专利名称：一种氮化铝衰减片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微波射频领域内使用的标准元器件，尤其涉及一种氮化铝衰
减片。
背景技术：
射频电阻被广泛应用在微波射频领域，由于衰减片的衰减特性会受温度的影响， 因此，为了保证衰减片具有较好的稳定性，需要具有较好的散热性，现有衰减片的结构相对 比较集中，因此不易于散热。
实用新型内容本实用新型的目的在于解决现有衰减片存在的缺点，提供一种便于散热的衰减 片。 本实用新型所采用的技术方案为一种氮化铝衰减片，包括陶瓷基体、陶瓷封帽和 安装法兰，所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上；其特征在于所述陶瓷基体为氮化铝陶 瓷基体；电阻浆料形成的电阻体和导体浆料形成的导体连接于所述陶瓷基体和陶瓷封帽之 间；所述电阻体包括孤立的主电阻体，所述主电阻体通过所述导体分别与第一引线和第二 引线电连接。 优选地，所述电阻体还包括第一副电阻体和第二副电阻体，所述导体包括第一分 支导体、第二分支导体、第一导体和第二导体；所述主电阻体在一侧通过第一分支导体的一 个分支与第一引线电连接，在另一侧通过第二分支导体的一个分支与第二引线电连接；所 述第一副电阻体在一侧通过第一分支导体的另一分支与第一引线电连接，在另一侧与第一 导体电连接，所述第一导体在未与第一副电阻体电连接的位置接地；所述第二副电阻体在 一侧通过第二分支导体的另一分支与主电阻体电连接，在另一侧与第二导体电连接，所述 第二导体在未与第二副电阻体电连接的位置接地。 优选地，所述第一和第二导体均为竖直长条状，分别位于陶瓷基体的两侧，所述第 一导体的外边缘与陶瓷基体的一个外边缘平齐，所述第二导体的外边缘与陶瓷基体的另一 个外边缘临近。 优选地，所述第一导体和第二导体的长度与陶瓷基体的宽度相等。 本实用新型的有益效果为本实用新型所述氮化铝衰减片，其电阻体设置一个孤
立的主电阻体，用于衰减一部分输入射频信号，并将衰减后的信号通过第二引线输出；另
外，通过设置副电阻体分流一部分输入射频信号，因此可以在电阻体的每个分离部分阻值
较小的情况下，即可得到较强的衰减作用，该种分散式设置有利于散热。
图1为本实用新型所述氮化铝衰减片的爆炸结构示意图； 图2为图1所示氮化铝衰减片的连接结构示意图。
具体实施方式
现结合附图对本实用新型的具体实施方式
进行详细的说明。 —种氮化铝衰减片，包括陶瓷基体5、陶瓷封帽1和安装法兰6，所述陶瓷基体5固 定连接在安装法兰6上。所述陶瓷基体5为氮化铝陶瓷基体。电阻浆料形成的电阻体4和 导体浆料形成的导体3连接于所述陶瓷基体5和陶瓷封帽1之间。所述电阻体4如图2所 示，包括孤立的主电阻体43，所述主电阻体43通过所述导体3分别与第一引线21和第二 引线22电连接，其中第一引线21和第二引线22分别用于输入/输出信号和输出/输入信 号。 如图2所示，所述电阻体4还包括第一副电阻体41和第二副电阻体42，所述导体 4包括第一分支导体32、第二分支导体33、第一导体31和第二导体34。所述主电阻体43 在一侧通过第一分支导体32的一个分支与第一引线21电连接，在另一侧通过第二分支导 体33的一个分支与第二引线22电连接。所述第一副电阻体41在一侧与通过第一分支导 体32的另一分支与第一引线21电连接，在另一侧与第一导体31电连接，所述第一导体31 在未与第一副电阻体41电连接的位置接地。所述第二副电阻体42在一侧通过第二分支导 体33的另一分支与主电阻体43电连接，在另一侧与第二导体34电连接，所述第二导体34 在未与第二副电阻体42电连接的位置接地。 其中，所述第一导体31和第二导体34可以均为竖直长条状，分别位于陶瓷基体5 的两侧，所述第一导体31的外边缘可与陶瓷基体5的一个外边缘平齐，所述第二导体34的 外边缘可接近于陶瓷基体5的另一个外边缘。 所述第一导体31和第二导体34的长度可与陶瓷基体5的宽度相等。 所述第一分支导体32和第二分支导体33的两个分支可以彼此垂直。 综上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非用来限定本实用新型的实施范围。
即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰，皆应属于本实用新型的技
术范畴。
权利要求一种氮化铝衰减片，包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰，所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上；其特征在于所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体；电阻浆料形成的电阻体和导体浆料形成的导体连接于所述陶瓷基体和陶瓷封帽之间；所述电阻体包括孤立的主电阻体，所述主电阻体通过所述导体分别与第一引线和第二引线电连接。
2. 根据权利要求1所述的一种氮化铝衰减片，其特征在于所述电阻体还包括第一副 电阻体和第二副电阻体，所述导体包括第一分支导体、第二分支导体、第一导体和第二导体；所述主电阻体在一侧通过第一分支导体的一个分支与第一引线电连接，在另一侧通过 第二分支导体的一个分支与第二引线电连接；所述第一副电阻体在一侧通过第一分支导体 的另一分支与第一引线电连接，在另一侧与第一导体电连接，所述第一导体在未与第一副 电阻体电连接的位置接地；所述第二副电阻体在一侧通过第二分支导体的另一分支与主电 阻体电连接，在另一侧与第二导体电连接，所述第二导体在未与第二副电阻体电连接的位 置接地。
3. 根据权利要求2所述的一种氮化铝衰减片，其特征在于所述第一和第二导体均为 竖直长条状，分别位于陶瓷基体的两侧，所述第一导体的外边缘与陶瓷基体的一个外边缘 平齐，所述第二导体的外边缘与陶瓷基体的另一个外边缘临近。
4. 根据权利要求3所述的一种氮化铝衰减片，其特征在于所述第一导体和第二导体 的长度与陶瓷基体的宽度相等。
专利摘要本实用新型公开了一种氮化铝衰减片，属于微波射频领域内使用的标准元器件，包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰，所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上；所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体；电阻浆料制成的电阻体和导体浆料制成的导体连接于所述陶瓷基体和陶瓷封帽之间；所述电阻体包括孤立的主电阻体，所述主电阻体通过所述导体分别与第一引线和第二引线电连接。本实用新型所述的氮化铝衰减片的分散式结构便于散热，可以制成大功率衰减片。
文档编号H01P1/22GK201478422SQ20092016329
公开日2010年5月19日 申请日期2009年7月2日 优先权日2009年7月2日
发明者刘汛 申请人:深圳市禹龙通电子有限公司