专利名称：接合晶片的装置及方法及整平接合晶片的方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路的制造，尤其涉及一种将半导体芯片(die)接 合至晶片上的装置及方法。
背景技术：
随着半导体技术的发展，半导体芯片变得越来越小。然而，半导体芯片 内必须整合更多的功能。因此，半导体芯片必须具备越来越多的输入/输出 (I/O)焊盘形成于狡小的区域且I/0焊盘的密度也快速增加。如此一来，半 导体芯片的封装变得更加的困难而严重影响合格率(yield)。
封装技术可分为两种类型。 一种类型通常称为晶片级封装(wafer level package, WLP),其中晶片上的芯片是在切割工艺之前就进行封装。WLP技 术具有某些优点。例如，较大的产能和较低的成本。再者，所需的底胶 (under-fill)及/或成型材料(molding compound)较少。然而，WLP技术也 有一些缺点。如之前所述，芯片的尺寸越来越小，而公知WLP只能是扇入 (fm-in)式封装，其中每一个芯片的I/O焊盘受限于芯片表面正上方的区域。 在芯片的有限区域，1/0焊盘的数量会因I/0焊盘的间距限制而受P艮。若縮小 焊盘间距，容易发生焊料架桥(solderbridge)。因此，在固定焊球尺寸规定 下，焊球必须为某一尺寸，其限制了芯片表面上可封装形成的焊球数量。
在另一种封装类型中，自晶片切割芯片是在其封装至其他晶片之前进 行，且只有己知良品芯片(known-good-die)进行封装。此封装技术的优点 在于形成扇出(fan-out)式芯片封装的可能性，其意谓着芯片上的I/O焊盘 可重布于大于芯片的区域，故可增加芯片表面上封装形成的I/O焊盘数量。
图1及图2示出公知接合工艺中部分阶段剖面示意图。请参照图1A， 已知良品芯片12预先一片接着一片接合至晶片10上，其中接合时间相对较 短，例如每一个芯片只需几秒或更短的时间。接着需进行整平接合(leveling bonding)。公知用于整平接合的整平接合系统包括接合头16及位于下方并冲(compliant)层14。缓冲层14具有一平整表面且用 于补偿芯片12之间厚度变化。如第图2所示，在整平接合期间，接合头16 向下移动，以透过缓冲层14在芯片12上施加一力量，使芯片12平整地接 合至晶片12上。
图1及图2所示的整平接合系统具有某些缺点。缓冲层14贴附于接合 头16上，因此在更换之前，使用的时间周期相对较长。超时使用，会产生 印痕(imprint)及其他缺陷，而使缓冲层14的作用受到严重的影响，其接 着影响整平接合工艺的可靠度。另外，缓冲层14通常由橡胶或是其他聚合 物(polymer)材料所构成，其承受温度只能到达300°C 。然而，在某些应用 中，例如铜对铜直接接合，所需的温度高于300。C，而使图1及图2所示的 整平接合系统的使用受限。再者，上述接合系统的产能低， 一部分的原因在 于整平接合每片晶片的时间相对较长。
因此，必须寻求一种整平接合系统及方法，以进行具有高产能及增加可 靠度的整平接合。
发明内容
本发明的目的在于提供一种接合晶片的装置及方法，以及整平接合晶片 的方法，以改善现有技术的缺点。
根据本发明的一方案， 一种接合晶片的装置，包括 一接合承座，用以 承载晶片； 一接合头，位于接合承座上方，其中接合承座与接合头具有彼此 相对移动的配置；以及一薄片发送器，用以发送一薄片至晶片上。
根据本发明的另一个方案， 一种接合晶片的装置，包括 一接合承座， 用以承载晶片； 一接合头，位于接合承座上方且具有一表面面向接合承座， 其中接合头不具有聚合物材料； 一机械手臂，用以将晶片载入接合承座上， 并且自接合承座载出晶片； 一薄片，其两侧不具有粘着剂，且其尺寸不小于 晶片的尺寸；以及一薄片发送器，用以发送薄片至晶片上。
