专利名称：：金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法
技术领域：
：本发明涉及金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法。
背景技术：
：近年来，随着半导体集成电路(以下记为LSI)的高集成化、高性能化，开发出了新的微细加工技术。化学机械研磨(以下记述CMP)法就是其中之一，它是一种在LSI制造工序，特别是在多层配线形成工序的层间绝缘膜的平坦化、金属插塞(plug)形成、埋入配线形成等工序中被频繁利用的技术(例如，参照美国专利第4,944,836号说明书)。并且，最近为了使LSI得以高性能化，尝试着利用铜合金作为配线材料。但铜合金难以采用以往的在铝合金配线形成中频繁使用的干蚀刻法进行微细加工。于是，主要采用例如在预先形成沟的绝缘膜上堆积铜合金薄膜埋入后，由CMP去除沟部以外的铜合金薄膜以形成埋入配线的所谓镶嵌(Damascene)法(例如参照日本国专利特开平2-278822号公报)。金属的CMP的一般方法是，在圆形的研磨台盘(platen)上贴附研磨垫(pad),用金属用研磨液浸润该研磨垫表面，按压基板的形成金属膜的面，在从其背面施加规定压力(以下记为研磨压力)的状态下旋转研磨台盘，由研磨液与金属膜的凸部的机械摩擦，去除凸部的金属膜。CMP中使用的金属用研磨液，一般由氧化剂及研磨粒子构成，根据需要可进一步添加氧化金属溶解剂、保护膜形成剂等。首先通过氧化使金属膜表面氧化，再由研磨粒子消除该氧化层，被认为是其基本机理。由于凹部的金属表面的氧化层基本上触及不到研磨垫，从而由研磨粒子的削取效果就涉及不到，因此在进行CMP的同时凸部的金属层被去除，而使基板表面得以平坦化(例如，参照F.B.Kaufman等"Chemical-MechanicalPolishingforFabricatingPatternedWmetalFeaturesaschipInterconnects"电化学学会杂志(JournalofTheElectrochemicalSociety)、第138巻11号(1991年发行)、3460-3464页)。但是，使用含有以往的研磨粒子的金属用研磨液，由CMP进行埋入配线形成时，产生(1)所埋入金属配线的表面中央部被均衡地研磨成如盘子般凹进去的现象(以下记为凹陷(dishing))，以及层间绝缘膜也与配线金属一起被研磨而凹进去的现象(以下记为侵蚀(erosion))等平坦性恶化的情况，或(2)为了去除研磨后残留在基板表面上的研磨粒子，进行清洗工序，而导致工序变得复杂等问题。为了解决平坦性恶化的问题，抑制凹陷、侵蚀、研磨伤等情况，以形成高可靠性的LSI配线，提倡使用含有由甘氨酸等氨基乙酸或酰胺硫酸构成的氧化金属溶解剂及BTA(苯并三唑)等保护膜形成剂的金属用研磨液的方法(例如，参照日本国专利特开平8-83780号公报)。但是，由BTA等的保护膜形成效果解决平坦化恶化的问题时，有时不仅对凹陷及侵蚀，还会使研磨速度也显著低降，因此是不优选的。另一方面，由CMP处理去除附着在基板上的研磨粒子时，主要是采用PVA刷或超音波进行物理清洗。但是，随着附着在基板上的研磨粒子变得越来越微细，使物理力有效地作用于研磨粒子就变得越来越困难。作为解决研磨粒子清洗性的方案，针对附着在基板上的研磨粒子的去除，提倡在清洗液中添加表面活性剂，或者变更清洗液的pH，使研磨粒子与基板的电位为相同符号，来提高清洗效果的方法(例如，参照日本国专利特开平8-107094号公报)。
发明内容如上所述，BTA的保护膜形成效果非常高，因此不仅是对碟化、侵蚀，对研磨速度也有使其显著低降的倾向。从而，期望一种能够在充分降低凹陷、侵蚀的同时不会降低CMP速度的金属用研磨液。另外，上述表面活性剂的添加，有可能使表面活性剂本身附着于基板上而成为污染源，进而，与使用的研磨液组合时有可能发挥不出效果。本发明提供一种能够以高Cu研磨速度实现高平坦化的金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法。并且，本发明提供一种能够减少研磨后残留在基板表面上的研磨粒子的金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法。