陶瓷电子部件的制作方法

文档序号:6897390阅读:132来源:国知局
专利名称:陶瓷电子部件的制作方法
技术领域
本发明涉及具备陶瓷素体的陶瓷电子部件。
技术背景现有的陶瓷电子部件,已知具备陶瓷素体以及配置于该陶瓷素体上的外部电极(例如,参照日本特开2002-246207号公报)。在特开 2002-246207号公报中所记载的陶瓷电子部件中,通过将以Ag为主体 的电极膏涂布于陶瓷素体,烧结该电极膏而形成外部电极。发明内容本发明的目的在于提供一种电子部件,其具备的外部电极具有良 好的焊料润湿性、耐焊料腐蚀性、耐冲击性、以及热循环环境下的连 接可靠性。本发明的发明者们对具有良好的焊料润湿性、耐焊料腐蚀性、耐 冲击性、以及热循环环境下的连接可靠性的外部电极进行了锐意的研 究,结果发现以下的事实。在通过将含有金属粉末以及玻璃粉末的导电膏烧结于陶瓷素体上 而形成外部电极的情况下,由玻璃粉末软化而熔融成的玻璃物质,在 外部电极的内侧(陶瓷素体侧)形成玻璃相和金属相混合存在的区域。 在玻璃相和金属相混合的区域,附着于陶瓷素体的外表面上的玻璃物 质起到了锚定(anchor)的作用,提高了陶瓷素体和外部电极的连接强 度,并提升了耐冲击性。在导电膏中所含有的金属粉末为Ag的情况下,由于外部电极中所 含有的Ag容易被焊料润湿,因而提高了焊料润湿性。然而,在外部电 极含有Ag的情况下,发生外部电极中所含有的Ag溶出于熔融的焊料, 外部电极部分地消失的所谓的焊料腐蚀,耐焊料腐蚀性恶化。在导电膏中所含有的金属粉末为Pt的情况下,由于外部电极中所含有的Pt容易被焊料润湿,因而提高了焊料润湿性。外部电极中所含 有的Pt几乎不溶出于熔融的焊料,从而也提高了耐焊料腐蚀性。然而, 在外部电极含有Pt的情况下,在热循环环境下,在焊料和外部电极之 间产生裂纹,破坏了焊料和外部电极之间的物理连接以及电连接,从 而降低了连接的可靠性。对于在焊料和外部电极之间产生裂纹的现象,有如下的考虑。当 焊料和外部电极相接时,在焊料和外部电极的界面附近(焊料与外部电极的接合部),由焊料中所含有的Sn和外部电极中所含有的Pt形成 金属间化合物。从结晶构造而言,该Sn和Pt的金属间化合物是道尔 顿(Daltonide)型金属间化合物,通常坚硬且具有脆的性质。因此, 在伴随着热循环的反复应力起作用时,在Sn和Pt的金属间化合物存 在的上述接合部产生裂纹。在外部电极含有Ag以替代Pt的情况下,当焊料和外部电极相接 时,在上述接合部,由焊料中所含有的Sn和外部电极中所含有的Ag 形成Sn和Ag的金属间化合物。该Sn和Pt的金属间化合物是贝陀立 (Berthollide)型金属间化合物,通常柔软且具有延展性。因此,能够 在上述接合部抑制裂纹的产生。Pt和Ag的金属间化合物也是贝陀立型金属间化合物,与Sn和Ag 的金属间化合物同样,柔软且具有延展性。鉴于相关的研究结果,本发明涉及的陶瓷电子部件具备陶瓷素体 和配置于陶瓷素体上的外部电极,外部电极具有第1电极层和第2电 极层。其中,第l电极层形成于陶瓷素体的外表面上,含有Ag以及玻 璃物质,第2电极层形成于第1电极层上,含有Pt,并在多处形成有 到达第1电极层的孔。在本发明涉及的陶瓷电子部件中,由于外部电极的的第1电极层 含有玻璃物质,因而陶瓷素体和外部电极(第1电极层)的连接强度 升高,提高了外部电极的耐冲击性。由于第2电极层含有Pt,因而提 高了第2电极层的焊料润湿性和耐焊料腐蚀性。在第2电极层上,在多处形成有到达第1电极层的孔。因此,当 使焊料附着于第2电极层上并使该焊料熔融时,所熔融的焊料通过形 成于第2电极层的孔而到达第1电极层,与该第1电极层相接。当焊4料与第1电极层相接时,在焊料和第1第电极层的界面附近,形成焊料中所含有的Sn和第1电极层中所含有的Ag的金属间化合物。