用于自发式材料剥落的低温方法

用于自发式材料剥落的低温方法
【专利摘要】提供了用于以下（i）和（ii）的方法：（i）在材料剥落过程中引入额外的控制，由此改善裂缝引发和传播，以及（ii）增加可选择的剥落深度的范围。在一个实施例中，该方法包括在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温。接下来,使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度。在所述第二温度下剥落所述基体衬底，以形成剥落的材料层。之后，将所述剥落的材料层恢复到室温，即，所述第一温度。
【专利说明】用于自发式材料剥落的低温方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及半导体器件制造，更具体地，涉及利用低温自发式剥落来控制表面层从基体衬底(base substrate)的分离(removal)的方法。
【背景技术】
[0002]可以以薄膜形式制造的器件具有优于其体对应物(bulk counterpart)的三个明显的优点。首先由于使用了较少的材料，薄膜器件改善了与器件制造相关的材料成本。其次，低的器件重量是明确的优点，该优点激发了用于宽范围的薄膜应用的行业级的努力。第三，如果尺寸足够小，器件可以其薄膜形式呈现机械柔性。此外，如果从可重复利用的衬底分离器件层，则可以实现额外的制造成本降低。
[0003]正在进行努力以(i )从体材料(即，半导体)产生薄膜衬底以及(i i )通过从下伏的(underlying)体衬底(薄膜器件层在其上形成)分离器件层而形成薄膜器件层。使用已知为剥落的方法，已经成功展示了这样的应用所需的受控制的表面层分离；参见Bedell等人的序列号为2010/0311250的美国专利申请。剥落包括将应力源层沉积在衬底上、将可选的处理衬底(handle substrate)置于应力源层上以及在衬底/应力源界面下方诱导裂缝(crack)及其传播。在室温下执行的该方法分离出应力源层下方的基体衬底的薄层。“薄”是指层厚度典型地小于100微米，其中小于50微米的层厚度更典型。
[0004]裂缝传播的深度受到应力源层厚度、应力源层的固有张应力、以及正被剥离(剥落)的基体衬底的断裂韧度的控制。然而，利用现有技术剥落工艺难以实现对释放层处理的引发(裂缝引发(crack initiation)和传播)以及被剥落的材料的厚度的均勻性的控制。

【发明内容】

[0005]本公开提供了用于以下(i )和(i i )的方法:(i )在材料剥落过程中弓丨入额外的控制，由此改善裂缝引发和传播，以及(ii)增加可选择的剥落深度的范围。本公开的方法是在低于室温下进行的自发剥落方法，而不是像例如在Bedell等人的序列号为2010/0311250的美国专利申请中公开的在室温下进行的机械剥落方法。
[0006]“自发的”的意思是在不需要使用任何手动手段来引发(initiate)用于使薄材料层从基体衬底分裂开的裂缝形成和传播的条件下发生该薄材料层从基体衬底的分离。“室温”的意思是从15°C到40°C的温度。“低温剥落”的意思是在低于室温的温度下材料层从基体衬底分离。
[0007]在一个实施例中，本公开的方法包括:在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温；使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及将所述剥落的材料
层恢复到室温。
[0008]在另一个实施例中，所述方法包括:在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温；使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于206开尔文(K)的第二温度；在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及将所述剥落的材料层恢复到室温。
