中包括对曝光后的晶片W进行加热处理的被称作后 曝光烘焙(post exposure baking)模块等的加热模块PEB;用来在该加 热模块PEB中的处理后将晶片W调整至规定温度的冷却模块COL; 用来使水分飞溅而对显影处理后的晶片W进行加热处理的被称作后烘 焙(post baking)模块等的加热模块POST;用来在该加热模块POST 中的处理后将晶片W调整至规定温度的调温模块CPL等。所述第一反 射防止膜形成部和显影处理部32按照与涂敷处理部31大体相同的方 式构成。此外，在搁板单元Ul中，作为第一交接部而设置有交接模块TRSll，形成为在显影模块DEV11 DEV13与在设置在搁板单元Ul 以及搁板单元U4中的各种模块与后述的交接块S3的交接模块TRS21 之间，利用主臂All来进行晶片W的交接。而且，在搁板单元U1中， 作为第一交接部，设置有用于在与载体块Sl之间进行晶片W的交接 的输入端口 Pl和输出端口 P2，它们用作后述的梭臂Gl、 G4专用的交 接部。第一处理块S2的纵深一侧与周围被框体25包围的交接块S3连 接，进一步在其纵深一侧与周围被框体26包围的第二处理块S4连接。 首先，对第二处理块S4进行说明，即，该第二处理块S4除搁板单元 U3设置在与界面块S5邻接的区域内之外，其它均与第一处理块S2相 同地构成。艮P，该处理块S4从下方一侧层叠设置有作为显影处理用单位块 的第二显影处理层(DEV2层)B21、作为用于进行第一反射防止膜的 形成处理的单位块的第二反射防止膜形成层(BCT2层)B22、以及作 为用来进行抗蚀剂膜的形成处理的单位块的第二涂敷处理层(COT2 层)B23。此处，所述BCT2层B22与COT2层B23相当于涂敷膜形 成用单位块。此外，在搁板单元U3上设置有多层用于在第二处理块 S4的单位块B21 B23彼此之间以及第二处理块S4与界面块S5之间 进行晶片W的交接的第二交接部。接着，对第二处理块S4的单位块B21 B23进行简单说明，艮口， 除后述的搁板单元U3被设置在界面块S5 —侧之外，COT2层B23与 C0T1层B13相同，BCT2层B22与BCT1层B12相同，DEV2层B21 与DEV1层B11相同。g卩，在COT2层B23中，作为液处理模块设置 有用于对晶片W进行抗蚀剂液涂敷的多个例如3个涂敷模块COT21 COT23，在搁板单元U5中具有加热冷却模块LHP、调温模块CPL、 周边曝光装置WEE等，在搁板单元U3中作为第二交接部在利用第二 交接臂D2能够进出的位置设置有交接模块TRS33。构成为能够利用主 臂A23在这些涂敷模块COT21 COT23与设置在搁板单元U3以及搁 板单元U5上的各种模块之间进行晶片W的交接。此外，BCT2层B22作为液处理模块设置有多个例如3个用于对晶片W形成第一反射防止膜的第一反射防止膜形成模块BCT21 BCT23,在搁板单元U5中具有加热冷却模块LHP、调温模块CPL等。 此外，在搁板单元U3中作为第二交接部在利用第二交接臂D2能够进 出的位置设置有交接模块TRS32,构成为能够利用主臂A22在这些第 一反射防止膜形成模块BCT21 BCT23与设置在搁板单元U3以及搁 板单元U5上的各种模块之间进行晶片W的交接。而且，DEV2层B21作为液处理模块设置有多个例如3个用于对 晶片W进行显影处理的显影模块DEV21 DEV23，在搁板单元U5中 具有加热模块PEB、冷却模块COL、加热模块POST、调温模块CPL 等。此外，在搁板单元U3中作为第二交接部在界面臂F以及第二交接 臂D2能够进出的位置设置有交接模块TRS31，构成为能够利用主臂 A21在这些显影模块DEV21 DEV23与设置在搁板单元U3以及搁板 单元U5上的各种模块之间进行晶片W的交接。而且，此外，在搁板单元U3中，作为第二交接部，在界面臂F 以及第二交接臂D2能够进出的位置设置有输出端口 P3和输入端口 P4，它们用作后述的梭臂G2、 G3专用的交接部。接着，对交接块S3进行说明。该交接块S3是用于相对于第一处 理块S2和第二处理块S4进行晶片W的交接的块，如图1和图3所示， 在第一处理块S2的各单位块B11 B13的主臂A11 A13能够进出并 且第二处理块S4的各单位块B21 B23的主臂A21 A23能够进出的 位置设置有搁板单元U2。该搁板单元U2设置有用于例如在每一个单 位块与其它的单位块之间进行晶片W的交接的公共交接部，构成为能 够通过以自由进退以及自由升降的方式构成的成为交接单元的交接臂 E，相对于设置在搁板单元U2中的公共交接部进行晶片W的交接。在该例中，如图3所示，第一处理块S2的BCT1层B12与第二处 理块S4的BCT2层B22、第一处理块S2的C0T1层B13与第二处理 块S4的COT2层B23、第一处理块S2的DEV1层B21与第二处理块 S4的DEV2层B21，分别经由交接块S3邻接设置，如后所述，构成为 进行相同处理的单位块的主臂彼此能够相对于交接块S3的共同的公共 交接部进出(进行访问)。具体而言，分别在C0T1层B13、 COT2层B23的两主臂A13、A23能够进出的位置设置交接模块TRS23;在BCT 1层B12、 BCT 2 层B22的两主臂A12、 A22能够进出的位置设置交接模块TRS22;在 DEVl层Bll、 DEV2层B21的两主臂All、 A21能够进出的位置设 置交接模块TRS21;在DEVl层Bll以及DEV2层B21的梭臂G1、 G2能够进出的位置设置交接模块TRS — A;在梭臂G3、 G4能够进出 的位置设置交接模块TRS—B。此处，设置在搁板单元U1、 U2、 U3上的交接模块TRS11 33， 构成为与已经说明的交接模块TRS13相同的结构，相对于该交接模块 TRS11 TRS33进行晶片W的交接的交接臂Dl、 D2、 E也同样地构 成。另一方面，在第二处理块S4的搁板单元U3的纵深侧经由界面块 S5连接有曝光装置S6。在界面块S5上设置有以自如进退、自如升降、 自如围绕垂直轴旋转的方式而构成的界面臂F，用来相对于所述第二处 理块S4的搁板单元U3的第二交接部与曝光装置S6进行晶片W的交 接。此处，对于所述梭臂G1 G4参照图3禾P图6进行说明。