专利名称：软性电子装置及其制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种软性电子装置，特别是有关于ー种软性电子装置的制作方法。
背景技术：
有两种方法主要用以制造软性显示器卷对卷(roll to roll)以及贴附软性基材至玻璃基材。对于后者的方法，已证明从玻璃基材分离软性基材以便完成软性显示器的制造过程为一艰巨的事。ー种公知离型方法将牺牲层插入软性基材与玻璃基材之间，其中牺牲层的材料为氧化物，此氧化物可吸收某些波长的激光的能量。借着激光扫掠玻璃基材的背面，氧化层吸收穿透玻璃基材的激光能量，如此ー来软性基材与玻璃基材分离。然而，激光的使用増加成本且对电子零件造成损伤。另一方法设置一有机离型层于软性基材与玻璃基材之间。然而，在制造有机离型层的期间可能形成小岛结构，此些小岛结构可能造成孔洞形成于软性基材中、以及软性基材的非均匀厚度。因此，在此领域中，存在ー个至今仍未提出的需求，以对付上述缺陷与不足。
发明内容
在本发明的ー态样中，ー种软性电子装置的制作方法，包含提供基材；形成第一层于基材上，以在基材中定义出第一区域与第二区域，第二区域围绕第一区域，以至少局部地暴露出第一区域中的基材，且第一层至少部分位于第二区域中；形成第二层于第一区域与第二区域上方的第一层上，因而第二层与第一区域中的基材间的附着力较第二层与第二区域中的第一层间的附着力弱；形成电子装置层于第一区域上方的第二层上，其中电子装置层在第一区域上定义出边界，且此边界投影地位于第一区域中；以及通过沿着轮廓切穿第二层的方式，将电子装置层和部分的第二层与基材分离，此轮廓相等于或大于电子装置层的边界，但不超出第一区域。在本发明的另ー态样中，ー种软性电子装置的制作方法，包含提供基材，此基材具有第一表面与相対的第二表面；涂布第一聚酰胺酸(Polyamic Acid ；PAA)在基材的第一表面上，以形成第一聚亚酰胺(Polyimide)层，借以在基材中定义出第一区域与第二区域，其中第一聚亚酰胺层形成在第一区域上，且第二区域围绕第一区域；涂布第二聚酰胺酸于基材的第一区域中的第一聚亚酰胺层与基材的第二区域上，以形成第二聚亚酰胺层在第一聚亚酰胺层与第二区域上，其中第二聚酰胺酸以有机硅烷合成，如此第一聚亚酰胺层与第一区域中的基材间的附着力较第二聚亚酰胺层与第二区域中的基材间的附着力弱；形成电子装置层于第一区域上方的第二聚亚酰胺层上，其中电子装置层于第一区域上定义出边 界，且此边界投影地位于第一区域中；以及通过沿着轮廓切穿第二聚亚酰胺层与第一聚亚酰胺层的方式，将电子装置层、部分的第二聚亚酰胺层和部分的第一聚亚酰胺层与基材分离，此轮廓相等于或大于电子装置层的边界，但不超出第一区域。在本发明的又ー态样中，本发明关于ー种依照以上所公开的方法所制作的软性电子装置。本发明的这些与其他态样从结合下列附图所做的较佳实施例的描述中将变得更明显，然而在不偏离本发明公开的新观念的精神与范围下，可变更其中的变化与变异。
所附附图绘示出本发明的一或多个实施例，连同所载描述，用以解释本发明的原理。只要有可能，相同參考符号应用于整个附图中，以表示一实施例的相同或相似元件，其中图IA至图IG图绘示根据本发明的一实施例的ー种软性电子装置的制作エ艺的示意图；图2A至图2H绘示根据本发明的另ー实施例的ー种软性电子装置的制作エ艺的示意图；以及图3A至图3H绘示根据本发明的又一实施例的ー种软性电子装置的制作エ艺的示意图。其中，附图标记110:基材111 :第一区域112:第一表面113:第二区域114:第二表面120 :助粘层126:掩膜128 :紫外光130:塑胶层140:电子装置层142 :边界210 :基材211 :第一区域212 :上表面213 :第二区域214 :第二表面220 :抗剥离层222:图案224:图案226 :光阻228 :等离子230 :塑胶层240 电子装置层242 :边界310 :基材311 :第一区域311A:轮廓312 :上表面313 :第二区域314 :第二表面320 :第一聚亚酰胺层 322 :上表面330:第二聚亚酰胺层 340:电子装置层342 :边界
具体实施例方式以下将參考附图而更充分地描述本发明，其中附图绘示出本发明的示范实施例。然而，本发明可以许多不同形式加以体现，且不应理解为限制于此所提出的实施例。相反地，由于此些实施例的提供，因而此公开可对本领域技术人员彻底、完全且完整表达本发明的范围。相同的參考数字在各处代表相同的元件。