根据本发明的又一个方案， 一种接合晶片的装置，包括 一接合承座， 用以承载晶片； 一第一接合头，位于接合承座上方且具有一表面面向接合承 座，其中第一接合头与接合承座具有彼此相对移动的配置；以及一第二接合 头，位于第一接合头上方且与第一接合头之间具有一空隙，其中空隙足以放置晶片，且其中第一接合头及第二接合头不具有聚合物材料，而具有彼此相 对移动的配置。上述装置还包括 一机械手臂，用以将晶片载入接合承座及 第一接合头中至少一个，并且自接合承座及第一接合头中至少一个载出晶 片；以及一薄片发送器，用以发送一薄片至晶片上，其中薄片的两侧不具有 粘着剂，且具有一晶片尺寸。
根据本发明的又一个实施例， 一种接合晶片的方法，包括提供一接合 承座，用以承载晶片；于接合承座上方提供一接合头；发送一薄片至晶片上; 将晶片放置于接合承座上；以及借助接合承座及接合头，对薄片及晶片施加
根据本发明的又一个实施例， 一种整平接合晶片的方法，包括提供一 接合承座；于接合承座上方提供一第一接合头；于第一接合头上方提供一第 二接合头，其中接合承座、第一接合头、及第二接合头具有彼此相向移动的 配置；发送一第一薄片至一第一预先接合晶片上，其中第一预先接合晶片包 括位于一第一基础晶片上的多个第一芯片；将第一预先接合晶片放置于接合 承座与第一接合头之间；发送一第二薄片至一第二预先接合晶片上，其中第
二预先接合晶片包括位于一第二基础晶片上的多个第二芯片；将第二预先接 合晶片放置于第一接合头与第二接合头之间；以及对第二接合头加压，以对 第一预先接合晶片及第二预先接合晶片施加力量。
本发明的优点在于具有较大的产能、可靠度的提升、以及将整平晶片系 统的使用扩展至高温应用。
图1及图2示出使用公知整平接合系统的接合工艺中部分阶段剖面示意
图3示出根据本发明实施例的整平接合系统； 图4示出用于发送薄片至晶片上的薄片发送器；
图5A至图5C示出第一整平接合工艺中部分阶段剖面示意图，其中在预 先接合的晶片放置于接合承座上之前，薄片被发送至上述晶片上；
图6示出第二整平接合工艺中部分阶段剖面示意图，其中在预先接合的 晶片放置于接合承座上之后，薄片被发送至上述晶片上；图7及图8示出另一个整平接合工艺中部分阶段剖面示意图，其中使用 具有堆叠接合头的整平接合系统，对晶片两个晶片同时进行接合。
其中，附图标记说明如下 公知
Dl、 D2 空隙。
具体实施例方式
以下的说明为本发明实施例的制造与使用。然而，必须了解的是本发明 提供许多适当的发明概念，可实施于不同的特定背景。述及的特定实施例仅 仅用于说明以特定方法来制造及使用本发明，并非用以限定本发明范围。
以下提供一种新颖的整平接合系统以及进行整平接合工艺的方法，以及 说明优选实施例的差异及操作。在本发明实施例中，相同的部件使用相同的 标号。
图3示出局部的整平接合系统100，其包括接合头20以及接合承座22。 接合头20以及接合承座22最好是位于一可控环境24内，其能够填充使用 于整平接合工艺的气体，该气体包括干净的空气及氮气等等。可控环境24 也可为一抽真空的接合腔室。接合头20最好具有一平整表面26。在一实施 例中，平整表面26具有高硬度大体上不会因整平接合而产生印痕(imprint)。 因此，接合头20可由钢铁或其适当材料所构成。接合头20的温度也可被控 制，举例而言，经由一内部加热器(未示出)来加热至所需的温度，其可加 热至50(TC，甚至更高。接合承座22也最好具有一平整表面28。接合承座
10~晶片；
14 缓冲层；
本发明
20、 20、202~接合头;
24 可控环境；
30 机械手臂；
36~薄片；
42 芯片；
50 移动导引器；
22 接合承座；
26、 28 平整表面；
34 薄片发送器；
40、 40!、 40广晶片;
44 控制系统；
100 整平接合系统;
12 已知良品芯片;
16~接合头。22的温度也可被控制，以加热至所需的温度。接合头20及接合承座22的尺 寸大于被接合的晶片(如图4所示的晶片40)。
整平接合系统100最好包括用于上下移动接合头20及/或接合承座22的 机械部件(未示出)。而施加于晶片上的力量也可被控制。图3也示出运送 晶片至接合承座22上以及自接合承座22移离晶片的机械手臂30。