所以,在热循环环境下,在焊料和外部电极(第1电极层)之间不产生裂纹, 从而提高了外部电极的连接可靠性。本发明中,由于第l电极层含有Ag、第2电极层含有Pt,因而在 第1电极层与第2电极层的界面附近形成有Pt和Ag的金属间化合物。 所以,在热循环环境下,在第1电极层和第2电极层之间不产生裂纹, 从而提高了外部电极的连接可靠性。优选还具备形成于第2电极上且由焊料形成的突起状电极。优选还具备配置于陶瓷素体内,含有Pd,并与第l电极层连接的 内部电极,第1电极层还含有Pd。在内部电极含有Pd,第1电极层含有Ag的情况下,由于Ag向 Pd扩散的速度与Pd向Ag扩散的速度不同,因而,内部电极延伸,从 而显著地从陶瓷素体的外表面突出。这样,当内部电极从陶瓷素体的 外表面突出时,陶瓷素体和第1电极层的紧密结合性有可能降低,陶 瓷素体和第1电极层的结合强度也有可能降低。而当第1电极层含有 Pd时,能够抑制内部电极向陶瓷素体的外表面突出,防止陶瓷素体和 第1电极层的结合强度下降。优选第1电极层是通过烧结含有Ag粉末以及玻璃粉末的导电膏而 形成的烧结电极层。优选第2电极层是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电 极层。本发明可以提供一种电子部件,其具备的外部电极具有良好的焊 料润湿性、耐焊料腐蚀性、耐冲击性、以及热循环环境下的连接可靠 性。本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚, 但是,这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子,不能被 认为是对本发明的限定。以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但 是,这些详细说明和特殊实例只是为了举例说明本发明的优选实施方 案而举出的,本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修5改都在本发明的宗旨和范围内。


图1是第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器的构成的立体示意图。 图2是第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器的构成的立体示意图。图3是沿图i的in-ni线的剖面构成的示意图。图4是沿图3的IV-IV线的剖面构成的示意图。图5是沿图4的V-V线的剖面构成的示意图。图6是用于说明外部电极以及突起状电极的构成的模式图。图7是图1所示的层叠芯片变阻器的等效电路的示意图。图8是层叠芯片变阻器的制造程序的流程图。图9是制造层叠芯片变阻器的示意图。图10是第2实施方式涉及的层叠芯片变阻器的剖面构成的示意图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细地说明本发明的优选实施方式。其中,在 说明时,用同一符号表示同一要素或具有相同功能的要素,省略重复 的说明。(第1实施方式)图1与图2是第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器的构成的立体示意图。图3是沿图i的ni-ni线的剖面构成的示意图。图4是沿图3的IV-IV线的剖面构成的示意图。图5是沿图4的V-V线的剖面构成的示意图。图1 图5所示的层叠芯片变阻器MV1是专门为了满足对于笔记 本电脑和手机等小型电子器械的高密度安装的要求,利用回流焊 (reflow)将设置于安装面侧的焊料凸块安装在安装基板(图中未显示) 上的变阻器元件,即所谓的对应于BGA (球栅阵列)封装的变阻器元件。