可理解的是当称一元件位于另一元件“上(on) ”时，其可为直接位于其他元件上、或介于中间的元件可出现在其间。相反地，当称一元件直接位于另一元件“上(directlyon)”时，并无介于中间的元件出现。如于此所使用，用语(terms) “和/或(and/or) ”包含一个或多个相关的列出项目的任一与所有組合。可理解的是,虽然在此可使用用语第一(first),第二(second)与第三(third)等来描述各种元件、零件、区域、层和/或部分，但此些用语不应限制此些元件、零件、区域、层和/或部分。此些用语仅用以区别一元件、零件、区域、层和/或部分与另一元件、零件、 区域、层和/或部分。因此，可在不偏离本发明的教示的情况下，将以下讨论的第一元件、零件、区域、层和/或部分称为第二元件、零件、区域、层和/或部分。在此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并非用以限制本发明。如于此所使用，除非内容清楚指定，単数形式“一(a)”与“该(the)”亦欲包含多数形式。将进一歩了解的是，用语“包含(comprises) ”及/或“包含(comprising) ”、或“包含(includes) ”及/或“包含(including)”、或“具有(has)”及/或“具有(having) ”应用在说明书中时，明确说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元素、及/或构件的存在，但并未排除一或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。此外，相对用语，例如“下(lower) ”或“底部(bottom) ”和“上(upper) ”或“顶部(top)”于此可用以描述如图中所绘示的一元件与另一元件的关系。可理解的是，除了图中所描绘的方位外，相对用语意欲包含元件的不同方位。例如若图中的元件翻转，被描述为在此另一元件的“下”侧的元件接下来将位于此另一元件的“上”侧的方位。因此，例示性用语“下”根据图的特定方位可包含“下”和“上”的两方位。相同地，若图中的元件翻转，被描述为在另一元件“之下(below)”或“下方(beneath)”的元件则接下来将位于此另一元件的“上方(above)”的方位。因此，例示性用语“之下”或“下方”可包含上方及下方两方位。除非特别定义，否则在此所使用的所有用语(包含科技与科学用语)具有相同于熟习本发明所属技术领域者所广为了解的意义。将可进ー步了解的是，用语，例如以常用辞典定义的用语，应解释成具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的意义一致的意义，且将不会以理想化或过度正式的意义来加以解读，除非在此这样特别定义。如在此所使用的用语“大约(around) ”、“约(about)”或“近乎(approximately)”应大体上意味在给定值或范围的20 %以内，较佳在10 %以内，更佳在5 %内。在此所提供的数量为近似的，因此意味着若无特别陈述，可以用语“大約”、“约”或“近乎”加以表示。可了解如在此所使用的用语“包含(comprising) ”、“包含(including) ”、“具有(having) ”、“含有(containing) ”、“包含(involving) ”等等，为开放性的(open-ended)，即意指包含但不限干。于此所使用的用语“层(layer) ”指薄片或薄膜。关于本发明的实施例将结合附IA-图1G、图2A-图2H与图3A-图3H进行描述。依照本发明的目的，如同在此体现与概括描述的，在ー态样中，本发明关于ー种软性电子装置的制作方法。现在请參考图IA-图1G，其绘示根据本发明的一实施例的ー种软性电子装置的制作方法。此方法包含以下步骤首先，提供基材110，基材110具有第一(平坦)表面112与相対的第二表面114。基材110可为玻璃、石英、塑胶、陶瓷、金属或其他类似材料的平坦基材。在一示范实施例中，基材110平坦的玻璃基材。然后，以助粘材料形成助粘层120于基材110的第一表面112上，如图IB所示。在一例子中，助粘材料有机硅烷。可理解的是其他助粘材料亦可用以实施本发明。在一实施例中，形成助粘层120时包含以下步骤以含有有机硅烷的助粘材料涂布基材110的第一表面112,及在第一温度下烘烤涂布于基材110的有机娃烧第一段时间，以形成助粘层120于基材110上，如图IB所示。