本发明涉及，(1)金属用研磨液，其为含有研磨粒子及化学成分的金属用研磨液，其中，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。另外，本发明涉及，(2)金属用研磨液，其为含有研磨粒子的金属用研磨液，其中，所述研磨粒子的表面电位的电荷与作为金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属的表面电位的电荷符号相同。还有，本发明涉及，(3)根据上述(1)所述的金属用研磨液，其中，反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位(mV)与研磨粒子的表面电位(mV)的乘积为1~10000。再者，本发明涉及，(4)根据上述(2)所述的金属用研磨液，其中，被研磨金属的表面电位(mV)与研磨粒子的表面电位(mV)的乘积为1~10000。又，本发明涉及，(5)研磨粒子的一次粒径为200nm以下的上述(1)(4)中的任何一项所述的金属用研磨剂。另外，本发明涉及，(6)研磨粒子处于缔合的状态，并且其缔合后的二次粒径为200nm以下的上述(1)~(5)中的任何一项所述的金属用研磨液。还有，本发明涉及，(7)研磨粒子的掺合量为0.001~10质量％的上述(1)~(6)中的任何一项所述的金属用研磨液。再者，本发明涉及，(8)研磨粒子为胶态硅石(colloidalsilica)及胶态硅石类中的至少一方的上述(1)~(7)中的任何一项所述的金属用研磨液。并且，本发明涉及，(9)金属用研磨液的pH为2.0-7.0的上述(1)(8)中的任何一项所述的金属用研磨液。另外，本发明涉及，(IO)作为金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属是从由铜、铜合金、铜的氧化物及铜合金的氧化物构成的组中选出的至少一种的上述(1)~(9)中的任何一项所述的金属用研磨液。并且，本发明涉及，(11)一边向研磨台盘的研磨布上供给上述(1)~(10)中的任何一项所述的金属用研磨液，一边在使具有被研磨膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨台盘与基板相对移动，来研磨被研磨膜的研磨方法。本发明的金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化。另外，本发明的金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，可减少研磨后残留在被研磨面上的研磨粒子。图l是表示实施例l、实施例2、比较例1的，研磨速度(左轴、实线)及凹陷(右轴、虚线)与!^A(被研磨金属及研磨粒子的各自的表面电位(mV)的乘积)之间关系的图表。具体实施例方式详细说明本发明的实施方式涉及的金属用研磨液。本发明的金属用研磨液的一个方面，是含有研磨粒子及化学成分的金属用研磨液，其中，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。这里，本发明金属用研磨液中的化学成分，是在被研磨金属上形成反应层或吸附层或它们的混合层的成分，是指除了对被研磨金属主要为机械作用的研磨粒子以外的构成成分，即氧化金属溶解剂、金属防腐蚀剂、氧化剂、其他添加剂等。另外，由化学成分形成的反应层，是指化学成分与被研磨金属通过共价键、配位键、离子键等结合而成的层。吸附层是指化学成分通过氢键、范德华力、静电引力等物理吸附，被吸附在被研磨金属上而成的层。在本发明中，表面电位是指由C电位测定装置测定得到的；电位。被研磨金属的表面电位乃至反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位，是指对于在未添加研磨粒子的金属用研磨液中添加的被研磨金属的氧化物粉末微粒进行测定而得的4电位。例如当被研磨金属为Cu的情况，在未含有研磨粒子的金属用研磨液中添加氧化铜(II)粉末后静置，采取其上清液测定氧化铜的^电位。并且，研磨粒子的表面电位是指在金属用研磨液中测定上述研磨粒子而得的4电位。再者，本发明的金属用研磨液的另一方面，是含有研磨粒子的金属用研磨液，其中，所述研磨粒子的表面电位的电荷与作为金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属的表面电位的电荷符号相同。