如图所示,层叠芯片变阻器MV1具备大致为长方体状的变fe器素 体ll、两个连接导体41、 4个外部电极51、以及突起状电极53。变阻器素体11具有一对相互相对的一对主面13、 15作为外表面。各连接 导体41配置于变阻器素体11的一个主面13上。各外部电极51配置 于变阻器素体11的另一个主面15上。主面15是与安装有层叠芯片变 阻器MV1的面相对的面。变阻器素体11的外表面中从连接导体41以 及外部电极51露出的部分被绝缘保护层(图中未显示)覆盖。绝缘保 护层可以通过使釉玻璃(例如,由Si02、 ZnO、 B、八1203等形成的玻 璃)附着,在规定的温度下烧结而形成。变阻器素体11构成为具有电压非线性(nonlinear voltage-current characteristics)(以下称为"变阻器特性")的多个变阻器层层叠而成的 层叠体,被设定为例如长lmm、宽lmm、厚度0.5mm。在实际的层叠 芯片变阻器MV1中,多层变阻器层一体化至相互的边界难以分辨的程 度。变阻器素体ll是由半导体陶瓷形成的陶瓷素体。变阻器层的每层厚度为,例如5 60(am。变阻器层以ZnO为主要 成分,并含有稀土类元素Pr和碱土类金属元素Ca为次要成分。变阻 器层含有例如Co、 Cr、 Si、 K、 Al等作为其它次要成分。对各变阻器 层的ZnO的含量没有特别的限定,但优选在以变阻器层的全部材料为 100原子量%的情况下,ZnO的含量为69.0原子量% 99.8原子量%。在这样的变阻器素体11的内部,4对内部电极对21被配置为2行 X2列的矩阵状。各内部电极对21由大致呈矩形的第1内部电极23 和第2内部电极33构成,被设定为例如厚度0.5 5pm。第1内部电极 23在变阻器层的面内方向上延伸,第1内部电极23的一端露出于变阻 器素体11的主面13,第1内部电极23的另一端位于从变阻器素体11 的主面15仅相距规定距离的内侧。第2内部电极33被配置为与第1内部电极23大致平行。第2内 部电极33的一端露出于变阻器素体11的主面15,第2内部电极33的 另一端位于从变阻器素体11的主面13仅相距规定距离的内侧。如图3 及图5所示,从变阻器素体11的侧面看,第1内部电极23与第2内 部电极33被配置为互不相同,其大致一半的区域呈相互相对的状态。在第1内部电极23与第2内部电极33之间,至少存在着一层变 阻器层。第1内部电极23与第2内部电极33相互电绝缘。第1内部 电极23与第2内部电极33以Pd作为主要成分,含有例如Ag作为欢要成分。如图1及图3所示,连接导体41大致呈例如长边为0.8mm、短边 为0.4mm的长方形,配置于变阻器素体11的主面13侧。各连接导体 41覆盖4个内部电极对中并列位于变阻器层的层叠方向的两个内部电 极对21的第1内部电极23露出于变阻器素体11的主面13的部分。 由此,上述的第1内部电极23、 23彼此通过连接导体41而相互电连 接。连接导体41含有金属和玻璃物质。连接导体41含有金属Ag以及 Pd。连接导体41是通过烧结含有金属粉末(Ag-Pd合金粉末)以及玻 璃粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第1电极层51a的厚度,例如 为卜20拜。如图2及图4所示,外部电极51大致呈例如边长为0.4mm的正方 形,与内部电极21相对应,在变阻器素体11的主面15侧配置成2行 X2列的矩阵状。各外部电极51分别覆盖内部电极对21的第2内部电 极33露出于变阻器素体11的主面15的部分。由此,外部电极51与 第2内部电极33相互电连接。如图6所示,外部电极51具有第1电极层51a和第2电极层51b。 图6是用于说明外部电极以及突起状电极的构成的模式图。第1电极层51a形成于变阻器素体11的主面15上,含有金属以 及玻璃物质。第1电极层51a含有金属Ag以及Pd。