涂布エ艺包含涂过量的有机硅烷溶液至平坦基材110的第一表面112，如图IA所示，然后在高转速下旋转有机硅烷溶液，以散开有机娃烧溶液，而形成涂布有有机娃烧的基材。在一实施例中，第一温度的范围介于约50°C至250°C，且第一段时间的范围介于约5分钟至10分钟。烘烤(第一)温度和时间较佳约120°C与约5分钟，或约200°C与约I分钟。在另ー实施例中，形成助粘层120时包含气相涂布助粘材料于基材110的第一表面112，以形成助粘层120，如图IB所示。气相涂布エ艺可为物理气相沉积(Physical VaporDeposition ；PVD)エ艺、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition ；CVD)エ艺或其他类似的エ艺。此外，对助粘层120进行图案化工艺，以在基材110中定义出第一区域111与第二区域113，第二区域113围绕第一区域111。在一实施例中，图案化工艺包含转印具有对应于第一区域111与第二区域113的图案的掩膜126于助粘层120上，以及在空气或氧气的环境中，例如烘箱，以紫外(Ultraviolet ；UV)光128处理助粘层120与基材110，如此UV光照射第一区域111上的助粘层120，而第二区域113上的助粘层120则被遮蔽而不受UV光照射，如图IC所示。在第二温度下进行图案化工艺第二段时间。第二温度的范围介于约25°C至300°C，且第二段时间的范围介于约I分钟至10分钟。第二温度与第二段时间较佳约200°C与约5分钟。此外，利用UV光移除第一区域111上的助粘层120的部分，如此暴露出第一区域111中的基材110的第一表面112，而助粘层120仅位于第二区域113上，如图ID所示。接着，形成塑胶层130于第一区域111及第ニ区域113上方的助粘层120上，如图IE所示。例如聚亚酰胺的塑胶层130软性的，且作为软性电子零件和/或装置的基础。在一实施例中，形成塑胶层的步骤包含以聚酰胺酸涂布第一区域111及第ニ区域113上方的助粘层120，以在第一区域111与助粘层120上形成聚酰胺酸层，以及固化(curing)此聚酰胺酸层，以形成塑胶层130。如此ー来，塑胶层130与第一区域111中的基材110间的附着力比塑胶层130与第二区域113中的助粘层120间的附着力弱。可理解的是其他材料亦可使用来形成软性塑胶层。此外，电子装置层140形成在第一区域111上方的塑胶层130上，其中电子装置层140在第一区域111上界定出边界142，如图IF所示。边界142投影地位于第一区域111中。电子装置层140可为ー个或 多个薄膜晶体管(Thin Film Transistors ；TFTs)或任何其他电子零件。然后，通过沿着一轮廓来切穿塑胶层130，而将电子装置层140和部分塑胶层130与基材110分离，此轮廓相等于或大于电子装置层140的边界142，但不超出第一区域111，如图IG所示。由于塑胶层130与第一区域111中的基材110间的附着力比塑胶层130与第二区域113中的助粘层120间的附着力弱，因此将很容易的从基材110分离电子装置层140与第一区域111中的塑胶层130。图2A-图2H绘示根据本发明的一实施例的ー种软性电子装置的制作方法。相同地，需要平坦基材210，例如玻璃、石英、塑胶、陶瓷或金属基材，来制造软性电子装置。基材210通常具有平坦上(第一)表面212与相対的第二表面214。此方法始于以抗剥离材料形成抗剥离层220在基材210的平坦上表面212上，此抗剥离材料包含金属氧化物，如图2A所示。在一实施例中，形成抗剥离层220的步骤包含溅镀抗剥离材料于基材210的平坦上表面212上。在另ー实施例中，形成抗剥离层220的步骤包含气相涂布抗剥离材料在基材210的平坦上表面212上。在一实施例中，抗剥离材料包含氧化铟锡(Indium Tin Oxide ;ΙΤ0)。可理解的是其他抗剥离材料与其他材料沉积エ艺亦可用以实施本发明。下一步骤图案化抗剥离层220，以在基材210中定义出第一区域211与第二区域213，第二区域213围绕第一区域211。在一实施例中，图案化抗剥离层220的步骤包含定义抗剥离层220上方的具有对应于第一区域211与第二区域213的图案的光阻226 ；以蚀刻剂或等离子228蚀刻第一区域211上的抗剥离层；及移除第二区域213上的光阻226，如图2Β与图2C所示。此エ艺以光学光刻或其他类似方式进行。在一实施例中，图案化第一区域211中的抗剥离层220，以完全地暴露基材210的上表面212，如图2C所示，因而抗剥离层220仅位于第二区域213上。