在一优选实施例中，使用薄片来进行整平接合。薄片可在进行一次整平 接合之后即丢弃。因此，内文中的薄片为一次性使用薄片。薄片的尺寸至少 等于待整平接合的晶片的尺寸，而最好是稍微大于。图4示出一薄片发送器 34，用以发送薄片36至晶片40上，晶片40为待整平接合的晶片且其上方 具有预先接合(pre-bonded)的芯片42。在发送薄片36之后，薄片36必须 覆盖所有的芯片42。
薄片36的熔点温度高于整平接合工艺所使用的温度。另外，薄片36的 硬度必须在一适当的范围。可以了解的是在从各个晶片切割出这些芯片42 之前，由于晶片薄化工艺的不均匀性，造成这些芯片42具有厚度差异。由 接合头20及接合承座22 (请参照图3)所施加的力量必须经过薄片36大体 均匀地施加于这些芯片42。因此，薄片36必须有足够的硬度来传导该力量 且具有足够的形变来吸收过多的力量施加于较厚的芯片42。在一实施例中， 薄片36可由铝所构成，其熔点温度约为660°C。在其他实施例中，薄片36 可由铜合金所构成，例如黄铜(braze)，其熔点温度约为900。C。在另一个 实施例中，薄片36可由聚合物(polymer)所构成，例如橡胶，其熔点温度 约为300。C或更高。薄片36的厚度在数十微米(pm)到数百微米的范围。 本发明的优点在于薄片36为一次性使用，因此可依照几个因素来选择适当 薄片，例如待接合晶片的种类以及是否芯片42与晶片40之间的接合为氧化 物对氧化物的接合、铜对铜的接合等等。
图3及图4也示出一控制系统44，其包括一计算机及一程序码，用以控 制及调节晶片40的载入/载出、接合头20及/或接合承座22的移动与加热、 以及薄片的发送。
在图4中，芯片42预先接合至晶片40上。芯片42切割自晶片且为已 知良品芯片。芯片42可面对面、背对面、面对背、背对背地接合至晶片40 上，且可为氧化物对氧化物的接合、氧化物对硅的接合、金属对金属的接合(如铜对铜或任何金属间接合)等等。可借助放置每一个单芯片42至晶片 40上并且在芯片上，短时间(例如，几秒钟)施加一力量来进行预先接合。 在预先接合期间，可加热，例如在25。C至400。C的范围，其取决于芯片42 与晶片40之间接合的类型。在预先接合之后，具有预先接合芯片42的晶片 40必须经过一道整平接合工艺以强化该接合。
图5A至图5C示出本发明的一第一工艺流程。请参照图5A，薄片36 首先发送至预先接合的芯片42与晶片40上。没有任何粘着剂使用于粘着薄 片36与芯片42。薄片36的材料取决于后续整平接合所需的温度。举例而言， 若温度约为300。C或以下，薄片36可由聚合物、铜、铝等等所构成。若需使 用高温，则不使用聚合物。换言之，薄片36可由铜、铝等等所构成。接着， 请参照图5B，发送的薄片36、芯片42、及晶片40借助机械手臂30 (如图 3所示)传送至可控环境24内且放置于接合头20与接合承座22之间。在进 行整平接合工艺期间，可控环境24内可填充干净的空气、氮气等等，也可 以抽真空。
请参照图5B，借助向着接合承座22压迫接合头20来进行整平接合工 艺，使力量施加于薄片36、芯片42、及晶片40上。没有任何粘着剂放置于 薄片36的上表面。依照接合的方法(例如氧化物对氧化物的接合、铜对铜 的接合等等)，接合头20及/或接合承座22所需的力量及温度有所不同。在 一实施例中，所施加的力量在10psi到100psi的范围。铜对铜接合的所需温 度在200。C以上，例如，在200。C至500。C的范围。氧化物对氧化物的接合的 所需温度低于300°C。整平接合的时间约在10分钟至60分钟的范围。
在图5C中，接合头20自薄片36松开，接着自芯片42上方移除薄片 36并可丢弃。晶片移出可控环境24，而另一个晶片可进行接合。