被研磨金属的表面电位，是指对于在未添加研磨粒子的金属用研磨液中添加被研磨金属的氧化物粉末进行测定而得的4电位。就作为金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属来说，优选为从由铜、铜合金、铜的氧化物及铜合金的氧化物构成的组中选出的至少一种。其他可以举出钽、钛、钨、以及它们的化合物等。作为所述研磨粒子，例如，可以举出硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化钸等，其中优选胶态硅石和/或胶态硅石类。进而，也可以使用在上述研磨粒子中添加微量金属类，或实施表面修饰，调节电位的粒子。其方法并无特别限制。并且，研磨粒子可以通过测量市场上销售的商品的表面电位，根据被研磨金属的情况适当选择。在此，胶态硅石类是指以胶态硅石为基础，在溶胶凝胶反应时添加微量的金属类而得到的材料，对表面的硅烷醇基实施化学修饰而得到的材料等，对其方法并无特别限制。由^电位测定装置求出的，由金属用研磨液中含有的化学成分形成的被研磨金属的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位(mV)与研磨粒子的表面电位(mV)的乘积(以下称为R*A)优选为1~10,000,更优选为10010,000，尤其优选为250-10,000。并且，由C电位测定装置求出的，作为金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属的表面电位(mV)与研磨粒子的表面电位(mV)的乘积(以下称为R*A)优选为110,000，更优选为10010，000，尤其优选为25010,000。CMP被认为是使被研磨金属表面通过化学成分的作用，形成由化学成分和被研磨金属构成的反应层，改质为脆弱软质来进行研磨。要想取得良好的平坦性，优选控制该脆弱软质的反应层与研磨粒子接触，但是要想得到良好的研磨速度及在基板面内的稳定的研磨速度分布的稳定化，则适宜添加研磨粒子。在本发明中，通过使用与在被研磨金属上形成的反应层或吸附层或它们的混合层相同电位的研磨粒子，可由静电斥力抑制反应层与研磨粒子的接触，并且通过添加研磨粒子，可兼得良好的研磨速度与在基板面内的研磨速度的稳定化。另外，通过使用与在被研磨金属上形成的反应层或吸附层或它们的混合层同电位的研磨粒子，可由静电斥力抑制CMP处理后的被研磨基板上残留研磨粒子。上述研磨粒子的一次粒径优选为200nm以下，更优选为5-200nm，尤其优选为5150nm，极其优选为5-100nm。当该一次粒径超过200nm时，平坦性有恶化的倾向。当上述研磨粒子缔合的情况，二次粒径优选为200nm以下，更优选为10200nm，尤其优选为10150nm，极其优选为10100nm。如果该二次粒径超过200nm，平坦性有恶化的倾向。另外，选择不足10nm的二次粒径时，由研磨粒子的机械性反应层去除能力将变得不充分，而有可能使CMP速度降低，需要引起注意。本发明中的研磨粒子的一次粒径是使用透射电子显微镜(例如日立制作所株式会社制造的S4700)测定。另外，二次粒径是使用光衍射分散式粒度分布仪(例如，COULTERElectronics公司制造的COULTERN4SD)测定。上述研磨粒子在金属用研磨液中的掺合量，优选为0.001-10质量％，更优选为0.012.0质量％，尤其优选为0.02~1.0质量％。如果掺合量不足0.001质量％，由研磨粒子的机械性反应层去除能力将不充分，而有可能使CMP速度降低，如果超出10质量％，则有平坦性恶化的倾向。这里，各化学成分、研磨粒子的掺合量是相对于CMP使用时的金属用研磨液的质量％。本发明的金属用研磨液，有望在金属用研磨液的整个pH区域实现平坦性提升及清洗性提升，pH优选为2.0-7.0，pH更优选为3.05.0。本发明的被研磨金属的氧化剂，可以举出过氧化氢(H202)、硝酸、高碘酸钾、过硫酸铵、次氯酸、臭氧水等，其中尤其优选过氧化氢。当基板为包含集成电路用元件的硅基板的况，可使用碱金属、碱土金属等。这些可以单独使用一种，或者组合两种以上使用，但由于不希望被卤化物等污染，所以优选不含不挥发成分的氧化剂。其中从稳定性方面考虑优选过氧化氢。氧化金属溶解剂适宜为水溶性，优选从有机酸、有机酸酯、有机酸的铵盐及硫酸中选出的至少一种。