第1电极层51a 是通过烧结含有金属粉末(Ag-Pd合金粉末)以及玻璃粉末的导电膏而 形成的烧结电极层。第l电极层51a的厚度,例如为l 20pm。第2电极层51b形成于第1电极层51a上且含有Pt。第2电极层 51b是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第2电极 层51b也可以含有玻璃物质。在第2电极层51b上,在多处形成有到 达第1电极层51a的孔51c。如图2及图3所示,在第2电极层51b的 背侧的大致中央的部分,分别设有形成有半球状的突起状电极53的电 极形成部52。第2电极层51b的厚度比第1电极层51a的厚度薄,例 如为0.1 5|_im。除了烧结导电膏之外,也可以利用蒸镀法或电镀法而 形成第2电极层51b。 j突起状电极53由含有Sn的焊料形成,配置于外部电极51 (第2电极层51b)上。突起状电极53与第2电极层51b电连接且物理连接。 突起状电极53通过形成于第2电极层51b的各孔51c,也与第1电极 层51a电连接且物理连接。焊料为所谓的无铅焊料,例如为Sn-Ag-Cu 系的焊料或Sn-Zn系的焊料等。突起状电极(即凸块电极)53可以通过印刷法而形成。通过使用 形成有与第2电极层51b的电极形成部52对应的开口的金属掩模(metal mask),在第2电极层51b的电极形成部52上丝网印刷焊料膏 后,加热使其熔融,可以形成突起状电极53。此时,熔融的焊料膏进 入形成于第2电极层51b的各孔51c内。由此,突起状电极53与第1 电极层51a通过孔51c而连接。除印刷法之外,也可以通过点涂法(dispense)、植球法(ball mounting method)、蒸镀法或电镀法等形成 突起状电极53。在上述的层叠芯片变阻器MV1中,变阻器层中第1内部电极23 与第2内部电极层33相对的区域体现变阻器特性。因此,如图7所示, 在层叠芯片变阻器MV1中,存在着两对串联连接的两个变阻器B。接着,参照图8以及图9,说明层叠芯片变阻器MV1的制造方法。 图8是层叠芯片变阻器的制造程序的流程图。图9是制造层叠芯片变 阻器的示意图。首先,以规定的比例混合构成变阻器层的主要成分ZnO、次要成 分Pr、 Ca,以及其它次要成分Co、 Cr、 Si、 K、 Al,调整变阻器材料 (S101)。调整后,在变阻器材料中加入有机粘合剂、有机溶剂、有 机可塑剂等,利用球磨混合等进行20小时左右的混合粉碎,得到浆料。 接着,通过利用例如刮片法,在例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)形成的薄膜(图中未显示)上涂敷浆料,使其干燥而形成厚度 30pm左右的膜。将如此得到的膜从薄膜上剥离,得到生片(S103)。 接着,在生片上形成多个与第1内部电极23对应的电极部分 (S105)。同样地,在不同的生片上形成多个与第2内部电极33对应 的电极部分(S105)。通过利用例如丝网印刷等,将由以Pd作为主要 成分的金属粉末、有机粘合剂、有机溶剂等混合而成的导电膏印刷在 生片上,使其干燥,能够形成与第1内部电极23以及第2齒部电极33 对应的电极部分。接着,以规定的顺序将形成有电极部分的生片和未形成有电极部 分的生片重叠,形成薄片层叠体(S107)。然后,通过按照芯片单位将薄片层叠体切断,从而得到被分割的多个生体LS1 (参照图9)(S109)。在所得到的生体LS1中,依次层叠形成有与第1内部电极23对应 的电极部分EL1的生片GS1,形成有与第2内部电极33对应的电极部 分EL2的生片GS2,以及未形成有电极部分EL1、 EL2的生片GS3。 必要时,可以层叠多层生片GS3。接着,在例如18(TC 40(TC的温度下将生体LSI加热处理0.5 24小时左右,除去粘合剂。