在另ー实施例中，图案化第一区域211中的抗剥离层220，以局部地暴露出基材210的上表面212，如图2D所示。如此，抗剥离层220不仅在第二区域213上，且具有图案222的部分也位于第一区域211上，此图案222改善介于塑胶层230 (描述如下)与基材210间的结合，以便调整介于其间的附着力。如图2D所示，图案222为网纹图案。亦可使用其他图案，例如狭缝图案与岛型图案。在一实施例中，第一区域211的未暴露部分(即图案化后的部分)约为第一区域211的O. I %至30. 0%，且第二区域213的面积大于第一区域211的未暴露部分的面积。在又一实施例中，如图2Ε所示，图案化抗剥离层220，以局部地暴露出基材210的上表面212，借以在第一区域211与第二区域213上分別形成抗剥离层220的图案222与图案224。此些图案222与223改善介于塑胶层230 (描述如下)与基材210间的结合，以便调整介于其间的附着力。如图2Ε所示，图案222与224均为网纹图案。在其他实施例中，亦可使用其他图案，例如狭缝图案与岛型图案。在一实施例中，第二区域213的未暴露部分的密度(即第二区域213的単位面积中，图案224的面积)大于第一区域211的未暴露部分的密度(即第一区域211的単位面积中，图案222的面积)。在一实施例中，第二区域213中的抗剥离层220的总面积可大于第一区域211中的抗剥离层220的总面积。在另ー实施例中，第二区域213中的抗剥离层220的总面积亦可等于或小于第一区域211中的抗剥离层220的总面积。再者，以聚亚酰胺形成塑胶层230在第一区域211与第二区域213上方的抗剥离 层220上，如图2F所示。因此，塑胶层230与第一区域211中的基材210间的附着力较塑胶层230与第二区域213中的抗剥离层220间的附着力弱。在一实施例中，形成塑胶层230的步骤包含以聚酰胺酸涂布第一区域211及第ニ区域213上的抗剥离层220，以于第一区域211与抗剥离层220上形成聚酰胺酸层；及固化此涂布的聚酰胺酸层，以形成塑胶层230。
在塑胶层230上，形成电子装置层240于第一区域211上，其中电子装置层240于第一区域211上界定出边界242，如图2G所示。边界242投影地位于第一区域211中。电子装置层240可 为ー或多个TFTs或任何其他电子零件。然后，通过沿着一轮廓来切穿塑胶层230，而将电子装置层240和塑胶层230与基材210分离，此轮廓相等于或大于电子装置层240的边界242，但不超出第一区域211，如图2H所示。由于塑胶层230与第一区域211中的基材210间的附着力比塑胶层230与第二区域213中的抗剥离层220间的附着力弱，因此将很容易的从基材210分离电子装置层240与第一区域211中的塑胶层230。现在请參考图3A-图3H，其绘示根据本发明的一实施例的ー种软性电子装置的制作方法。此方法包含以下步骤首先，提供基材310，基材310具有平坦的上表面312与相对的第二表面314。相同地，基材310可为玻璃、石英、塑胶、陶瓷、金属或类似材料的基材。下一步骤涂布第一聚酰胺酸于基材310的平坦上表面312上，以形成第一聚亚酰胺层320，借此定义出基材310中的第一区域311与第二区域313 (详述于后)，第一聚亚酰胺层320形成于第一区域311上，且第二区域313围绕第一区域311，如图3B与图3C所示。进行涂布步骤时可通过施加过量的聚酰胺酸溶液至平坦基材310的上表面312，如图3A所示，然后在高转速下旋转聚酰胺酸溶液与基材310，以散开聚酰胺酸溶液，而形成涂布于基材310上的第一聚酰胺酸层，在约70°C至250°C的温度下，对涂布后的聚酰胺酸层进行约5分钟至30分钟的烘烤，较佳地在约150°C下烘烤约10分钟，然后在约200°C至400°C的温度下，对烘烤后的聚酰胺酸层进行固化约30分钟至60分钟，较佳地在约300°C下进行约60分钟，以形成第一聚亚酰胺层320。此外，可通过切割エ艺，亦即沿着轮廓311A切穿第一聚亚酰胺层320，来定义出第一区域311与第二区域313，借以定义出位于轮廓311A内的第一区域311、与围绕第一区域311的第二区域313 ;以及剥除第二区域313上的第一聚亚酰胺层320的部分，如图3C与图3D所示。如此ー来，第一聚亚酰胺层320仅位于第一区域311上，而暴露出第二区域313中的基材310。