专利名称：Vdmos器件版图结构及其制作方法
VDMOS器件版图结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器 件版图结构及其制作方法。
背景技术：
传统技术，在VDMOS器件的P+二极管的版图结构设计中，元胞结构有方型，多边形 以及条形的结构。常见的方型以及多边形的元胞结构P+二极管区域都是孤立的单元，条形 结构中也有很多的P+条形区域在P+版图中与其它的P+区域是不连接在一起的孤立单元。由于VDMOS器件中存在孤立的P+ 二极管结构单元，当VDMOS器件承受反向能量 时，孤立的P+二极管结构单独承受的很大反向能量，但由于其承受能力有限，当有反向电 流流经VDMOS器件P+区域时，孤立的P+ 二极管结构很容易烧毁，导致整个器件损坏，从而 影响器件的稳定工作，造成浪费和安全隐患。
发明内容有鉴于此，有必要针对上述VDMOS器件承受反向能量时容易烧毁损坏的问题，提 出一种承受反向能量时不易烧毁损坏的VDMOS器件版图结构。一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，包括衬底、衬底上的外延层以 及外延层上注入形成的P+区域，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。优选的，所述P+区域为条形结构P+区域。优选的，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。优选的，还包括在所述外延层表面的栅氧化层，栅氧化层上的多晶硅层，多晶硅层 表面的保护层以及保护层上的电极。一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，包括如下步骤在衬底上形成外延层；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行光刻，刻蚀出一个全部连接的呈网络结构的刻蚀区域；对外延层进行P+注入，形成全部连接的呈网络结构的P+区域。优选的，所述P+区域为条形结构P+区域。优选的，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。优选的，还包括进行后续工艺的步骤；所述后续工艺包括在外延层上形成栅氧化 层，在栅氧化层上形成多晶硅层，多在晶硅层表面形成保护层以及在保护层上形成电极。上述VDMOS器件版图结构及其制作方法，P+区域为全部连接的网络结构的区域， 不存在孤立的P+区域，从而使得该版图结构中，所有P+ 二极管结构单元存在于一个全部连 接的网络结构中。当有器件承受反向能量时，没有孤立的P+二极管，反向能量由网络结构 连接的所有P+二极管共同承受，从而大大提高了器件的抗反向冲击能力，保护器件，使器 件不易烧毁损坏，减少器件的损坏率，大大提高了器件的安全性能，避免浪费，节约了成本。
图1是一个实施例中VDMOS器件版图结构的剖面图；图2是一个实施例中VDMOS器件版图结构的俯视图；图3是一个是实施例中VDMOS器件版图结构制作方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式
进行详细描述。图1是一个实施例中VDMOS器件版图结构的剖面图。图2是一个实施例中VDMOS 器件版图结构的俯视图。结合图1和图2，该VDMOS器件版图结构包括衬底110、衬底110上的外延层120， 在外延层120上注入形成的P+区域130以及外延层120表面的栅氧化层(图未示)，栅氧 化层上的多晶硅层，多晶硅层表面的保护层，以及保护层上的电极。P+区域130为全部连接的呈网络结构的区域，不存在孤立的P+区域130，从而使 得该版图结构中，所有P+二极管结构单元存在于一个全部连接的网络结构中。该实施例中，P+区域130在外延层120上注入形成时，为条形结构。在终端210 中，各个条形的P+区域130通过平行和垂直分布，形成全部连接的一个网络结构。在其他实施例中，P+区域130还可为圆形结构或者多边形结构，各个圆形结构或 者多边形结构的P+区域130全部连接，形成网络结构。此外，还提供一种VDMOS器件版图结构的制作方法。图3是一个是实施例中VDMOS器件版图结构制作方法的流程图，该方法包括如下 步骤S31 在衬底上形成外延层。S32 在外延层上生长氧化层。S33:对氧化层进行光刻，刻蚀出一个全部连接的网络结构的刻蚀区域。S34 对外延层进行P+注入，形成全部连接的网络结构的P+区域。P+区域为全部连接的呈网络结构的区域，不存在孤立的P+区域，从而使得该版图 结构中，所有P+二极管结构单元存在于一个全部连接的网络结构中。在该实施例中，P+区域在外延层上注入形成时，为条形结构。在版图终端中，各个 条形的P+区域通过平行和垂直分布，形成全部连接的一个网络结构。在其他实施例中，P+区域还可为圆形结构或者多边形结构，各个圆形结构或者多 边形结构的P+区域全部连接，形成网络结构。此后，进行后续工艺，后续工艺主要包括在外延层上形成栅氧化层，在栅氧化层 上形成多晶硅层，多在晶硅层表面形成保护层以及在保护层上形成电极，后续工艺采用常 用工艺，不再赘述。上述VDMOS器件版图结构及其制作方法，P+区域为全部连接的网络结构的区域， 不存在孤立的P+区域，从而使得该版图结构中，所有P+ 二极管结构单元存在于一个全部连 接的网络结构中。当有器件承受反向能量时，没有孤立的P+二极管，反向能量由网络结构 连接的所有P+二极管共同承受，从而大大提高了器件的抗反向冲击能力，保护器件，使器件不易烧毁损坏，减少器件的损坏率，大大提高了器件的安全性能，避免浪费，节约了成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域，其特征在于，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。
2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，其特征在于， 所述P+区域为条形结构P+区域。
3.根据权利要求2所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，其特征在于， 所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。
4.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，其特征在于， 还包括在所述外延层表面的栅氧化层，栅氧化层上的多晶硅层，多晶硅层表面的保护层以 及保护层上的电极。
5.一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，包括如下步骤在衬底上形成外延层；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行光刻，刻蚀出一个全部连接的呈网络结构的刻蚀区域；对外延层进行P+注入，形成全部连接的呈网络结构的P+区域。
6.根据权利要求5所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，其特 征在于，所述P+区域为条形结构P+区域。
7.根据权利要求6所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，其特 征在于，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。
8.根据权利要求5所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，其特 征在于，还包括进行后续工艺的步骤；所述后续工艺包括在外延层上形成栅氧化层，在栅氧 化层上形成多晶硅层，多在晶硅层表面形成保护层以及在保护层上形成电极。
全文摘要
本发明涉及一种VDMOS器件版图结构以及制作方法，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。本发明P+区域为全部连接的网络结构的区域，不存在孤立的P+区域，从而使得该版图结构中，所有P+二极管结构单元存在于一个全部连通的网络结构中。当有器件承受反向能量时，没有孤立的P+二极管，反向能量由网络结构连接的所有P+二极管共同承受，从而大大提高了器件的反向冲击能力，保护器件，使器件不易烧毁损坏，减少器件的损坏率，大大提高了器件的安全性能，避免浪费，节约了成本。
文档编号H01L27/04GK101901804SQ20101017313
公开日2010年12月1日 申请日期2010年5月10日 优先权日2010年5月10日
发明者刘宗贺, 吴建清, 康鹏飞, 张海涛, 王定宁, 王晓杰, 王磊, 罗添耀, 罗鑫, 陈奔, 陈家生, 黄益中 申请人:深圳深爱半导体有限公司