图6示出另一个工艺流程的部分阶段。本实施例相似于图5A至图5C 的实施例，除了薄片36的发送是在将晶片40放置于接合承座22上之后进 行的。在本实施例中，预先接合芯片42与晶片40，再借助机械手臂(如图 3所示)传送至可控环境24内，接着放置于接合头20与接合承座22之间。 薄片发送器34接着发送薄片36至芯片42上。而后续的整平接合工艺实质 相同于图5B及图5C所述，在此不在赘述。
上述实施例包括一多重接合头的设计。图7示出一实施例，其包括接合头2(h及位于其上的接合头202。接合头2(h及202与接合承座22可个别或同 时加热至相同或不同的温度。移动导引器50用于连接接合头20,与接合承座 22，且用于引导接合头20J勺移动。接合头20i作为放置于其上的晶片的接 合承座，且可进一步包括增额晶片承座部件(未示出)，用以承载放置于其 上的晶片。空隙D1及D2足以载入/载出晶片。多重接合头系统也包括一机 械手臂30 (如图3所示)及薄片发送器34 (如图4所示)。
多重接合头系统操作中，晶片4(^及402分别放置于接合承座22与接合 头20i上，如图7所示。而在放入晶片40i及402之前或之后，将薄片36放 置于晶片4(^及402上。当接合头202向下移动，如第图8所示，晶片402受 压，使接合头20,向下移动(受限于或沿着移动导引器50)，直至接合头20i 的底部压住薄片36。接合头202所施加的力量因而传导至晶片402、接合头 20i、并依序压住晶片40,。可额外加入机械及/或电子部件(未示出)以个别 调整施加于晶片4(^及402上的力量。再者，接合头20i及202可加热至所需 的相同或不同温度。
借助使用图7所示的多重接合头实施例，整平接合的产能得以加倍。在 另一个实施例中，可堆叠更多的接合头/承座(例如三个或以上)，以同时接 合更多的芯片，而进一步提升整平接合的产能。晶片40i及402彼此可为相 同或不同的。因此，不同电路设计及/或尺寸的晶片两个晶片可同时进行整平 接合。
上述实施例具有许多的优点。首先，由于薄片36为一次性使用，故不 会因进行一次接合工艺而产生印痕，进而影响后续其他晶片的接合。因而提 升可靠度。第二，因为具有选择适当薄片的弹性，本发明的整平接合系统可 使用于铜对铜接合或其他需要较高温度的接合应用。第三，可堆叠多重接合 头/承座，使产能得以增加。
虽然本发明已以优选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任 何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作 更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为 准。
权利要求
1.一种接合晶片的装置，该装置包括一接合承座，用以承载该晶片；一接合头，位于该接合承座上方，其中该接合承座与该接合头具有彼此相对移动的配置；以及一薄片发送器，用以发送一薄片至该晶片上，其中该薄片的熔点温度大于或等于300℃。
2. 如权利要求1所述的接合晶片的装置，其中面向该接合承座的该接合 头的一表面不具有聚合物材料。
3. 如权利要求1所述的接合晶片的装置，还包括一控制单元，用以控制 该接合头与该接合承座而施加 一彼此相向的既定力量。
4. 如权利要求1所述的接合晶片的装置，其中该接合头与该接合承座中 的至少一个是用以对该薄片及该晶片进行加热。
5. 如权利要求1所述的接合晶片的装置，其中该薄片由金属所构成。
6. 如权利要求1所述的接合晶片的装置，还包括一增额接合头，位于该 接合头上方，其中该增额接合头与该接合头具有一空隙，用以载入及载出该 晶片，且其中该接合头与该增额接合头具有彼此相对移动的配置。
7. —种接合晶片的装置，该装置包括 一接合承座，用以承载该晶片；一接合头，位于该接合承座上方且具有一表面面向该接合承座，其中该 接合头不具有聚合物材料；一机械手臂，用以将该晶片载入该接合承座上，并且自该接合承座载出 该晶片；一薄片，其两侧不具有粘着剂，且该薄片的熔点温度大于或等于300。C;以及一薄片发送器，用以发送该薄片至该晶片上。
8. 如权利要求7所述的接合晶片的装置，其中该接合头向该接合承座移 近及移离，以对该晶片施加一力量。
