专利名称：铝基封装快恢复单相桥的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单相整流桥器件，尤其是一种铝基封装快恢复单相桥。
背景技术：
单相整流桥主要用于高频电源的初级全桥整流，在中小功率直流电源，变频设备 等使用相当广泛。但是，目前市场上这种封装的快恢复单相整流桥都采用套装内嵌结构， 通过外引线直接固定芯片组成单相桥式结构，然后放入带铝底板的外壳中，芯片不与作为 散热器的铝底板直接接触，因此热阻非常大，散热效果很不好，直接影响产品最终的使用功 率，而且生产工艺复杂，成本较高。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种生产工艺简单，生产成本低，使用方便 的铝基封装快恢复单相桥。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种铝基封装快恢复单相桥， 具有覆铜铝基板，所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板上焊接有4个快 恢复二极管，4个快恢复二极管利用上电极作桥式连接后通过4个外电极作为功能端引出， 所述的覆铜铝基板通过环氧树脂灌封嵌入在PBT塑壳内。进一步的说，为了使本实用新型安装方便，本实用新型所述的覆铜铝基板的近中 心设置有圆形安装孔。本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，作为相同类型的快恢 复三相整流桥来讲，本实用新型适用功率远远大于同类产品，不仅热阻低，损耗小，而且生 产工艺简单，周期短，成本低，并且可以使得功能电极与散热铝板直接保持绝缘状态。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图；图2是图1的主视图；图3是本实用新型的外形主视图；图4是图3的俯视图；图5是本实用新型快恢复二极管的电路连接图；图中1、覆铜铝基板；2、快恢复二极管；3、上电极；4、外电极；5、PBT塑壳；6、安装 孔。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简 化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图1、2、3、4所示的一种铝基封装快恢复单相桥，具有覆铜铝基板1，所述的铝基 板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板1上焊接有4个快恢复二极管2，4个快恢复二 极管2利用上电极3作桥式连接后通过4个外电极4作为功能端引出，所述的覆铜铝基板 1通过环氧树脂灌封嵌入在PBT塑壳5内。本实用新型所述的快恢复二极管2的电路连接如图5所示，实用新型所述的覆铜 铝基板1的近中心设置有圆形安装孔6。本实用新型在使用时通过中间的安装孔将此快恢复单相桥紧固于散热器上，将4 个电极分别与其他相应线路连接。其中两个电极作为整流线路输出的正极与负极，另外两 个电极作为交流输入端。以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式
，各种举例说明不对本实用 新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所 述的具体实施方式
做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
权利要求一种铝基封装快恢复单相桥，其特征在于具有覆铜铝基板(1)，所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板(1)上焊接有四个快恢复二极管(2)，四个快恢复二极管(2)利用上电极(3)作桥式连接后通过四个外电极(4)作为功能端引出，所述的覆铜铝基板(1)通过环氧树脂灌封嵌入在PBT塑壳(5)内。
2.如权利要求1所述的铝基封装快恢复三相桥，其特征在于所述的覆铜铝基板(1) 的近中心设置有圆形安装孔(6)。
专利摘要本实用新型涉及一种铝基封装快恢复单相桥，具有覆铜铝基板，所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板上焊接有4个快恢复二极管，4个快恢复二极管利用上电极作桥式连接后通过4个外电极作为功能端引出，所述的覆铜铝基板通过环氧树脂灌封嵌入在PBT塑壳内。本实用新型适用功率远远大于同类产品，不仅热阻低，损耗小，而且生产工艺简单，周期短，成本低，并且可以使得功能电极与散热铝板直接保持绝缘状态。
文档编号H01L25/07GK201758124SQ201020269590
公开日2011年3月9日 申请日期2010年7月22日 优先权日2010年7月22日
发明者沈富德 申请人:江苏矽莱克电子科技有限公司