可举出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水杨酸、甘油酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、马来酸、苯二酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、天冬酰胺、天冬氨酸、丙氨酸、精氨酸、异亮氨酸、甘氨酸、谷酰胺、谷氨酸、胱氨酸、半胱氨酸、丝氨酸、酪氨酸、色氨酸、苏氨酸、缬氨酸、组氨酸、羟脯氨酸、羟赖氨酸、苯基丙氨酸、脯氨酸、蛋氨酸、赖氨酸、亮氨酸、及这些有机酸的铵盐等盐、硫酸、硝酸、氨、铵盐类，例如过硫酸铵、硝酸铵、氯化铵等，铬酸等或它们的混合物等。其中，甲酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸，对于包含从铜、铜合金及铜或铜合金的氧化物中选出的至少一种金属层的层积膜是适宜的。这些从容易得到与保护博形成剂的平衡的方面来说是优选的。特别是苹果酸、酒石酸、柠檬酸，由于能够在维持实际使用时的CMP速度的同时有效地抑制蚀刻速度，因此是优选的。这些可以单独使用一种，或组合两种以上使用。金属防腐蚀剂优选从以下的组中选出，可以举出氨、二甲胺、三甲胺、三乙胺、丙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、二乙基二硫代氨基甲酸钠及壳聚糖等的氨及垸基胺、双硫腙、亚铜试剂(2,2，-联喹啉)、新亚铜试剂(2,9-二甲基-l,10-邻菲罗啉)、2，9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(bathocuproine)及双环己酮草酰二腙(cuprizone)等亚胺；2-硫醇基苯并咪唑、三嗪二硫醇、三嗪三硫醇、2-[2-(苯并噻唑基)]硫代丙酸、2-[2-(苯并噻唑基)]硫代丁酸、2-巯基苯并噻唑、1,2,3-三唑、1,2，4-三唑、3-氨基-lH-l，2，4-三唑、苯并三唑、1-羟基苯并三唑、1-二羟丙基苯并三唑、2，3-二羧丙基苯并三唑、4-羟基苯并三唑、4-羧基-lH-苯并三唑、4-羧基-lH-苯并三唑甲酯、4-羧基-lH-苯并三唑丁酯、4-羧基-lH-苯并三唑辛酯、5-己基苯并三唑、[1,2,3-苯并三唑基-1-甲基][l，2，4-三唑基-l-甲基][2-乙基己蜀胺、甲苯基三唑、萘并三唑、双[(l-苯并三唑基)甲基]膦酸等唑；壬基硫醇及十二基硫醇等硫醇；以及葡萄糖、纤维素等。其中优选苯并三唑、三唑及其衍生物，因为可兼得高研磨速度及低蚀刻速度。作为本发明中的其他添加剂，适宜使用从以下的组中选出的一种以上的水溶性高分子。可以举出聚丙烯酸、聚丙烯酸铵盐、聚丙烯酸钠盐、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸铵盐、聚甲基丙烯酸钠盐、聚丙烯酰胺等以具有羧基的单体作为基本构成单元的聚合物及其盐、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等以具有乙烯基的单体作为基本构成单位的聚合物所构成的组。其中，当应用的基板为半导体集成电路用硅基板等的情况，不希望被碱金属、碱土金属、卤化物等污染，因此优选为酸或其铵盐。通过添加这些水溶性高分子，可以得到高的研磨速度和良好的凹陷。本发明的研磨方法，是一边向研磨台盘的研磨布上供给上述金属用研磨液，一边在使具有被研磨膜的基板按压于研磨布的状态下使研磨台盘与基板相对移动，来研磨被研磨膜的研磨方法。作为进行研磨的装置，例如可使用具有贴附了研磨布(垫)并且安装了可变更转数的马达等的台盘、及用以保持基板的支架的普通研磨装置。对于研磨布没有特别限制，可使用一般的非织造布、发泡聚氨酯、多孔质氟树脂等。对于研磨条件没有特别限制，但为了使基板不飞出台盘，优选使台盘以200rpm以下的转数低速旋转。具有被研磨膜的基板对研磨布的研磨压力优选为5100kPa，从研磨速度在晶圆面内的均一性及图案的平坦性方面考虑，更优选为1050kPa。研磨期间，优选用泵等连续地向研磨布供给金属用研磨液。对于该供给量没有特别限制，但优选研磨布的表面一直由研磨液覆盖。研磨结束后的半导体基板，优选在流水中充分清洗后，使用旋转式脱水机等甩掉附着于基板上的水滴，再干燥。被研磨膜，优选如上述的被研磨金属为从由铜、铜合金、铜的氧化物及铜合金的氧化物构成的组中选出的至少一种。