[0009]在再一个实施例中，所述方法包括:在第一温度下在基体衬底的表面上设置剥落诱导带层(spall inducing tape layer),所述第一温度近似为室温或略高(例如，15°C到60°C);使包括所述剥落诱导带层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及将所述剥落的材料层恢复到室温。
[0010]在又一个实施例中，本公开的方法包括:在基体衬底的表面上设置二部分(two-part)应力源层，其中该二部分应力源层的下部在第一温度下形成，所述第一温度近似为室温或略高(例如15°C到60°C)，其中该二部分应力源层的上部包括在辅助温度下的剥落诱导带层，所述辅助温度为室温；使包括所述二部分应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及将所述剥落的材料层恢复到室温。
[0011]通过使用上述方法之一，由于有差别的热膨胀、裂缝前缘(crackfront)处的晶体结构改变、低于室温下的断裂韧度值差异，诱导材料剥落的有效应力被调整，以达到剥落型断裂所需的应力状态(stress regime)，该应力状态是使用在序列号为2010/0311250的美国专利申请中公开的室温剥落技术所无法达到的。
[0012]本公开的前述剥落方法的一个优点是在从剥落引发直到剥落完成的层释放过程的所有阶段所述层释放过程都是自发的。本公开的方法的另一个优点在于，由热膨胀失配所引起的应力源层应力的分量是可逆的，且在温暖(warm)回到室温时将消失，由此提供了与被剥落时的温度相比在室温下更平坦的剥落应力源层/剥落膜偶(couple)。本公开的方法的又一优点在于，它们放宽了受控的自发剥落的处理窗口:直到通过温度降低来故意引入自发剥落为止，可在室温下安全地存储包含这样的应力源层的基体衬底:该应力源层具有的厚度/应力值低于在室温下剥落所需的阈值。
【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1是(通过截面图)示例出可以在本公开的一个实施例中使用的基体衬底的图
/Jn ο
[0014]图2是(通过截面图)示例出在基体衬底的表面上形成可选的含金属的粘着层(adhesion layer)之后的图1的基体衬底的图示。
[0015]图3是(通过截面图)示例出在可选的粘着层的表面上形成应力源层和/或剥落诱导带层之后的图2的结构的图示。
[0016]图4是(通过截面图)示例出在应力源层顶上形成可选的处理衬底之后的图3的结构的图示。
[0017]图5是(通过截面图)示例出在通过利用本公开的低温自发剥落方法分离基体衬底的上部之后的图4的结构的图示。
【具体实施方式】
[0018]现在将通过参考以下的讨论以及本申请的附图来更详细地描述本公开，本公开涉及用于以下(i)和(ii)的方法:(i)在材料剥落过程中引入额外的控制，由此改善裂缝引发和传播，以及(ii)增加可选择的剥落深度的范围。应注意，本申请的附图被提供用于示例的目的，因此它们不是按比例绘制的。
[0019]在下列描述中，阐述了大量具体细节，例如特定的结构、组件、材料、尺寸、处理步骤和技术，以提供对本发明的全面理解。但是，本领域普通技术人员将理解，本公开可以用可行的替代处理选项来实施而不用这些具体细节。在其他实例中，众所周知的结构或处理步骤没有被详细描述，以避免使本公开的各个实施例模糊。
[0020]将理解，当诸如层、区域或衬底的某要素被称为位于另一要素“上”或“之上”时，它可以直接位于该另一要素上或者还可以存在居间的要素。相反，当某要素被称为“直接在”另一要素“上”或“之上”时，不存在居间的要素。还将理解，当某要素被称为位于另一要素“下方”或“之下”时，它可以直接位于该另一要素下方或之下或者可以存在居间的要素。相反，当某要素被称为“直接在”另一要素“下方”或“之下”时，不存在居间的要素。
[0021]现在参考图1-5，其示例了本公开的方法的基本处理步骤，该方法以受控制的方式从基体衬底剥落即剥离材料层。被剥落的材料层为薄的且其上可以或可以不包含一个或多个器件。术语“薄的”被用于表示被剥落的材料层具有典型地小于ΙΟΟμπι的厚度，其中小于50微米的厚度更典型。
