专利名称：单体块状二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及块状二极管技术领域，具体地说是一种单体块状二极管。
背景技术：
目前，公知的块状二极管，在未焊接前其引线采用料片式结构，由多个弓I线串联在一起，其生产流程为焊接、环氧树脂封装、T/F (修剪/弯折)成型、烘烤、测试、QC检验、入库。具体步骤是在焊接模盘上进行引线排列、焊料装填、晶粒装填、焊料装填、基座装填，再将模盘组合好放入焊接炉进行焊接；然后送环氧树脂封装站环氧树脂封装；环氧树脂封装之后进入T/F过程，即对串联在一起的环氧树脂封装半成品进行引线修剪和弯折，成为单个的成型块状二极管；再用高温进行烘烤，然后进行电性测试和检验，最后入库。由于T/F过程修剪和弯折会使块状二极管受到冲击而产生应力，以至带动引线末端胶体内焊接的 片，致使晶粒容易受损，从而导致产品的可靠性降低和使用寿命不长。
发明内容本实用新型的目的是设计一种能克服现有块状二极管因T/F过程中产生的应力而导致块状二极管内部晶粒受损带来的不足，可以减少在生产过程中产生的使晶粒受损的应力，起到延长产品的使用寿命和提高产品的可靠性作用，而且可以简化生产流程、提高生产效率的单体块状二极管。本实用新型单体块状二极管包括无氧铜Y型引线端子5的凹槽朝上，晶粒4和无氧铜Y型引线端子5的凸点7，无氧铜基座2的网格3焊为一体，无氧铜基座2的上方设置有环氧树脂密封外壳6。所述无氧铜Y型引线端子5的弯折角度为15 85。所述的无氧铜基座2上设置有无氧铜基座的网格3，无氧铜基座2前后设置有倒勾
Io本实用新型单体块状二极管其技术方案是这样实现的把引线由串联在一起的料片式剪切为单体式，并根据要求的弯折度弯折成型，引线的凸点7朝上，凹槽朝下的方式放入焊接盘的凹槽内，在凸点上依次放上焊片、晶粒4、焊片和无氧铜基座2，通过焊接使晶粒4焊接到引线末端的凸点7上，并通过环氧树脂封装使环氧树脂密封外壳6压附于无氧铜基座2上，环氧树脂密封外壳6对晶粒4和无氧铜基座2起到固定和保护作用。块状二极管环氧树脂封装成型后，再经过烘烤使环氧树脂密封外壳牢固，后续测试、检验生产出块状二极管成品。其中引线的引脚和无氧铜Y型引线端子5分别为二极管的两极。本实用新型单体块状二极管的优点是这样在环氧树脂封装之后块状二极管就已成型，而无需再于环氧树脂封装后对引线进行剪切与弯折，从而避免了块状二极管因T/F过程产生的应力，防止晶粒因应力而脆裂，使产品的寿命及可靠性大大提高，同时减少生产工序、提高生产效率，并降低成本。
图I是料片式引线的结构示意图。图2是单体式引线的结构示意图。图3是弯折成型后的引线示意图。图4是成品块状二极管示意图。图5为成品块状二极管的装配示意图。
具体实施方式
根椐图I 一图5所示本实用新型单体块状二极管为单体式，单体块状二极管包括无氧铜Y型引线端子的凹槽朝上，晶粒4和无氧铜Y型引线端子5的凸点7，无氧铜基座2的网格3焊为一体，无氧铜基座2的上方设置有环氧树脂密封外壳6。所述的无氧铜Y型引线端子5的弯折角度为15 85。所述的无氧铜基座2上设置有无氧铜基座的网格3，无氧铜基座2前后设置有倒勾
Io
权利要求1.一种单体块状二极管，包括其特征在于无氧铜Y型引线端子(5)的凹槽朝上，晶粒4和无氧铜Y型引线端子(5)的凸点(7)，无氧铜基座(2)的网格(3)焊为一体，无氧铜基座(2)设置有环氧树脂密封外壳(6)。
2.根据权利要求I所述的单体块状二极管，其特征在于所述的无氧铜Y型引线端子(5)的弯折角度为15 85。
3.根据权利要求I所述的单体块状二极管，其特征在于所述的无氧铜基座(2)上设置有无氧铜基座的网格(3 )，无氧铜基座(2 )前后设置有倒勾(I)。
专利摘要一种单体块状二极管，包括无氧铜Y型引线端子(5)的凹槽朝上，晶粒4和无氧铜Y型引线端子(5)的凸点(7)无氧铜基座(2)的网格(3)焊为一体，无氧铜基座(2)设置有环氧树脂密封外壳(6)。其优点是这样在环氧树脂封装之后块状二极管就已成型，而无需再于环氧树脂封装后对引线进行剪切与弯折，从而避免了块状二极管因T/F过程产生的应力，防止晶粒因应力而脆裂，使产品的寿命及可靠性大大提高，同时减少生产工序、提高生产效率，并降低成本。
文档编号H01L23/49GK202585394SQ20122016243
公开日2012年12月5日 申请日期2012年4月17日 优先权日2012年4月17日
发明者张书郎 申请人:湖北烨和电子科技有限公司