再在例如85(TC 140(TC的温度下烧成生 体0.5 8小时左右(S111)。通过烧成,生片GS1 GS3成为变阻器 层,电极部分EL1、 EL2分别成为第1内部电极23以及第2内部电极 33,从而得到变阻器素体ll。制成变阻器素体11之后,接着在变阻器素体11的主面13以及主 面15上分别形成连接导体41以及外部电极51 (S113)。具体而言,在 形成连接导体41以及第1电极层51a时,首先,准备通过在含有Pd 以及Ag的金属粉末(Ag-Pd合金粉末)中混合有玻璃粉末、有机粘合 剂、有机溶剂而形成的导电膏。接着,利用例如丝网印刷,使所准备 的导电膏附着于变阻器素体ll的主面13、 15,并使其干燥。由此,形 成与连接导体41对应的导体部分以及与第1电极层51a对应的导体部 分。玻璃粉末可以使用含有B、 Bi、 Al、 Si、 Sr、 Ba、 Pr、 Zn、 Pb中 的至少一种的玻璃料。在形成第2电极层51b时,首先,准备通过在含有Pt的金属粉末 (Pt粉末)中混合有有机粘合剂、有机溶剂而形成的导电膏。接着, 利用例如丝网印刷,使所准备的导电膏附着于第1电极层51a上,并 使其干燥。由此,形成与第2电极层51b对应的导体部分。然后,通过在例如90(TC下烧结所形成的导体部分,使各导体部分 分别成为连接导体41以及外部电极51(第1电极层51a以及第2电极 层51b)。如现有技术那样,不在外部电极51的表面上形成Ni或Sn 的电镀层,烧结的导电膏的外表面就这样成为外部、龟极51的外表面。 此后,利用公知的形成方法,在外部电极51的电极形成部52上分别 形成突起状电极53,即制成上述的层叠芯片变阻器MV1。 -末软化并熔融成的玻璃物质在第1电极层51a的内侧(变阻器素体ll侦ij)形成玻璃相和金属相混合存在的区 域。如图6所示,在玻璃相和金属相混合存在的区域,附着于变阻器 素体11的外表面上的玻璃物质G起着锚定的功能,使变阻器素体11 与第1电极层51a的连接强度提高。通过烧结上述导电膏而形成第2电极层51b时,在第2电极层51b 上形成有孔51c。烧结导电膏时,Pt粉末彼此烧结,形成由Pt形成的 大的团块。该由Pt形成的团块形成第2电极层51b。此时,由于Pt粉 末彼此相互吸引,因而在第2电极层51b分散地形成有多个孔51c。通 过调整导电膏的附着厚度或Pt粉末的含量等,能够控制孔51c的形成 状态。例如,通过使导电膏的附着厚度变薄,或减少Pt粉末的含量, 可以使孔51c具有易于形成的倾向。形成第2电极层51b时,在第1电极层51a与第2电极层51b的 界面附近,由第1电极层51a中所含有的Ag和第2电极层51b中所含 有的Pt形成金属间化合物。该Pt与Ag的金属间化合物为贝陀立 (Berthollide)型金属间化合物,柔软且具有延展性。形成突起状电极53时,构成突起状电极53的悍料和第1电极层 51a通过孔51c而连接。此时,在突起状电极53 (焊料)和第1电极 层51a的界面附近,由第1电极层51a中所含有的Ag和焊料中所含有 的Sn形成金属间化合物,该Sn与Ag的金属间化合物为贝陀立型金属 间化合物,柔软且具有延展性。如上所述,在第1实施方式中,由于外部电极51的第1电极层51a 含有玻璃物质,因而变阻器素体ll和第l电极层51a (外部电极51) 的连接强度升高,提高了外部电极51的耐冲击性。由于与突起状电极 53相接的第2电极层51b含有Pt,因而提高了外部电极51的焊料润湿 性以及耐焊料腐蚀性。在第2电极层51b,由于在多处形成有到达第1电极层51a的孔 51c,因而在第2电极层51b上形成突起状电极53时,如上所述,在 焊料和第1电极层51a的界面附近,形成有Sn与Ag的金属间化合物。 所以,在热循环环境下,Sn与Ag的金属间化合物起到了吸收伴随着热循环的反复应力的作用,使得在焊料和第1电极层51a之间不产生裂纹。