所述梭 臂Gl、梭臂G2是从载体块Sl向界面块S5搬送晶片W的专用的进路 (前进)用直通搬送单元，所述梭臂G3、梭臂G4是从界面块S5向载 体块S1搬送晶片W的专用的回路(返回)用直通搬送单元。首先，对梭臂G1进行说明，即，构成为载置晶片W的背面侧周 边部的臂61A通过驱动机构62A，沿着向第一处理块S2的长度方向(图 1中的Y方向)延伸的基体板63A自由移动。图6中的标号64A表示 的是用于防止载置于臂61A上的晶片W发生位置偏移的限制部件。所述基体板63A的一端侧，延伸至与载体块S1邻接的区域，使得 臂61A能够移动至与载体块Sl的传输臂C之间进行晶片W的交接的 第一交接位置，另一端侧延伸至与交接块S3邻接的区域，使得臂61A 能够移动至相对于交接块S3的交接模块TRS—A进行晶片W的交接 的第二交接位置。在所述基体板63A的一端侧，在传输臂C能够进出(访问)的位 置内置有升降销机构65A。对于升降销机构65A而言，如图6所示， 当臂61A移动至所述第一交接位置时，在臂61A的的内侧区域出没(突出退回)，用于传输臂C与梭臂G1之间的晶片W的交接。接着，对梭臂G2进行说明，即，图中的标号61B表示的是臂， 标号63B表示的是沿着第二处理块S4的长度方向(图1中的Y方向) 延伸的基体板，标号62B表示的是驱动机构，标号64B表示的是限制 部件。所述基体板63B的一端侧延伸至与交接块S3邻接的区域，使得 臂61B能够移动至相对于交接块S3的交接模块TRS—A进行晶片W 的交接的第三交接位置，另一端侧延伸至与界面块S5邻接的区域，使 得臂61B能够移动至与界面块S5的界面臂F之间进行晶片W的交接 的第四交接位置。在所述基体板63B的另一端侧，在界面臂F能够进出(访问)的 位置内置有升降销机构65B。对于升降销机构65B而言，如图6所示， 当臂61B移动至所述第四交接位置时，用于在界面臂F和梭臂G2之 间进行晶片W的交接。此外，所述交接模块TRS—A在交接台66的内部内置有升降销机 构67，如图6所示，当梭臂G1的臂61A移动至所述第二交接位置时， 在臂61A的内侧区域出没(突出退回)，用于在交接臂E和梭臂G1之 间进行晶片W的交接，并且当梭臂G2的臂61B移动至所述第三交接 位置时，在臂61B的内侧区域出没(突出退回)，用于在交接臂E与梭 臂G2之间进行晶片W的交接。而且，对于该交接模块TRS—A而言，以当与所述交接块S3的交 接臂E之间进行晶片W的交接时，不与交接臂E干涉的方式决定升降 销机构67的升降销的配置位置，例如，预先使升降销从交接台66突 出，使交接臂E侧相对于该升降销升降，由此，在交接模块TRS—A 与交接臂E之间进行晶片W的交接。此处，所述梭臂Gl、梭臂G2用于从载体块Sl向界面块S5单向 搬送晶片W，基体板63A的一端侧用作第一交接部的输入端口 Pl，基 体板63B的另一端侧用作第二交接部的输出端口 P3。此外，梭臂G3、梭臂G4分别与梭臂G1、梭臂G2同样地构成， 在梭臂G4的基体板63D的一端侧内置有升降销机构65D,该一端侧 用作在传输臂C与梭臂G4之间进行晶片W的交接用的输出端口 P2。 此外，在梭臂G3的基体板63C的另一端侧内置有升降销机构65C，该另一端侧用作在界面臂F与梭臂G3之间进行晶片W的交接用的输入端口 P4。而且，在交接块S3中设置有用于在与梭臂G3以及梭臂G4 之间进行晶片W的交接的交接模块TRS—B，该交接模块TRS—B与 交接模块TRS — A同样地构成。上述抗蚀剂图形形成装置具备由进行各处理模块的方案管理、晶 片W的搬送流程(搬送路线)的方案管理、各处理模块中的处理、主 臂A11 A13、 A21 A23、传输臂C、第一以及第二交接臂D1、 D2、 交接臂E、梭臂G1 G4、界面臂F的驱动控制的计算机而构成的控制 部100。该控制部100具有例如由计算机程序组成的程序保存部，在程 序保存部中保存着具有步骤(命令)群的例如软件构成的程序，以实 施整个抗蚀剂图形形成装置的作用，即在晶片W上形成规定抗蚀剂图 形的各处理模块中的处理和晶片W的搬送等。这些程序被控制部100 读取出来，于是整个抗蚀剂图形形成装置的作用被控制部ioo所控制。 再者，该程序在被收纳在例如软盘、硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等 存储介质中的状态下被保存在程序保存部中。下面，参照图7，以在第一反射防止膜上形成抗蚀剂膜的情况为例， 对在上述这种抗蚀剂图形形成装置中的晶片W的搬送路线进行说明。 晶片W的搬送是通过控制部100根据搬送流程(搬送路线)的方案， 控制主臂A11 A13、 A21 A23、传输臂C、第一以及第二交接臂Dl、 D2、交接臂E、梭臂G1 G4、界面臂F而进行的。首先，从外部被搬入载体块S1中的载体20内的晶片W通过传输 臂C经由搁板单元Ul的输入端口 Pl被交接至梭臂Gl。接着，利用 梭臂G1搬送至交接块S3的交接模块TRS—A，接着，通过交接臂E 被搬送至交接模块TRS22。接着，在该交接模块TRS22中的晶片W通 过主臂A12或者主臂A22而分别由第一处理块S2的BCT1层或者第 二处理块S4的BCT2层所接收。在第一处理块S2中，被所述BCT1层所收取的晶片W，通过主臂 A12并且按照调温模块CPL—第一反射防止膜形成模块BCT—加热模 块LHP—搁板单元Ul的交接模块TRS12的路线被搬送，并在晶片W 的表面形成第一反射防止膜。接着，交接模块TRS12的晶片W通过第一交接臂Dl被搬送至交接模块TRS13，从此处利用主臂A13被C0T1层接收。接着，在COT1 层中，按照调温模块CPL—涂敷模块COT—加热模块LHP—周边曝光 装置WEE—交接块S3的交接模块TRS23的路线被搬送，并在第一反 射防止膜上形成抗蚀剂膜。另一方面，对于被搬送至第二处理块S4的晶片W而言，被所述 BCT2层所收取的晶片W，通过主臂A22并且按照调温模块CPL—第 一反射防止膜形成模块BCT—加热模块LHP—搁板单元U3的交接模 块TRS32的路线被搬送，并在晶片W的表面形成第一反射防止膜。接着，交接模块TRS32的晶片W通过第二交接臂D2被搬送至交 接模块TRS33，从此处通过主臂A23被COT2层接收。接着，在COT2 层中，按照调温模块CPL—涂敷模块COT—加热模块LHP—周边曝光 装置WEE—交接块S3的交接模块TRS23的路线被搬送，并在第一反 射防止膜上形成抗蚀剂膜。