9. 如权利要求7所述的接合晶片的装置，其中该接合头与该接合承座中 的至少一个是用以加热至一既定温度。
10. 如权利要求7所述的接合晶片的装置，其中该接合头与该接合承座位于一腔室中。
11. 如权利要求7所述的接合晶片的装置，其中该薄片的材料择自于铜、 铝、聚合物、及其组合。
12. 如权利要求7所述的接合晶片的装置，还包括一增额接合头，位于该 接合头上方，其中该增额接合头与该接合头具有一空隙，用以载入及载出该 晶片，且其中该接合头与该增额接合头具有彼此相对移动的配置。
13. —种接合晶片的装置，该装置包括 一接合承座，用以承载该晶片；一第一接合头，位于该接合承座上方且具有一表面面向该接合承座，其 中该第一接合头与该接合承座具有彼此相对移动的配置；一第二接合头，位于该第一接合头上方且与该第一接合头之间具有一空 隙，其中该空隙足以放置该晶片，且其中该第一接合头及该第二接合头不具 有聚合物材料，而具有彼此相对移动的配置；一机械手臂，用以将该晶片载入该接合承座及该第一接合头中至少一 个，并且自该接合承座及该第一接合头中至少一个载出该晶片；以及一薄片发送器，用以发送一薄片至该晶片上，其中该薄片的两侧不具有 粘着剂，且该薄片的熔点温度大于或等于300°C 。
14. 如权利要求13所述的接合晶片的装置，还包括一移动导引器，连接 至该第一及该第二接合头。
15. 如权利要求13所述的接合晶片的装置，其中该第一及该第二接合头 具有被加热的配置。
16. —种接合晶片的方法，该方法包括 提供一接合承座，用以承载该晶片； 于该接合承座上方提供一接合头； 发送一薄片至该晶片上； 将该晶片放置于该接合承座上；以及借助该接合承座及该接合头，对该薄片及该晶片施加一力量。
17. 如权利要求16所述的接合晶片的方法，还包括预先接合多个芯片至 该晶片上，其中发送该薄片以覆盖所述多个芯片。
18. 如权利要求16所述的接合晶片的方法，还包括在施力期间，对该接合头及该接合承座中至少一个进行加热。
19. 如权利要求16所述的接合晶片的方法，其中将该晶片放置于该接合 承座上是在发送该薄片之前进行。
20. 如权利要求16所述的接合晶片的方法，其中将该晶片放置于该接合 承座上是在发送该薄片之后进行。
21. 如权利要求16所述的接合晶片的方法，还包括 于该接合头上方提供一增额接合头； 在一增额晶片上方发送一增额薄片； 将该增额晶片放置于该接合头上；以及借助该接合头及该增额接合头，对该增额薄片及该增额晶片施加一增额
22. —种整平接合晶片的方法，该方法包括 提供一接合承座；于该接合承座上方提供一第一接合头；于该第一接合头上方提供一第二接合头，其中该接合承座、该第一接合头、及该第二接合头具有彼此相向移动的配置；发送一第一薄片至一第一预先接合晶片上，其中该第一预先接合晶片包括位于一第一基础晶片上的多个第一芯片；将该第一预先接合晶片放置于该接合承座与该第一接合头之间； 发送一第二薄片至一第二预先接合晶片上，其中该第二预先接合晶片包括位于一第二基础晶片上的多个第二芯片；将该第二预先接合晶片放置于该第一接合头与该第二接合头之间；以及 对该第二接合头加压，以对该第一预先接合晶片及该第二预先接合晶片施加力量。
全文摘要
本发明揭示一种接合晶片的装置及方法，包括一接合承座、一接合头、以及一薄片发送器。接合承座用以承载晶片。接合头位于接合承座上方，其中接合承座与接合头具有彼此相对移动的配置。薄片发送器用以发送一薄片至晶片上。本发明也揭示一种整平接合晶片的方法。本发明的优点在于具有较大的产量、可靠度的提升、以及将整平晶片系统的使用扩展至高温应用。
文档编号H01L21/50GK101587846SQ20081021506
公开日2009年11月25日 申请日期2008年9月9日 优先权日2008年5月21日
发明者余振华, 吴文进, 邱文智 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司