然后，将含有有机硅烷的第二聚酰胺酸涂布于基材310的第一区域311中的第一聚亚酰胺层320上、与基材310的第二区域313上，以在第一聚亚酰胺层320与第二区域313上形成第二聚亚酰胺层330，如图3E与图3F所示。借此，第一聚亚酰胺层320与第一区域311的基材310间的附着力较第二聚亚酰胺层330与第二区域313中的基材310间的附着力弱。相同地，进行涂布步骤时通过施加ー些含有机硅烷的第二聚酰胺酸至第一聚亚酰胺层320的上表面322，如图3E所示，然后在高转速下旋转第二聚酰胺酸与基材310，以散开此混合物，而形成含有机硅烷的第二聚酰胺酸层且涂布于第一聚亚酰胺层320上，在约70°C至250°C间的温度下，对上述的结构烘烤约5分钟至30分钟，较佳地在约150°C下烘烤10分钟，然后在约200°C至400°C间的温度下，对第二聚酰胺酸层进行约30分钟至60分钟的固化，较佳地在约300°C进行约60分钟的固化，以形成第二聚亚酰胺层330。第一聚酰胺酸与第二聚酰胺酸可相同或彼此实质上不同。在第二聚亚酰胺层330上，形成电子装置层340在第一区域311上，其中电子装置层340在第一区域311上界定出边界342，如图3G所示。边界342投影地位于第一区域311内。电子装置层340可为ー或多个TFTs或任何其他电子零件。接着，通过沿着一轮廓来切穿第一聚亚酰胺层320与第二聚亚酰胺层330，而将电子装置层340、第一聚亚酰胺层320和第二聚亚酰胺层330与基材310分离，此轮廓相等于或大于电子装置层340的边界342，但不超出第一区域311，如图3H所示。由于第一聚亚酰胺层320与第一区域311的基材310间的附着力较第二聚亚酰胺层330与第二区域313中的基材310间的附着力弱，因此将很容易从基材310分离电子装置层340、第一聚亚酰胺层320与第一区域311中的第二聚亚酰胺层330。
在本发明的ー态样中，ー种软性电子装置的制作方法，包含提供基材，此基材具有第一表面与相对的第二表面；形成第一层于基材的第一表面上，以在基材中定义出第一区域与第二区域，第二区域围绕第一区域，如此基材在第一区域中的第一表面至少部分暴露出来，且第一层至少部分位于第二区域内；形成第二层在第一区域与第二区域上方的第ー层上，如此第二层与第一区域中的基材间的附着力较第二层与第二区域中的第一层间的附着力弱；形成电子装置层于第一区域上方的第二层上，其中电子装置层于第一区域上定义出边界，且此边界投影地位于第一区域中；以及通过沿着一轮廓切穿第二层的方式，将电子装置层和第二层与基材分离，此轮廓相等于或大于电子装置层的边界，但不超出第一区域。在一实施例中，形成第一层的步骤包含形成由助粘材料组成的助粘层于基材的第一表面上的步骤，其中助粘材料包含有机硅烷。在一实施例中，形成助粘层的步骤包含步骤涂布助粘材料在基材的第一表面，以及于第一温度下烘烤涂布有助粘材料的基材第一段时间，以形成助粘层，其中第一温度的范围介于约50°C至250°C，且第一段时间的范围介于约5分钟至10分钟。在另ー实施例中，形成第一层的步骤包含气相涂布助粘材料在基材的第一表面的步骤，以形成助粘层。在一实施例中，形成第一层的步骤更包含步骤形成具有图案的掩膜于助粘层上的步骤，此图案对应于第一区域与第二区域；在空气或氧气的环境中，以UV光处理掩膜，如此UV光照射第一区域上的助黏层，而第二区域上的助黏层则被遮蔽而不受UV光照射；以及移除第一区域上的助黏层的部分。在一实施例中，处理步骤在第二温度下且在烘箱中进行第二段时间，其中第二温度的范围介于约25°c至300°C，且第二段时间的范围介于约I分钟至10分钟。在另ー实施例中，形成第一层的步骤包含形成由抗剥离材料组成的抗剥离层于基材的第一表面上的步骤，抗剥离材料包含金属氧化物，其中抗剥离材料包含氧化铟锡。在一实施例中，形成抗剥离层的步骤包含溅镀或气相涂布抗剥离材料于基材的第一表面上的步骤。在一实施例中，形成第一层的步骤更包含步骤定义抗剥离层上的具有图案的光阻，此图案对应于第一区域与第二区域；以蚀刻剂或电浆蚀刻第一区域上的抗剥离层，借以至少部分地暴露出第一区域中的基材；以及移除光阻。在一实施例中，图案化第一区域，以使第一区域的未暴露部分约为第一区域的O. 1%至30. 0%，且第二区域的面积大于第一区域的未暴露部分的面积，其中第一区域的未暴露部分经图案化以具有狭缝图案、岛型图案或网纹图案。在一实施例中，形成第二层的步骤包含步骤以聚酰胺酸涂布第一区域与第二区域上方的第一层上，以于第一区域与第一层上形成涂布的聚酰胺酸层；以及固化涂布的聚酰胺酸层，以形成由聚亚酰胺所组成的第二层。