这样，分别在第一处理块S2以及第二处理块S4中形成有各自的 第一反射防止膜和抗蚀剂膜的晶片W被集中在交接块S3的交接模块 TRS23中。然后，通过交接臂E被搬送至交接模块TRS—A，从此处 通过梭臂G2被搬送至搁板单元U3的输出端口 P3，在此处被界面臂F 所接收。接着，晶片W通过界面臂F被搬送至曝光装置S6，进行规定 的曝光处理。接下来，对曝光处理后的晶片W的搬送路线进行说明。首先，对 在第一处理块S2中进行显影处理的情况进行说明，gp，曝光处理后的 晶片W通过界面臂F被搬送至输入端口 P4，从此处被梭臂G3所接收。 接着，晶片W通过梭臂G3被搬送至交接块S3的交接模块TRS—B， 接着，交接模块TRS—B的晶片W通过交接臂E被搬送至交接模块 TRS21，并从此处通过主臂All被第一处理块S2的DEV1层所接收。在DEV1层中，按照加热模块PEB—冷却模块COL—显影模块 DEV—加热模块POST—调温模块CPL—搁板单元Ul的交接模块 TRSll的路线被搬送，并进行规定的显影处理。于是，被实施了显影 处理的晶片W经由所述交接模块TRSll，通过传输臂C返回被载放在 载体块S1中的原来的载体20中。另一方面，对在第二处理块S4中进行显影处理的情况，曝光处理后的晶片W通过界面臂F被搬送至交接模块TRS31，从此处通过主臂 A21被第二处理块S4的DEV2层所接收。在DEV2层中，按照加热 模块PEB—冷却模块COL—显影模块DEV—加热模块POST—调温模 块CPL—交接块S3的交接模块TRS21的路线被搬送，并进行规定的 显影处理。接着，晶片W通过交接臂E被搬送至交接模块TRS—B，接着通 过梭臂G4移动至搁板单元U1的输出端口 P2。由此，被实施了显影处 理的晶片W经由所述输出端口 P2，从所述梭臂G4被交接至传输臂C， 并返回被载放在载体块S1中的原来的载体20中。在这样的抗蚀剂图形形成装置中，能够实现处理能力的提高。艮P， 因为第一处理块S2以及第二处理块S4的各单位块B11 B13、 B21 B23具有例如3各液处理模块以及与该液处理模块对应个数的处理模 块，所以，各处理块S2、 S4的处理能力与背景技术所述的现有的抗蚀 剂图形形成装置的处理能力大致相同，但是，因为这两个处理块S2、 S4通过交接块S3连接在一起，因此，增加的一个处理块能够提高处理 能力。此时，因此安装在第一以及第二处理块S2、 S4的内部的模块的个 数与现有的装置大致相同，因此，在各单位块B11 B13、 B21 B23 内，不会增加主臂A11 A13、 A21 A23的负担，不会因此而担心导 致搬送处理能力降低。此外，对于向各单位块B11 B13、 B21 B23的晶片W的搬送而 言，第一以及第二处理块S2、 S4内的晶片W的搬送是使用第一以及 第二交接臂D1、 D2和各主臂A11 A13、 A21 A23进行的，另一方 面，从载体块Sl向第一处理块S2或者第二处理块S4的晶片W的搬 送是利用梭臂Gl和交接臂E来进行的，从第一处理块S2或者第二处 理块S4向界面块S5的晶片W的搬送是利用交接臂E以及梭臂G2来 进行的，而且，从界面块S5向交接块S3的搬送以及从交接块S3向载 体块S1的搬送分别是通过梭臂G3、 G4进行的。因此，即便增加处理块，也能够通过第一以及第二处理块S2、 S4 的主臂A11 A13、 A21 A23和第一以及第二交接臂Dl、 D2、梭臂 G1 G4以及交接块S3的交接臂E来分担并进行晶片W的搬送，因此，能够减轻一个臂的负载，抑制搬送处理能力的降低。而且，在本例中，在晶片W从载体块S1被搬送至交接块S3后， 以此为基点对晶片W进行分配并将其搬送至第一以及第二处理块S2、S4，这样，当从第一处理块S2观察时，晶片W从该处理块S2的后侧 被搬入，因此，至晶片W被搬入为止的时间变长，导致处理能力降低， 但是，通过准备从载体块S1向界面块S5的进路(前进)用梭臂G1、 梭臂G2，以及从界面块S5向载体块Sl的回路用梭臂G3、梭臂G4， 梭臂Gl只需进行从载体块Sl向交接块S3的搬送即可，因此，使搬送 处理能力降低的顾虑减少。而且，梭臂G1 G4在基体板63A 63D上仅仅沿横向移动，并 且晶片W的交接使用升降销机构65A 65D来进行，因此，与梭臂Gl G4本身设置有升降机构的情况相比，能够使梭臂G1 G4的驱动控制 变得容易，并且能够使梭臂G1 G4轻量化，因此，可以预见能够增 加搬送速度。此外，本发明的抗蚀剂图形形成装置能够使搬送程序的编成变得 容易。即，设置两个处理块S2、 S4，曝光处理前的晶片W从载体块 Sl被搬送至交接块S3，并以此为基点被分配给第一处理块S2的BCT1 层或者第二处理块S4的BCT2层。因此，因为从载体块Sl至BCT1层或者BCT2层的晶片W的搬 送路径相同，所以，以当搬送至与载体块S1邻接的第一处理块S2时 不使用梭臂G1，搬送至第二处理块S4时使用梭臂Gl的方式，使在晶 片W的搬送中使用的臂根据作为搬送目标的处理块S2、 S4而不相同， 并且从载体块Sl至将晶片W交接到第一处理块S2、第二处理块S4 为止的搬送工序数并不是不同的，因此，能够容易地作成搬送程序。而且，在第一处理块S2以及第二处理块S4内，分别独立地以BCT1 层—C0T1层的路径或者BCT2层—COT2层的路径搬送晶片W，之后， 在C0T1层或者COT2层中进行完处理的晶片W被集中在交接块S3。 因此，因为分别独立地对第一处理块S2以及第二处理块S4内的搬送 路径进行控制，所以，这一点也能够使搬送程序的编成变得容易。此外，形成有抗蚀剂膜的晶片W—旦被集中在交接块S3，则从此 处被搬送至界面块S5，因此，对于第一以及第二处理块S2、 S4—交接块S3—界面块S5为止的搬送路径，无论是在第一处理块S2中进行处 理时还是在第二处理块S4中进行处理时均相同。因此，以当从与界面 块S5邻接的第二处理块S4进行搬送时不使用梭臂G2，从第一处理块 S2进行搬送时使用梭臂G2的方式，使在晶片W的搬送中使用的臂根 据进行处理的处理块而不相同，并且至晶片W被交接到界面块S5为 止的搬送工序数并不是不同的，因此，这一点也能够使搬送程序的编 成变得容易。