其它，还可以举出钽、钛、钨及它们的化合物等。本发明的金属用研磨液及研磨方法，例如可应用于LSI制造工序，特别是在多层配线形成工序中，可研磨基板上的铜合金薄膜等的配线材料，埋入形成配线。另外，也可使用于磁头等的基板的研磨。以下，以实施例具体说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。(实施例1~4及比较例1:金属用研磨液l)使用的金属用研磨液1是，含有1质量％以下的有机酸(氧化金属溶解齐廿)、0.5质量°/。以下的含氮环状化合物(金属防腐蚀剂)、2质量％以下的水溶性高分子(添加剂)、10质量％以下的过氧化氢(氧化剂)及水。还有，将一次粒径为表1所记载的平均值±10%、二次粒径为表1所记载的平均值土15%的范围内，并且表面电位各不相同的表1所记载的研磨粒子添加到所述金属研磨液1中。在实施例14及比较例1中，使用添加了具有各不相同的表面电位的研磨粒子而成的上述金属用研磨液1，以下述研磨条件对被研磨基板进行CMP。(实施例5及比较例2:金属用研磨液2)使用的金属用研磨液2是，含有0.5质量％以下的氧化金属溶解剂、0.3质量％以下的含氮环状化合物(金属防腐蚀剂)、0.5质量％以下的水溶性高分子(添加剂)、10质量％以下的过氧化氢(氧化剂)及水。还有，将一次粒径为表1所记载的平均值±10%、二次粒径为表1所记载的平均值±15%的范围内，并且表面电位各不相同的表1所记载的研磨粒子添加到所述金属研磨液2中。在实施例5及比较例2中，使用添加了具有各不相同的表面电位的研磨粒子而成的上述金属用研磨液2，以下述研磨条件进行CMP。(实施例6及比较例3:金属用研磨液3)使用的金属用研磨液3，含有1质量％以下的有机酸(氧化金属溶解剂)、2质量％以下的水溶性高分子(添加剂)、10质量％以下的过氧化氢(氧化剂)及水。还有，将一次粒径为表1所记载的平均值±10%、二次粒径为表1所记载的平均值±15%的范围内，并且表面电位各不相同的研磨粒子添加到所述金属研磨液3中。在实施例6及比较例3中，使用添加了具有各不相同的表面电位的表1记载的研磨粒子而成的上述金属用研磨液3，以下述研磨条件对被研磨用基板进行CMP。表面电位测定方法在本发明，由化学成分形成在被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位(以下也称被研磨金属的^电位)、及研磨液中的研磨粒子的表面电位，采用测定原理是激光多普勒法的下述C电位测定装置进行测定。测定被研磨金属为Cu的所述被研磨金属的；电位时，在不含研磨粒子的金属用研磨液中添加1质量％的氧化铜(II)粉末(关东化学株式会社制作)并静置5分钟，用吸液管采取其上清液，使用注射器将5ml注入测定容器中，测定氧化铜的c电位。研磨粒子的表面电位(以下也称为研磨粒子的；电位)，是在金属用研磨液中含有表1所记载的掺合量的状态下进行6电位测定。测定装置ZETASIZER3000HS(MALVERN公司制)测定条件温度25°C分散介质的折射率1.331分散介质的粘度0.893cP(研磨粒子径测定方法)在本发明所用的研磨粒子的一次粒径，是使用透射电子显微镜(日立制作所株式会社制造的S4700)，将研磨液在微孔筛上以不产生凝集的方式干燥，用1050万倍进行测定。研磨离子的二次粒径，是使用光衍射散射式粒度分布仪(COULTERElectronics公司制造的COULTERN4SD)，在测定温度20°C，调节成强度(散射强度，相当于浊度)在5E+044E+0.5的范围，强度过强时用纯水稀释，测定五次，求出单峰值的平均值。这里，以溶剂折射率1.333(水)、粒子折射率设定未知、溶剂粘度1.005cp(水)、运转时间200秒、激光入射角90°的条件进行。(形成有铜配线的被研磨用基板)关于凹陷的评价，使用对于在由硅构成的基板表面具有以深度500nm的沟形成的图案的绝缘层，用溅射法形成25nm的TaN膜与10nm的Cu膜后，再用电解电镀法堆积1.2um的Cu而成的被研磨用基板(SEMATECH854晶圆)。Cu研磨速度是从被研磨用基板的初期膜厚与研磨时间求出。(研磨条件)研磨垫IC-1400(Rodel公司制造)研磨压力13.8kPa研磨液供给量200ml(CMP后的清洗)CMP处理后，进行由PVA刷、超音波水的清洗后，以旋转式脱水机进行干燥。