本发明的示范实施例的上述描述仅作为举例说明与描述之用，并非无所不包，也非用以将本发明限制在所公开的刻板型式。根据上述教示，可有许多修饰与变化。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟 悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种软性电子装置的制作方法，其特征在于，包含 (a)提供一基材，该基材具有一第一表面及相对的一第二表面； (b)形成一第一层于该基材的该第一表面上，以在该基材中定义出一第一区域及一第二区域，该第二区域围绕该第一区域，如此至少局部地暴露出该第一区域中的该基材的该第一表面，且该第一层至少部分位于该第二区域中； (C)形成一第二层于该第一区域与该第二区域上方的该第一层上,如此该第二层与该第一区域中的该基材的一附着力较该第二层与该第二区域中的该第一层的一附着力弱； (d)形成一电子装置层于该第一区域上方的该第二层上，其中该电子装置层在该第一区域上定义出一边界，且该边界投影地位于该第一区域中；以及 (e)通过沿着一轮廓切穿该第二层的方式，将该电子装置层与部分的该第二层与该基材分离，其中该轮廓相等于或大于该电子装置层的该边界但不超出该第一区域。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，其中形成该第一层的步骤包含形成由一助粘材料所组成的一助粘层于该基材的该第一表面上。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该助粘材料包含有机硅烷。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成该助粘层的步骤包含 以该助粘材料涂布该基材的该第一表面；以及 在一第一温度下烘烤该助粘材料涂布的该基材一第一段时间，以形成该助粘层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该第一温度的范围介于50°C至250°C，且该第一段时间的范围介于5分钟至10分钟。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成该助粘层的步骤包含以该助粘材料气相涂布该基材的该第一表面，以形成该助粘层。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成该第一层的步骤还包含 转印具有一图案的一掩膜于该助粘层上，其中该图案对应于该第一区域与该第二区域； 在空气或氧气的一环境中，以一紫外光处理该掩膜，借以使该紫外光照射该第一区域上的该助粘层，且该第二区域上的该助粘层被遮蔽而不受该紫外光照射；以及 在照射该紫外光后，移除该第一区域上的部分该助粘层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该处理步骤在一第二温度且在一烘箱中进行一第二段时间。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，其中该第二温度的范围介于25°C至300°C，且该第二段时间的范围介于I分钟至10分钟。
10.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，其中形成该第一层的步骤包含形成由一抗剥离材料组成的一抗剥离层于该基材的该第一表面上，其中该抗剥离材料包含一金属氧化物。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其中该抗剥离材料包含氧化铟锡。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其中形成该抗剥离层的步骤包含溅镀或气相涂布该抗剥离材料于该基材的该第一表面上的步骤。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其中形成该第一层的步骤还包含 定义该抗剥离层上的具有一图案的一光阻，其中该图案对应于该第一区域与该第二区域； 蚀刻该第一区域上的该抗剥离层，借以至少局部地暴露出该第一区域中的该基材；以及 移除该光阻。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其中图案化该第一区域上的该抗剥离层，以使该第一区域的一未暴露部分为该第一区域的0. 1%至30.0%，且该第二区域的面积大于该第一区域的该未暴露部分的面积。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，其中图案化该第一区域上的该抗剥离层，以使图案化后的该抗剥离层具有一狭缝图案、一岛型图案或一网纹图案。