此外，在上述例子中，在第一处理块S2以及第二处理块S4中， DEV1层与DEV2层、BCT1层与BCT2层、C0T1层与COT2层互相 经由交接块S3邻接设置，构成为在BCT1层、BCT2层彼此、以及COT1 层、COT2层彼此等进行相同涂敷膜的形成处理的单位块中所设置的主 臂A12、 A22 (A13、 A23)能够分别进出(访问)公共的交接模块TRS22 (TRS23)。因此，从设置在交接块S3中的交接臂E观察，以被搬送至BCT1 层或者BCT2层之前的晶片W从交接模块TRS—A被搬送至交接模块 TRS22,形成有抗蚀剂膜的晶片W从交接模块TRS23被搬送至交接模 块TRS—A的方式，能够不考虑晶片W在何种处理块S2、 S4中进行 处理来进行晶片W的搬送，因此，这一点也能够使搬送程序的编成变 得容易。以上，在上述例子中，当曝光处理后的晶片W被搬送至第二处理 块S4时，利用DEV2层的主臂A21直接从交接模块TRS31进行接收， 但是也可以由梭臂G3搬送至交接块S3的交接模块TRS—B，并从此 处按照交接臂E—交接模块TRS21—主臂A21的路径搬送至DEV2层 内。接着，使用图8 图IO对本发明的其它实施方式进行说明。本例 中的抗蚀剂图形形成装置与上述装置的不同点在于在第一处理块S2 以及第二处理块S4中没有设置第一以及第二交接臂D1、 D2，在交接 块S3中设置有上下两层的交接臂El、 E2，设置在搁板单元U1 U3 中的模块，以及晶片的搬送路径。在该例子中，在搁板单元U1中，作为用于在载体块S1与第一处 理块S2的DEV1层之间进行晶片W的交接的第一交接部，设置有交接模块TRSll、输入端口 Pl以及输出端口 P2，此外，在搁板单元U3 中，作为用于在第二处理块S4的DEV2层与界面块S5之间进行晶片 W的交接的第二交接部，设置有交接模块TRS31、输出端口 P3以及输 入端口 P4。此外，在交接块S3的搁板单元U2中，分别设置有通过DEV1 层、DEV2层的主臂A11、 A21进行访问(进出)的交接模块TRS21; 通过梭臂Gl、 G2进行访问(进行)的交接模块TRS—A;通过梭臂 G3、 G4进行访问(进行)的交接模块TRS—B;通过BCT1层、BCT2 层的主臂A12、 A22进行访问(进出)的交接模块TRS22、 TRS23;通 过C0T1层、COT2层的主臂A13、 A23进行访问(进出)的交接模块 TRS24、 TRS25。在交接块S3中以上下两层的方式设置有交接臂El、 E2，例如， 利用交接臂E2相对于所述交接模块TRS21、 TRS — A、 TRS — B进行 晶片W的交接，利用交接臂El相对于所述交接模块TRS—A、TRS22、 TRS23、 TRS24、 TRS25进行晶片W的交接。对于这种抗蚀剂图形形成装置中的晶片W的搬送路径，参照图10， 以在第一反射防止膜上形成抗蚀剂膜的情况为例进行说明。晶片W按 照载体块S1—传输臂C—搁板单元Ul的输入端口 P1—梭臂G1—交接 块S3的交接模块TRS—A—交接臂E1—交接模块TRS22的路径而被 搬送，交接模块TRS22的晶片W通过主臂All、 A22而分别被BCT1 层、BCT2层所接收。接着，在BCT1层的内部，通过主臂A12如上述那样顺次被搬送 至规定的模块中之后，被搬送至交接块S3的交接模块TRS23。另一方 面，在BCT2层的内部，通过主臂A22如上述那样顺次被搬送至规定 的模块中之后，被搬送至交接块S3的交接模块TRS23。接着，交接模块TRS23的晶片W通过交接臂El被搬送至交接模 块TRS24，从此处通过主臂A13、 A23分别被COT1层、COT2层所接 收。然后，在COTl层中，通过主臂A13如上述那样顺次被搬送至规 定的模块中之后，被搬送至交接块S3的交接模块TRS25。另一方面， 在COT2层中，通过主臂A23顺次被搬送至规定的模块中之后，被搬 送至交接块S3的交接模块TRS25 。这样形成有第一反射防止膜和抗蚀剂膜的晶片W被集中在交接块S3的交接模块TRS25中，通过交接臂El被搬送至交接模块TRS—A 中，从此处通过梭臂G2移动至搁板单元U3的输出端口 P3。接着，晶 片W被交接至界面臂F并被搬送至曝光装置S6，进行规定的曝光。对于曝光处理后的晶片W，当在第一处理块S2中进行显影处理 时，按照界面臂F—输入端口 P4—梭臂G3—交接块S3的交接模块TRS 一B—交接臂E2—交接模块TRS21—主臂A11—DEV1层的路径而被搬 送。然后，在DEV1层中，在通过主臂All被依次搬送至上述规定的 模块中之后，被搬送至搁板单元U1的交接模块TRSll，显影处理后的 晶片W通过传输臂C，返回被载放在载体块Sl中的原来的载体20中。另一方面，当在第二处理块S4中进行显影处理时，通过界面臂F 被搬送至交接模块TRS31，从此处通过主臂A21被DEV2层所接收。 然后，在DEV2层中，通过主臂A21被依次搬送至规定的模块中之后， 被搬送至交接块S3的交接模块TRS21 。接着，晶片W按照交接臂E2— 交接模块TRS—B—梭臂G4—输出端口 P2的路径而被搬送。然后，进 行完显影处理后的晶片W通过传输臂C经由输出端口 P2，返回被载 放在载体块S1中的原来的载体20中。这种晶片W的搬送，通过控制部100基于收纳在该控制部100中 的搬送方案，对主臂A11 A13、 A21 A23、传输臂C、交接臂E1、 E2、梭臂G1 G4、界面臂F进行控制来进行。在该装置中，因为也是在两个处理块S2、 S4中进行晶片W的处 理，所以能够实现处理能力的提高。此外，在各处理块S2、 S4中没有 设置交接臂D1、 D2，在交接块S3中双层地设置有交接臂E1、 E2，因 此，能够使臂的总数减少，从而实现低成本化。此时，通过在交接块 S3中上下双层地设置交接臂E1、 E2,而能够分担进行搬送，并且因为 各臂E1、 E2的移动区域狭窄，因此没有必要对搬送处理能力的降低存 在顾虑。此外，在本例子中，因为也是以交接块S3作为基点进行从载体块 Sl向第一处理块S2或者第二处理块S4的晶片W的搬送和从第一处理 块S2或者第二处理块S4向界面块S5的晶片W的搬送，因此，载体 块S1—第一处理块S2—界面块S5的搬送路径，与载体块S1—第二处理块S4—界面块S5的搬送路径相同，能够使搬送程序的编成变得容 此时，在本例子中，当曝光处理后的晶片W被搬送至第二处理块S4时，也可以由梭臂G3搬送至交接块S3的交接模块TRS—B，并从 此处按照交接模块TRS21—主臂A21的路径搬送至DEV2层内。