(研磨品评价项目)Cu研磨速度从电阻值换算铜膜CMP前后的膜厚差后求出。凹陷关于凹陷的评价，是用接触式段差仪(Veeco公司制DECKTAKV200-Si)，扫描配线宽100um、配线间隔宽100wm部来进行的。残留粒子数使用KLA-Tencor公司制Surfscan622测量研磨基板上的残留研磨粒子。对于CMP后的基板，通过目测、光学显微镜观察及电子显微镜观察，确认有无产生研磨伤。其结果未见研磨伤产生。将实施例16及比较例1~3的，Cu研磨速度、凹陷及残留粒子数的评价结果示于表l。表l<table>complextableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>实施例1，相对于添加了具有大致相同的研磨粒子径并且研磨粒子的表面电位与被研磨金属符号相异的研磨粒子的比较例1，在显示大致同等的CU研磨速度的同时，大幅度降低了凹陷。在实施例2中，添加了具有与实施例1大致相同的研磨粒子径并且研磨粒子的表面电位比实施例1大的粒子。与实施例1比较，可知提升凹陷。在实施例3中，选择二氧化钛作为研磨粒子。可知与研磨粒子种类无关凹陷良好。如实施例4所示，当研磨粒子的一次粒径、二次粒径较大时，凹陷有恶化的倾向，需要加以注意。从实施例5及比较例2可知其效果不依赖于pH而能发挥效果。在实施例6中，是从实施例15的化学成分中去除了金属防腐蚀剂。由于不含金属防腐蚀剂，研磨速度、凹陷增大，但相对于具有与实施例6同样的化学成分的比较例3，可知提升了凹陷。从实施例16及比较例13可知，当被研磨金属与研磨粒子的；电位符号相同，并且I^A值越大时，其残留粒子数也越少。这里，在图l表示实施例l、实施例2、比较例1的，绘制了研磨速度、凹陷与I^A之间关系的图。从图1明显可知随着I^A值变大凹陷降低。另一方面，未确认出Cu研磨速度的明显减少。即，可知通过使I^A值增大，能够在维持Cu研磨速度的同时减少凹陷。另外，在本实施例中被研磨金属的表面电位符号为负，所以使用了表示负的表面电位符号的研磨粒子，但认为当被研磨金属的表面电位符号为正时，如果使用表示正的表面电位符号的研磨粒子即可得到本发明的效果。工业应用性本发明的金属用研磨液及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化。并且，本发明的金属用研磨液及使用该研磨液的研磨方法，可以减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。权利要求1.一种金属用研磨液，含有研磨粒子，其特征为，所述研磨粒子的表面电位的电荷与作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属的表面电位的电荷符号相同，被研磨金属的表面电位(mV)与研磨粒子的表面电位(mV)的乘积为1～10000。2.根据权利要求1所述的金属用研磨液，其特征为，研磨粒子的一次粒径在200nm以下。3.根据权利要求1所述的金属用研磨液，其特征为，研磨粒子处于缔合状态，缔合后的二次粒径在200nm以下。4.根据权利要求1所述的金属用研磨液，其特征为，研磨粒子的掺合量为0.00110质量％。5.根据权利要求1所述的金属用研磨液，其特征为，研磨粒子是胶态硅石及胶态硅石类的至少一方。6.根据权利要求1所述的金属用研磨液，其特征为，pH值为2.07.0。7.根据权利要求1所述的金属用研磨液，其特征为，作为金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属是从由铜、铜合金、铜的氧化物及铜合金的氧化物构成的组中选出的至少一种。8.—种研磨方法，其特征为，一边向研磨台盘的研磨布上供给权利要求1所述的金属用研磨液，一边将具有被研磨膜的基板按压在研磨布上，并在该状态下使研磨台盘与基板相对地移动，来研磨所述被研磨膜。全文摘要一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化，并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。文档编号H01L21/321GK101343510SQ20081021248公开日2009年1月14日申请日期2005年4月12日优先权日2004年4月12日发明者上方康雄,寺崎裕树,小野裕,野村丰申请人:日立化成工业株式会社