16.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，其中该第一层的另一部分位于该第一区域中，该第二区域的一单位面积上的该第一层的该部分的面积大于该第一区域的一单位面积上的该第一层的该另一部分的面积，且该第二区域的该第一层的面积大于该第一区域的该第一层的面积。
17.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，其中该第一层的另一部分位于该第一区域中，该第二区域的一单位面积上的该第一层的该部分的面积大于该第一区域的一单位面积上的该第一层的该另一部分的面积，且该第二区域的该第一层的面积等于或小于该第一区域的该第一层的面积。
18.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，其中形成该第二层的步骤包含 以聚酰胺酸涂布该第一区域与该第二区域上方的该第一层上，以形成一涂布的聚酰胺酸层于该第一区域上与该第一层上；以及 固化该涂布的聚酰胺酸层，以形成由聚亚酰胺组成的该第二层。
19.一种根据权利要求I所述的方法制造的软性电子装置。
20.一种软性电子装置的制作方法，其特征在于，包含 (a)提供一基材，该基材具有一第一表面与相对的一第二表面； (b)涂布一第一聚酰胺酸于该基材的该第一表面上，以形成一第一聚亚酰胺层，借以在该基材中定义出一第一区域，其中该第一聚亚酰胺层形成于该第一区域上，且一第二区域围绕该第一区域； (c)涂布含有机硅烷的一第二聚酰胺酸于该基材的该第一区域中的该第一聚亚酰胺层与该基材的该第二区域上，以形成一第二聚亚酰胺层于该第一聚亚酰胺层与该第二区域上，借此该第一聚亚酰胺层与该第一区域中的该基材间的一附着力较该第二聚亚酰胺层与该第二区域中的该基材的一附着力弱； (d)形成一电子装置层于该第一区域上的该第二聚亚酰胺层上，其中该电子装置层在该第一区域上定义出一边界，且该边界投影地位于该第一区域中；以及 (e)通过沿着一轮廓切穿该第二聚亚酰胺层与该第一聚亚酰胺层的方式，将该电子装置层、部分的该第二聚亚酰胺层和部分的该第一聚亚酰胺层与该基材分离，其中该轮廓相等于或大于该电子装置层的该边界，但不超出该第一区域。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，其中每一该些步骤(b)与(c)还包含 在一第一温度下烘烤该涂布层一第一段时间；以及 在一第二温度下固化该涂布层一第二段时间。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，其中该第一温度的范围介于70°C至.250°C，且该第一段时间的范围介于5分钟至30分钟，其中该第二温度的范围介于200°C至.400°C，且该第二段时间的范围介于30分钟至60分钟。
23.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，其中该步骤(b)还包含 沿着一轮廓切穿该第一聚亚酰胺层，借以定义出该轮廓内的该第一区域与围绕该第一区域的该第二区域；以及 剥除该第二区域上的该第一聚亚酰胺层的一部分。
24.一种根据权利要求20所述的方法制造的软性电子装置。
全文摘要
一种软性电子装置及其制作方法，该制作方法包含形成第一层于基材上，以定义第一区域与围绕第一区域的第二区域，以至少局部地暴露出第一区域中的基材，且第一层位于第二区域中；形成第二层于第一区域与第二区域上方的第一层上，因而第二层与第一区域中的基材间的附着力较第二层与第二区域中的第一层间的附着力弱；形成电子装置层于第一区域上方的第二层上，EDL定义出边界，此边界投影地位于第一区域中；以及通过沿着轮廓切穿第一层与第二层的方式，将EDL与基材分离，此轮廓位于第一区域中但不小于边界。
文档编号H01L51/56GK102629593SQ20121009278
公开日2012年8月8日 申请日期2012年3月29日 优先权日2011年11月9日
发明者方俊雄, 林瑜玲 申请人:友达光电股份有限公司