接着，使用图11 图13对本发明的其它实施方式进行说明。本例 中的抗蚀剂图形形成装置与上述第一实施方式的装置的不同点在于 在第一处理块S2以及第二处理块S4中没有设置第一以及第二交接臂 Dl、 D2，在交接块S3中设置有上下两层的交接臂E1、 E2，在第一处 理块S2以及第二处理块S4中所设置的单位块，设置在搁板单元Ul U3中的模块，以及晶片的搬送路径。在该例子中，第一处理块S2从下方侧开始层叠DEV1层和两个 BCT1层、BCT2层而构成，第二处理块S4从下方侧开始层叠TCT1 层、TCT2层、C0T1层、COT2层而构成。此处，所谓的TCT1层、 TCT2层是用于进行形成于抗蚀剂膜的上层侧的反射防止膜(以下称为 "第二反射防止膜")的形成处理的第二反射防止膜形成处理层，相当 于涂敷形成用的单位块。所述第一处理块S2的DEV1层和第二处理块S4的TCT1层、TCT2 层，所述第一处理块S2的BCT1层和第二处理块S4的COT1层，所 述第一处理块S2的BCT2层和第二处理块S4的COT2层，分别经由 交接块S3邻接设置。此处，BCT2层与BCT1层同样地构成，形成为通过主臂A14在 各模块之间进行晶片W的交接。此外，COT1层、COT2层与上述实 施方式的COT2层同样地构成，形成为分别通过主臂A24、 A25在各 模块之间进行晶片W的交接。而且，TCT1层、TCT2层与上述实施方式的COT2层大致同样地 构成，在TCT1层的内部，作为液处理模块，设置有多个例如3个用 于在晶片W上形成第二反射防止膜的第二反射防止膜形成模块TCT， 在搁板单元U5中设置有加热冷却模块LHP、调温模块CPL、周边曝 光装置WEE等。此外，在搁板单元U3中，作为第二交接部在界面臂 F能够进行访问(进出)的位置设置有交接模块TRS31，构成为在这些模块之间通过主臂A26进行晶片W的交接。另一方面，在TCT2层的内部，作为液处理模块，设置有多个例 如3个第二反射防止膜形成模块TCT，并且在搁板单元U5中设置有加 热冷却模块LHP、调温模块CPL、周边曝光装置WEE等。此外，在 搁板单元U3中，作为第二交接部在界面臂F能够进行访问(进出)的 位置设置有交接模块TRS30、 TRS32，构成为在这些模块之间通过主 臂A27进行晶片W的交接。此外，TCT2层具有梭臂G6，所述交接模 块TRS30被用作梭臂G6专用的交接模块。此外，在搁板单元U1中，作为用于在载体块S1与第一处理块S2 的DEV1层之间进行晶片W的交接的第一交接部而设置有交接模块 TRSIO、 TRSll，其中的交接模块TRS10被用作梭臂G5专用的交接模 块。此外，在交接块S3的搁板单元U2中设置有通过DEV1层的主 臂All和TCT1层的主臂A26以及TCT2层的主臂A27进行访问(进 出)的交接模块TRS21、 TRS22;通过梭臂G1、 G2进行访问(进出) 的交接模块TRS20;通过BCT1层的主臂A12和C0T1层的主臂A24 进行访问(进出)的交接模块TRS23、 TRS24;通过BCT2层的主臂 A14和COT2层的主臂A25进行访问(进出)的交接模块TRS25 、 TRS26 ， 其中的交接模块TRS20被用作梭臂G5、 G6专用的交接模块。在交接块S3中上下两层地设置有交接臂El、 E2，构成为通过交 接臂E2相对于例如上述交接模块TRS21、 TRS22、 TRS20进行晶片W 的交接，通过交接臂E1相对于上述交接模块TRS20、 TRS23、 TRS24、 TRS25、 TRS26进行晶片W地交接。对于本例子中的的梭臂G5、 G6，参照图13以设置在DEV1层中 的梭臂G5为例进行说明，g口，其具有支撑晶片W的背面一侧周边区 域的用于沿着基台72进退的一根保持臂71，所述基台72以通过旋转 机构73围绕垂直轴自如旋转的方式被设置在搬送基体74上。所述搬 送基体74构成为例如在搁板单元U4的上部侧，在沿着搁板单元的 长度方向(图中的Y方向)设置的支撑部件76与搬送区域R1相对的 面上，沿着向搬送区域R1的长度方向延伸设置的导轨75在所述长度 方向上移动，由此，构成为在所述搁板单元Ul的交接模块TRS10与交接块S3的交接模块TRS20之间进行晶片W的搬送。此外，梭臂G6也与梭臂G5同样地构成，构成为在交接块S3的 交接模块TRS20与搁板单元U3的交接模块TRS30之间进行晶片W的 搬送。其中，交接模块TRSIO、 TRS20、 TRS30与上述说明的交接模 块TRS13具有同样的结构。参照图12，以在第一反射防止膜上形成抗蚀剂膜，并且在其上形 成第二反射防止膜的情况为例，对该抗蚀剂图形形成装置的晶片W的 搬送路径进行说明。晶片W按照载体块S1—传输臂C—搁板单元Ul 的交接模块TRS10—梭臂G5—交接块S3的交接模块TRS20—交接臂 E1—交接模块TRS23或者交接模块TRS25的路径而被搬送。然后，交 接模块TRS23或者交接模块TRS25的晶片W通过主臂A12、 A14被 各BCT1层、BCT2层所接收。然后，在BCT1层的内部，通过主臂A12被依次搬送至规定的模 块之后，被搬送至交接块S3的交接模块TRS24。另一方面，在BCT2 层的内部，通过主臂A14被依次搬送至规定的模块之后，被搬送至交 接块S3的交接模块TRS26。接着，交接模块TRS24、 TRS26的晶片W从此处通过主臂A24、 A25被各C0T1层、COT2层所接收。然后，在COTl层中，按照调温 模块CPL—涂敷模块COT—加热模块LHP—交接块S3的交接模块 TRS23的路径而被搬送，在第一反射防止膜上形成抗蚀剂膜。而且， 在COT2层中，按照调温模块CPL—涂敷模块COT—加热模块LHP— 交接块S3的交接模块TRS25的路径而被搬送，在第一反射防止膜上 形成抗蚀剂膜。接着，晶片W分别从交接模块TRS23、 TRS25通过交接臂El被 搬送至交接模块TRS20，之后，通过交接臂E2分别被搬送至交接模块 TRS21、 TRS22，从此处通过主臂A26、 A27分别被TCT1层、TCT2 层所接收。