专利名称：超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻及其制造方法
技术领域：
本发明为一种片式陶瓷正温度系数热敏电阻，尤其是一种节省装配空间，提高产量且不影响电性能的超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻及其制造方法。
背景技术：
如今电子行业发展迅速，电子产品五花八门层出不穷，对产品的要求也越来越高， 小型化是电子产品发展的一个趋势，因此陶瓷PTC也需要顺应潮流朝着小型化，薄型化的方向发展。但陶瓷PTC由于其本身生产工艺，传统的压片成型的工艺在模具和设备的精度方面很难做到小型化，薄型化，目前尚无超薄陶瓷PTC电阻面市。
发明内容
本发明目的在于提供一种超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻，以满足目前产品小型化的需求。本发明再一目的在于提供所述超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻的制造方法。本发明目的通过下述技术方案实现一种超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻，以传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体，两端或者两面涂覆电极，电阻率和居里温度里与传统 PTC热敏电阻相同，其中尺寸以mm计，为(3. 10 3. 13) * (1. 58 1. 61)*0· 50 士 0. 01。 满足了片式陶瓷正温度系数热敏电阻小型化，薄型化的市场需求。本发明还提供所述超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，传统钛酸钡陶瓷 PTC薄膜为中间基体进行配料、制成PTC粉料，其中将所述PTC粉料制成有成膜性的浆料， 将浆料流延成膜、烧结制成芯材，芯材二面涂覆电极，其中，该浆料由PTC粉料40 50%、溶剂30 40%、粘合剂13 23%、余量为其他助剂组成。在上述方案基础上，所述的常规？1^粉料为彻、1^11、51~、1^或01金属氧化物中的一种或多种的混合物。在上述方案基础上，所述的有机溶剂材料为乙醇、正丁醇、异丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一种或多种的混合物。在上述方案基础上，所述的有成膜性的浆料是按配方称取各组分球磨混合制浆， 球料比控制在2:1，以180转/分钟的速率球磨M个小时后出料。具体超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法依序按下述步骤
第一，将所述的有成膜性的浆料在流延设备上流延至不大于Imm的生膜、烘干，将膜切割成不小于单个PCT芯片长宽尺寸的单片薄膜； 第二，单片薄膜经排胶、烧结制成芯片；
第三，在芯片表面涂覆银浆并烧结得超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻。或者，具体超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法也可依序按下述步骤 第一，将所述的有成膜性的浆料在平板上多次涂覆后成不大于Imm厚度的生膜并烘
3干，将膜切割成不小于单个PCT芯片长宽尺寸的单片薄膜； 第二，单片薄膜经排胶、烧结制成芯片；
第三，在芯片表面涂覆银浆并烧结得超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻。为保证尺寸稳定并符合设计的小型化、超簿化需要，所述生膜厚度0.58 0. 62mm0本发明的有益效果是提供了一种超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻，以满足市场需求，另外，本发明提供了新的片式陶瓷正温度系数热敏电阻生产工艺，采用该工艺采用流延成膜或涂覆成膜工艺，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，烧结后芯片尺寸能做到0603型产品甚至更小，适用于更小的装配空间。
图1为本发明生膜片的俯视结构示意图。图2为本发明的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的侧剖结构示意图。图3为本发明的另一种形式超薄陶瓷正温度系数热敏电阻的侧剖结构示意图。附图中标号说明
100 - PTC生膜片；101 —标记点；
102,102' 一片式PTC; 103—表面电极； 104—欧姆电极。
具体实施例方式以下结合具体实施方式
和附图，对本发明的技术解决方案做进一步说明。实施例1
以某款用于成熟产品的PTC粉料为原料，加入分析纯有机溶剂M8C添加剂，按PTC粉料40 %，溶剂40%,粘合剂18%，分散剂0. 5%，增塑剂1. 45%，消泡剂0. 05%的比例，共称取 IOOg放入球磨罐中，球料比控制在2:1，以180转/分钟的速率球磨M个小时后出料。将流延料用流延设备涂覆在平板上，单层膜面厚度测得20-30um，流延至 0. 58-0. 62mm并烘干后成PTC生膜片100，如图1为本发明生膜片的俯视结构示意图所示， 在PTC生膜片100上注标记点101，将PTC生膜片100切割成3. 76*1. 88mm的片式PTC102， 剥离后以510°C排胶8小时，然后在1350°C烧结，形成片式PTC102陶瓷，最后在片式PTC102 陶瓷表面涂覆银浆并烧结得欧姆电极104和表面电极103，如2为本发明的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的侧剖结构示意图所示。其尺寸收缩率和电性能与传统工艺制备的 PTC对比如下
权利要求
1.一种超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻，以传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体，两端或者两面涂覆电极，电阻率和居里温度里与传统PTC热敏电阻相同，其特征在于尺寸以 mm 计，为(3.10 3. 13) * (1. 58 1. 61) *0· 50 士 0. 01。
2.根据权利要求1所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体进行配料、制成PTC粉料，其特征在于将所述PTC粉料制成有成膜性的浆料，将浆料流延成膜、烧结制成芯材，芯材二面涂覆电极，其中，该浆料由PTC粉料40 50%、溶剂30 40%、粘合剂13 23%、余量为其他助剂组成。
3.根据权利要求2所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于所述的常规PTC粉料为Ba、TLMrKSrJb或Ca金属氧化物中的一种或多种的混合物。
4.根据权利要求2所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于 所述的有机溶剂材料为乙醇、正丁醇、异丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一种或多种的混合物。
5.根据权利要求2至4之一所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于所述的有成膜性的浆料是按配方称取各组分球磨混合制浆，球料比控制在2:1，以 180转/分钟的速率球磨M个小时后出料。
6.根据权利要求5所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于， 依序按下述步骤将所述的有成膜性的浆料在流延设备上流延至不大于Imm的生膜并烘干，将膜切割成不小于单个PCT芯片长宽尺寸的单片薄膜；单片薄膜经排胶、烧结制成芯片；在芯片表面涂覆银浆并烧结得超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻。
7.根据权利要求5所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于， 依序按下述步骤将所述的有成膜性的浆料在平板上多次涂覆后成不大于Imm厚度的生膜并烘干，将膜切割成不小于单个PCT芯片长宽尺寸的单片薄膜；单片薄膜经排胶、烧结制成芯片；在芯片表面涂覆银浆并烧结得超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻。
8.根据权利要求6或7所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于，所述生膜厚度0. 58 0. 62mm。
全文摘要
本发明为一种片式陶瓷正温度系数热敏电阻，尤其是一种节省装配空间，提高产量且不影响电性能的超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻及其制造方法。一种超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻，以传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体，两端或者两面涂覆电极，电阻率和居里温度里与传统PTC热敏电阻相同，其尺寸以mm计，为(3.10～3.13)×(1.58～1.61)×0.50±0.01。本发明还提供了所述的超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻的制造方法，采用流延成膜或涂覆成膜工艺，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，烧结后芯片尺寸能做到0603型产品甚至更小，适用于更小的装配空间。
文档编号H01C7/02GK102426889SQ20121000846
公开日2012年4月25日 申请日期2012年1月12日 优先权日2012年1月12日
发明者张子川, 杨彬, 钱朝勇 申请人:上海长园维安电子线路保护有限公司