在第2电极层51b和突起状电极53的界面附近,由第2电极层51b 所含有的Pt和焊料中所含有的Sn形成金属间化合物。这样,在热循 环环境下,有可能在第2电极层51b和突起状电极53之间产生裂纹。 然而,焊料和第1电极层51a夹着第2电极层51b而结合,即使万一 在第2电极层51b和突起状电极53之间产生裂纹,也能确保焊料和第 1电极层51a之间的连接。所以,在热循环环境下,提高了外部电极的 连接可靠性。在第1实施方式中,第2内部电极33含有Pd,第1内部电极层 51a也含有Pd。当第1电极层51a含有Pd时,可以抑制含有Pd的第2 内部电极33突出于变阻器素体11的主面15。结果,可以防止变阻器 素体ll和第l电极层51a之间的连接强度的降低。在第l实施方式中,由于第1电极层51a含有Ag,因而可以实现 外部电极51的低阻抗化。在第l实施方式中,由于第2电极层51b含有Pt,因而不需要形 成电镀层。结果,可以实现制造层叠芯片变阻器MV1时的工序的减少, 有利于制造成本的降低。 (第2实施方式)对第2实施方式所涉及的层叠芯片变阻器进行说明。图10是第2 实施方式涉及的层叠芯片变阻器的剖面构成的示意图。如图所示,层叠芯片变阻器MV2被设定为,例如长1.6mm、宽 0.8mm、厚度0.8mm,即所谓的1608型层叠芯片变阻器。该层叠芯片 变阻器MV2,主要在外部电极的构成上与第1实施方式涉及的层叠芯 片变阻器MV1不同,除了外部电极的配置数和没有连接导体之外,各 构成要素的组成等与第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器MV1相同。即,该层叠芯片变阻器MV2具有变阻器素体U、至少一对内部电 极71、以及一对外部电极81。内部电极对71由在至少一层变阻器层 介于其间的状态下前端部分相互相对的第1内部电极72以及第2内部 电极73形成。第1内部电极72以及第2内部电极73以Pd祚为主要 成份,含有例如Ag作为次要成分。各外部电极81分别被配置为,覆盖变阻器素体11的两端面lla。 外部电极81分别与露出于各端面lla的第1内部电极72以及第2内 部电极73物理连接且电连接。与外部电极51同样,外部电极81具有 第1电极层81a和第2电极层81b。第1电极层81a形成于变阻器素体11的端面lla上,含有金属以 及玻璃物质。第1电极层81a含有金属Ag以及Pd。第1电极层81a 是通过烧结含有金属粉末(Ag-Pd合金粉末)以及玻璃粉末的导电膏而 形成的烧结电极层。第2电极层81b形成于第1电极层81a上且含有Pt。第2电极层 81b是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第2电极 层81b也可以含有玻璃物质。在第2电极层81b上,在多处形成有到 达第1电极层81a的孔。形成于第2电极层81b的孔,与形成于第2 电极层51b的孔51c同样地形成,通过调整导电膏的附着厚度或Pt粉 末的含量等,可以控制其形成状态。外部电极81的大致一半的区域为焊脚(fillet)形成部83,通过在 焊脚形成部83直接形成焊料焊脚91,可以将层叠芯片变阻器MV2安 装在基板P上。通过供给的焊料膏熔融并硬化而形成焊料焊脚91。焊 料焊脚91与第2电极层81b电连接且物理连接。焊料焊脚91由所谓 的无铅焊料(例如,Sn-Ag-Cu系的焊料或Sn-Zn系的焊料等)形成, 含有Sn。形成焊料焊脚91时,熔融的焊料膏进入形成于第2电极层81b的 各孔内。由此,焊料焊脚91和第1电极层81a通过形成于第2电极层 81b的各孔而电连接且物理连接。