在TCT1层中，按照调温模块CPL—第二反射防止膜形成 模块TCT—加热模块LHP—周边曝光装置WEE—交接块S3的交接模 块TRS31的路径而被搬送，在抗蚀剂膜上形成第二反射防止膜。另一 方面，在TCT2层中，按照调温模块CPL—第二反射防止膜形成模块 TCT—加热模块LHP—周边曝光装置WEE—交接块S3的交接模块TRS32的路径而被搬送，在抗蚀剂膜上形成第二反射防止膜。然后，交接模块TRS31、 TRS32的晶片W通过界面臂F被搬送至 曝光处理装置S6，在此处进行规定的曝光处理。另一方面，对于曝光 处理后的晶片W而言，按照界面臂F—交接模块TRS30—梭臂G6—交 接块S3的交接模块TRS20—交接臂E2—交接模块TRS21或者 TRS22—主臂All—DEV1层的路径而被搬送。然后，在DEV1层中，通过主臂All被依次搬送至规定的模块中 之后，被搬送至搁板单元Ul的交接模块TRS11 ，接着，交接模块TRS11 的晶片W通过传输臂C返回至载置在载体块S1中的原来的载体20中。这种晶片W的搬送，通过控制部100基于收纳在该控制部100中 的搬送方案，对主臂A11 A14、 A24 A27、传输臂C、交接臂E1、 E2、梭臂G5、 G6、界面臂F进行控制来进行。这样，也可以在第一处理块S2中设置DEV1层并且在第二处理块 S4中设置TCT1层以及TCT2层，此时，因为使用两个处理块S2、 S4 进行处理，因此能够实现处理能力的提高。此时，BCT1层禾口 C0T1层、以及BCT2层禾口 COT2层夹着交接土央 S3彼此邻接设置，因此，从BCT1层在与COT1层之间(从BCT2层 在与COT2层之间)进行的晶片W的交接，能够通过公共的交接模块 TRS24 (TRS26)进行。因此，BCT1层—COT1层(BCT2层—COT2 层)的晶片W的搬送通过主臂A12—交接模块TRS24—主臂A24 (主 臂A14—交接模块TRS26—主臂A25)来进行，因为在进行这些搬送 时没有必要使用交接臂El，因此能够减轻交接臂E1的负担，为搬送 处理能力的提高做出贡献。此外，因为从载体块Sl向BCT1层或者BCT2层的晶片W的交 接相同，此外从BCT1 (BCT2)层向COTl (COT2)层的晶片W的交 接相同，所以能够很容易地进行搬送程序的编成。接着，参照图14 图16对本发明的其它实施方式进行说明。本例 中的抗蚀剂图形形成装置与上述第一实施方式的装置的不同点在于 设置在第一以及第二处理块S2、 S4中的单位块的配置，在第一处理块 S2以及第二处理块S4中没有设置第一以及第二交接臂D1、 D2，交接 块S3的结构，设置在搁板单元U1 U3中的模径。在第一处理块S2中从下方侧开始以DEVI层、COTl层、BCTl 层的顺序层叠有这些层，在第二处理块S4中从下方侧开始以DEV2层、 COT2层、BCT2层的顺序层叠有这些层。DEVI层、DEV2层彼此， COT1层、COT2层彼此，BCT1层、BCT2层彼此分别通过交接块S3 邻接设置。其中，DEV1层、DEV2层、COT1层、COT2层、BCT1 层、BCT2层的结构与上述第一实施方式的结构相同。交接块S3具有互相邻接的两个搁板单元U2K U22，在这些搁板 单元U21、 U22中分别多层地构成有交接部，并且构成为通过交接臂 E3相对于搁板单元U21对各交接部进行晶片W的交接，通过交接部 E4相对于搁板单元U22对各交接部进行晶片W的交接。所述搁板单元U21用于相对于第一处理块S2进行晶片W的交接， 因此，搁板单元U21的各交接部被设置在处理块S2的主臂A11 A13 能够访问(进出)的位置。此外，搁板单元U22用于相对于第二处理 块S4进行晶片W的交接，因此，搁板单元U22的各交接部被设置在 处理块S4的主臂A21 A23能够访问(进出)的位置。而且，这些搁板单元U21、 U22具有梭臂Gl、 G2专用的公共交 接模块TRS—A、梭臂G3、 G4专用的公共交接模块TRS—B，这些交 接模块TRS —A、 TRS—B分别被设置在两个梭臂G1、 G2、两个梭臂 G3、 G4能够进行访问(进出)的位置。另一方面，所述交接臂E3、 E4构成为能够自如进退、自如升降以及绕着垂直轴周围自如旋转，构 成为两个交接臂E3、 E4能够相对于这些交接模块TRS—A、 TRS—B 进行访问(进出)。此外，在交接块S3的搁板单元U21中设置有通过DEV1层的主 臂A11进行访问(进出)的交接模块TRS21;通过C0T1层B13的主 臂A13进行访问(进出)的交接模块TRS22、 TRS23;通过BCT1层 的主臂A12进行访问(进出)的交接模块TRS24、 TRS25。而且，在 交接块S3的搁板单元U22中设置有通过DEV2层的主臂A21进行 访问(进出)的交接模块TRS41;通过COT2层的主臂A23进行访问 (进出)的交接模块TRS42、 TRS43;通过BCT2层的主臂A22进行 访问(进出)的交接模块TRS44、 TRS45。而且，在第一处理块S2的搁板单元U1中，作为用于在载体块S1与DEV1层之间进行晶片W的交接的第一交接部而设置有交接模块 TRSll、输入端口 Pl、输出端口 P2。接着，在第二处理块S4的搁板 单元U3中，作为用于在DEV2层与界面块S5之间进行晶片W的交接 的第二交接部而设置有输出端口P3、输入端口P4。参照图16，以在第一反射防止膜上形成抗蚀剂膜的情况为例，对 该抗蚀剂图形形成装置的晶片W的搬送路径进行说明。晶片W从载 体块S1的传输臂C经由搁板单元U1的输入端口P1被交接至梭臂G1， 并被搬送至交接块S3的交接模块TRS—A，从此处被分配搬送至第一 处理块S2和第二处理块S4。艮口，当被搬送至第一处理块S2时，首先按照交接模块TRS—A— 交接臂E3—交接模块TRS24的路径而被搬送，通过主臂A12被BCT1 层所接收。然后，在BCT1层的内部，通过主臂A12被依次搬送至规 定的模块中之后，被搬送至搁板单元U21的交接模块TRS25中。之后，晶片W按照交接模块TRS25—交接臂E3—交接模块TRS22 的路径而被搬送，从此处被C0T1层的主臂A13所接收。然后，在C0T1 层中，被依次搬送至规定的模块中之后，被搬送至搁板单元U21的交 接模块TRS23。接着，晶片W从交接模块TRS23通过交接臂E3被搬 送至交接模块TRS—A，从此处通过梭臂G2经由输出端口 P3被交接 至界面臂F。然后，被搬送至曝光装置S6，进行规定的曝光。另一方面，当被搬送至第二处理块S4时，按照交接模块TRS — 交接臂E4—交接模块TRS44的路径而被搬送，从此处通过主臂A22 被BCT2层所接收。然后，在BCT2层中，通过主臂A22被依次搬送 至规定的模块中之后，被搬送至搁板单元U22的交接模块TRS45中。之后，晶片W按照交接模块TRS45—交接臂E4—交接模块TRS42 的路径而被搬送，从此处被COT2层的主臂A23所接收，在COT2层 中，被依次搬送至规定的模块中之后，被搬送至搁板单元U22的交接 模块TRS43。之后，晶片W从交接模块TRS43通过交接臂E4被搬送 至交接模块TRS—A，从此处通过梭臂G2被搬送至输出端口 P3，从而 被交接至界面臂F。然后，对于曝光处理后的晶片W，当被搬送至第一处理块S2的DEVI层中时，按照界面臂F—输入端口 P4—梭臂G3—交接模块TRS 一B—交接臂E3—交接模块TRS21—主臂All—DEVI层的路径而被搬 送。然后，在DEV1层内，依次被搬送至上述规定的模块中之后，经 由搁板单元U1的交接模块TRSll，通过传输臂C，返回至载置于载体 块S1中的原来的载体20中。另一方面，当被搬送至第二处理块S4的DEV2层中时，按照界面 臂F—交接模块TRS31—主臂A21—DEV2层的路径而被搬送。然后， 在DEV2层内，依次被搬送至上述规定的模块中之后，按照搁板单元 U22的交接模块TRS41—交接臂E4—交接模块TRS—B—梭臂G4—搁 板单元U1的输出端口 P2的路径而被搬送，通过传输臂C，返回至载 置于载体块S1中的原来的载体20中。这种晶片W的搬送，通过控制部100基于收纳在该控制部100中 的搬送方案，对主臂A11 A13、 A21 A23、传输臂C、交接臂E3、 E4、梭臂G1 G4、界面臂F进行控制来进行。这样，通过在交接块S3中设置设置有多层用于在与第一处理块 S2之间进行晶片的交接的交接部的搁板单元U21;设置有多层用于在 与第二处理块S4之间进行晶片的交接的交接部的搁板单元U22;相对 于这些搁板单元U21、 U22的交接部进行访问(进出)的交接臂E3、 E4，而能够减轻交接臂E3、 E4的负担，能够实现处理能力的提高。此外，在本例子中，因为也是以交接块S3作为基点进行从载体块 Sl向第一处理块S2或者第二处理块S4的晶片W的搬送和从第一处理 块S2或者第二处理块S4向界面块S5的晶片W的搬送，因此，载体 块S1—第一处理块S2—界面块S5的搬送路径，与载体块S1—第二处 理块S4—界面块S5的搬送路径相同，能够使搬送程序的编成变得容 易。此时，在本例子中，当曝光处理后的晶片W被搬送至第二处理块 S4时，也可以由梭臂G3搬送至交接块S3的交接模块TRS—B，并从 此处按照交接模块TRS41—主臂A21的路径搬送至DEV2层内。以上，在本发明中，在第一处理块S2以及第二处理块S4中均设 置有梭臂，但是也可以使用公用的梭臂进行搬送。此外，按照去路用 和回路用来分别独立地设置梭臂，但是，也可以设置作为去路用和回路用所公用的梭臂。而且，梭臂也可以设置在第一处理块S2以及第二 处理块S4的最上层的单位块中，进路(前进)用的梭臂和回路(返回) 用的梭臂也可以分别独立地设置在不同的单位块中。此外，作为梭臂， 可以采用图6所示结构和图13所示结构的任意一种。此外，本发明也可以适用于作为涂敷膜只形成抗蚀剂膜的情况， 在抗蚀剂膜上形成第二反射防止膜的情况，形成第一反射防止膜和抗蚀剂膜和第二反射防止膜的情况。而且，在第一处理块S2和第二处理 块S4双方都具有涂敷形成用的单位块，只要第一处理块S2以及第二 处理块S4中的任意一个具有显影处理用单位块，则设置在第一以及第 二处理块S2、 S4中的单位块可以从BCT层、COT层、TCT层以及 DEV层中自由地选择，其各自的层叠顺序也可以自由设定。此外，作为在搁板单元U4、 U5中所设置的处理模块，也可以设 置与上述例子不同的其它的模块。另外，作为设置在搁板单元U1、 U2、 U3中的交接部，既可以增加交接模块的数量，亦可以设置将调温装置 兼用作交接部这种构造的模块。而且，在搁板单元U1 U3中，既可 以设置进行疏水化处理的模块，也可以设置检查涂敷膜的膜厚和检査 晶片W扭曲程度的检査单元。此外，本发明不仅能适用于处理半导体晶片，也可适用处理液晶 显示器用的玻璃基板(LCD基板)这种基板的涂敷显影装置。
权利要求
1.一种涂敷显影装置，其特征在于利用涂敷膜形成用单位块在由载体搬入到载体块中的基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜，然后，经由界面块将该基板搬送至曝光装置，利用显影处理用单位块对经由所述界面块返回的曝光后的基板进行显影处理并将其交接至所述载体块，并且，在所述涂敷膜形成用单位块和显影处理用单位块中均包括用于将药液涂敷在基板上的液处理模块、加热基板的加热模块、冷却基板的冷却模块、以及在这些模块之间搬送基板的单位块用的基板搬送单元，其中，所述涂敷显影装置包括第一处理块，其构成为与所述载体块连接地设置，并且层叠包括涂敷膜形成用单位块在内的多个单位块，通过设置在载体块上的交接单元与载体块之间进行基板的交接；第二处理块，其构成为与所述界面块连接地设置，并且层叠包括涂敷膜形成用单位块在内的多个单位块，通过设置在界面块上的界面臂与界面块之间进行基板的交接；交接块，设置在第一处理块和第二处理块之间，多层设置有通过第一处理块的单位块的基板搬送单元以及第二处理块的单位块的基板搬送单元进行基板的交接的公共交接部，并且具有在这些公共交接部彼此之间进行基板的搬送的交接臂；显影处理用单位块，设置在第一处理块和第二处理块的至少一方，层叠在所述涂敷膜形成用的单位块上；第一直通搬送单元，设置在所述第一处理块上，用于在载体块与交接块的公共交接部之间进行基板的交接；第二直通搬送单元，设置在所述第二处理块上，用于在交接块的公共交接部和界面块之间进行基板的交接；以及用于控制所述交接单元、直通搬送单元、交接臂、基板搬送单元和界面臂的单元，使得通过第一直通搬送单元从载体块将基板搬送至交接块，从该交接块将基板分配交接至第一处理块的涂敷膜形成用单位块和第二处理块的涂敷膜形成用单位块，接着，将利用第一处理块和第二处理块形成有包括抗蚀剂膜的涂敷膜的基板从第一处理块和第二处理块交接至交接块，之后，通过第二直通搬送单元将基板从交接块搬送至界面块。