如上所述,在第2实施方式中,由于外部电极81的第1电极层81a 含有玻璃物质,因而变阻器素体11和第1电极层81a (外部电极81) 的连接强度升高,提高了外部电极81的耐冲击性。由于与焊料焊脚91 相接的第2电极层81b含有Pt,因而提高了外部电极81的焊料润湿性 以及耐焊料腐蚀性。在第2电极层81b上,由于在多处形成有到达第1电极层81a的 孔,因而形成焊料焊脚91时,在焊料焊脚91与第1电极层8Ta的界 面附近,形成有Sn与Ag的金属间化合物。所以,在热循环环境下,Sn与Ag的金属间化合物起到了吸收伴随着热循环的反复应力的作用, 使得在焊料焊脚91和第1电极层81a之间不产生裂纹。在第2电极层81b和焊料焊脚91的界面附近,由第2电极层81b 所含有的Pt和焊料焊脚91中所含有的Sn形成金属间化合物。因此, 在热循环环境下,有可能在第2电极层81b和焊料焊脚91之间产生裂 纹。然而,焊料焊脚91和第1电极层81a夹着第2电极层81b而结合, 即使万一在第2电极层81b和焊料焊脚91之间产生裂纹,也能确保焊 料和第1电极层81a之间的连接。所以,在热循环环境下,提高了外 部电极81的连接可靠性。以上说明了本发明的优选的实施方式,但本发明不限于上述的实 施方式,能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变形。在本实施方式中,作为陶瓷电子部件的一个示例,说明了层叠芯 片变阻器,但是只要是具有陶瓷素体的陶瓷电子部件,就没有特别的 限定,例如,也能够适用于层叠电容器、层叠致动器或层叠芯片电感 器等电子部件。在本实施方式中,第l电极层51a、 81a含有Pd,但不一定要含有 Pd。根据内部电极所含有的金属元素,第l电极层51a、 81a不一定要 含有Pd,也可以含有其它金属元素以替代Pd。从本发明的详细说明可知,本发明可作多种方式的变化。这些变 化不能被视为超出了本发明的宗旨和范围,并且,这些对于本领域的 技术人员来说是很显然的修改都被包含在本发明权利要求的范围之 内。
权利要求
1.一种陶瓷电子部件,其特征在于,具备陶瓷素体;以及配置于所述陶瓷素体上的外部电极,其中,所述外部电极具有形成于所述陶瓷素体的外表面上,含有Ag以及玻璃物质的第1电极层;以及形成于所述第1电极层上,含有Pt,并在多处形成有到达所述第1电极层的孔的第2电极层。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于, 还具备形成于所述第2电极层上且由焊料形成的突起状电极。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其特征在于, 还具备配置于所述陶瓷素体内,含有Pd,并与所述第l电极层连 接的内部电极,所述第1电极层还含有Pd。
4.如权利要求1~3的任一项所述的陶瓷电子部件,其特征在于, 所述第1电极层是通过烧结含有Ag粉末以及玻璃粉末的导电膏而 形成的烧结电极层。
5.如权利要求1 4的任一项所述的陶瓷电子部件,其特征在于, 所述第2电极层是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
全文摘要
陶瓷电子部件具备陶瓷素体以及配置于陶瓷素体的外部电极。外部电极具有第1电极层和形成于第1电极层上的第2电极层。第1电极层形成于陶瓷素体的外表面上,含有Ag以及玻璃物质。在第2电极层,含有Pt且在多处形成有到达第1电极层的孔。
文档编号H01G4/232GK101325095SQ200810110148
公开日2008年12月17日 申请日期2008年6月13日 优先权日2007年6月13日
发明者千田直树, 松冈大, 柳田美幸, 相马出 申请人:Tdk株式会社
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