2. 如权利要求l所述的涂敷显影装置，其特征在于 通过第二直通搬送单元将形成有包括抗蚀剂膜的涂敷膜的基板从交接块搬送至界面块被取代为通过基板搬送单元将形成有包括抗蚀 剂膜的涂敷膜的基板从第二处理块搬送至界面块。
3. 如权利要求2所述的涂敷显影装置，其特征在于 在所述第一处理块中，在与载体块邻接的区域多层设置有在该第一处理块的层积的单位块彼此之间进行基板的交接并且在第一处理块 与载体块之间进行基板的交接的第一交接部，并设置有在这些第一交 接部彼此之间进行基板的搬送的第一交接臂。
4. 如权利要求l所述的涂敷显影装置，其特征在于 在所述第一处理块中，在与载体块邻接的区域多层设置有在该第一处理块的层积的单位块彼此之间进行基板的交接并且在第一处理块 与载体块之间进行基板的交接的第一交接部，并设置有在这些第一交 接部彼此之间进行基板的搬送的第一交接臂。
5. 如权利要求1 4中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于 在所述第二处理块中，在与界面块邻接的区域多层设置有在该第二处理块的层积的单位块彼此之间进行基板的交接并且在第二处理块 与界面块之间进行基板的交接的第二交接部，并设置有在这些第二交 接部彼此之间进行基板的搬送的第二交接臂。
6. 如权利要求1 4中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于 所述第一直通搬送单元以及第二直通搬送单元具有用于从载体块向界面块搬送基板的进路用的直通搬送单元以及用于从界面块向载体 块搬送基板的回路用的直通搬送单元。
7. 如权利要求1 4中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于 在第一处理块和第二处理块中，用于形成同类涂敷膜的单位块通过交接块邻接地设置，用于形成同类涂敷膜的单位块的基板搬送单元 相对于交接块的公共交接部进行基板的交接。
8. 如权利要求1 4中任一项所述的涂敷显影装置，其特征在于 所述涂敷膜形成用单位块包括在基板上形成抗蚀剂膜的单位块以及在基板上形成抗蚀剂膜之前或者之后在基板上形成反射防止膜的单位块。
9. 如权利要求8所述的涂敷显影装置，其特征在于 在第-一处理块和第二处理块中，在基板上形成抗蚀剂膜的单位块以及在基板上形成抗蚀剂膜之前或者之后在基板上形成反射防止膜的 单位块通过交接块邻接地设置，所述单位块的基板搬送单元相对于交 接块的共用的公共交接部进行基板的交接。
10. 如权利要求1所述的涂敷显影装置，其特征在于 所述交接块包括用于相对于第一处理块的涂敷膜形成用单位块进行基板的交接的设置有多层的第一处理块用的交接部；在这些第一 处理块用的交接部彼此之间进行基板的搬送的第一处理块用的交接 臂；用于相对于第二处理块的涂敷膜形成用单位块进行基板的交接的 设置有多层的第二处理块用的交接部；以及在这些第二处理块用的交 接部彼此之间进行基板的搬送的第二处理块用的交接臂。
11. 一种涂敷显影方法，其特征在于在该涂敷显影方法中，利用涂敷膜形成用单位块在由载体搬入到 载体块中的基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜，然后，经由界面块将 该基板搬送至曝光装置，利用显影处理用单位块对经由所述界面块返 回的曝光后的基板进行显影处理并将其交接至所述载体块，所述涂敷显影方法依次包括利用所述载体块的交接单元，将基板从所述载体块交接至第一处理块的第一直通搬送单元的工序，其中，所述第一处理块构成为与所 述载体块连接，并且层叠有包括涂敷膜形成用单位块在内的多个单位 块；利用所述第一直通搬送单元，将基板搬送至交接块的工序，其中， 所述交接块与所述第一处理块以及层叠包括涂敷膜形成用单位块在内的多个单位块而构成的第二处理块连接；利用设置在交接块上的交接臂，将基本搬送至公共交接部的工序， 其中，所述公共交接部设置有多层交接块，用于相对于第一处理块以及第二处理块的涂敷形成用单位块进行基板的交接；利用设置在第一处理块的涂敷形成用单位块上的基板搬送单元或 者设置在第二处理块的涂敷形成有单位块上的基板搬送单元，在各个 单位块接收公共交接部的基板的工序；在接收有基板的涂敷形成用单位块内进行规定涂敷膜的形成处理 的工序；利用基板搬送单元，将形成有涂敷膜的基板搬送至交接块的公共 交接部的工序；以及利用设置在第二处理块上的第二直通搬送单元将交接块的公共交 接部的基板搬送至界面块的工序。
12. 如权利要求ll所述的涂敷显影方法，其特征在于，还包括 取代利用设置在第二处理块上的第二直通搬送单元将交接块的公共交接部的基板搬送至界面块的工序，进行利用第二处理块的基板搬 送单元将交接块的公共交接部的基板搬送至界面块的工序。
13. —种存储介质，其特征在于存储有涂敷显影装置使用的计算机程序，所述涂敷显影装置在从 载体块接收的基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜并对曝光后的基板进 行显影处理，所述程序编制步骤组，以运行权利要求11或者12所述的涂敷显影方法。
全文摘要
本发明提供一种易于对搬送程序进行编程并且能够提高处理能力的技术，在第一处理块和第二处理块之间设置有交接块，利用第一直通搬送单元将基板从载体块搬送至交接块，从此处将基板分配交接至第一处理块的涂敷膜形成用单位块和第二处理块的涂敷膜形成用单位块。接着，若通过第一和第二处理块分别形成有涂敷膜的的基板被集中在交接块，则从此处通过第二直通搬送单元将晶片交接至界面块。因为处理块增加，所以能够提高处理能力，此外因为从载体块向第一处理块的搬送路径与向第二处理块的搬送路径相同，所以容易对搬送程序进行编程。
文档编号H01L21/027GK101276745SQ200810090960
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月31日 优先权日2007年3月30日
发明者土屋胜裕, 松冈伸明, 林伸一, 林田安, 桥本隆浩 申请人:东京毅力科创株式会社