[0022]具体地，图1-5示例出低温自发剥落方法，该方法包括:在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温；使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及将所述剥落的材料层恢复到室温，例如所述第一温度。
[0023]首先参考图1，示例出了可以在本公开中使用的具有上表面12的基体衬底10。本公开中使用的基体衬底10可以包括半导体材料、玻璃、陶瓷、或者其断裂韧度小于随后形成的应力源层的断裂韧度的任意其他材料。
[0024]断裂韧度是描述包含裂缝的材料的抗断裂的能力的特性。断裂韧度被表示为ΚΙε。下标Ic表示在与裂缝垂直的法向张应力下的模式I裂缝开口，且c表示这是临界值。模式I断裂韧度典型地是最重要的值，这是因为剥落式断裂通常在衬底中的模式II应力(剪切应力)为零的位置发生，而模式III应力(撕裂应力)在载荷状态下通常不存在。断裂韧度是表示存在裂缝时材料对脆性断裂的抵抗力的量化方式。
[0025]当基体衬底10包括半导体材料时，该半导体材料可以包括但不限于S1、Ge、SiGe、SiGeC, SiC,Ge 合金、GaSb、GaP、GaAs、InAs、InP、以及所有其他的 II1-V 或 I1-VI 化合物半导体。在某些实施例中，基体衬底10是体半导体材料。在其他实施例中，基体衬底10可以包括层叠的半导体材料，例如绝缘体上半导体或聚合物衬底上的半导体。可被用作基体衬底10的绝缘体上半导体衬底的示例性例子包括绝缘体上娃和绝缘体上娃锗。
[0026]当基体衬底10包含半导体材料时，该半导体材料可以是掺杂的、未掺杂的或包含掺杂区域和未掺杂区域。
[0027]在一个实施例中，可被用作基体衬底10的半导体材料可以是单晶的(即其中整个样品的晶格是连续的且没有破损直到样品边缘，没有晶粒边界)。在另一实施例中，可被用作基体衬底10的半导体材料可以是多晶的(即，由可变尺寸和方向的许多微晶构成的材料；方向的变化可以是随机的(被称为随机纹理)或定向的，可能归因于生长和处理条件)。注意，当所述半导体材料是多晶材料时，本公开的剥落过程剥落特定晶粒，同时留下未剥落的特定晶粒。因此，使用本公开的低温剥落工艺来剥落多晶半导体材料可以产生非连续的剥落材料层。在本公开的又一实施例中，可被用作基体衬底10的半导体材料可以是非晶的(即，缺乏晶体的长程有序特性的非晶体材料)。典型地，可被用作基体衬底10的半导体材料是单晶材料。
[0028]当基体衬底10包含玻璃时，该玻璃可以是基于SiO2的玻璃，其可以未被掺杂或掺杂有合适的掺杂剂。可被用作基体衬底10的掺杂的基于SiO2的玻璃的例子包括未掺杂的硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃和硼磷硅酸盐玻璃。
[0029]当基体衬底10包含陶瓷时，该陶瓷可以是:任意无机的、诸如氧化物的非金属的固体，其包括但不限于氧化铝、氧化铍、氧化铈和氧化锆；非氧化物，其包括但不限于碳化物、硼化物、氮化物或硅化物；或者包含氧化物和非氧化物的组合的复合材料。
[0030]在本公开的某些实施例中，可以利用本领域技术人员熟知的技术在基体衬底10的上表面12上和/或上表面12内加工包括但不限于晶体管、电容器、二极管、BiCMOS、电阻器等的一个或多个器件。可以利用本公开的剥落方法来分离包含一个或多个器件的基体衬底的上部。
[0031]在本公开的某些实施例中，可以在进一步处理之前清洁基体衬底10的上表面12以从其去除表面氧化物和/或其他污染物。在本公开的一个实施例中，通过向基体衬底10施加诸如丙酮和异丙醇的溶剂来清洁基体衬底10，该溶剂能够从基体衬底10的上表面12去除污染物和/或表面氧化物。
[0032]现在参考图2，示例出在上表面12上形成可选的含金属的粘着层14之后的图1的基体衬底10。在其中随后要形成的应力源层对基体衬底10的上表面12具有差的粘着力的实施例中，使用可选的含金属的粘着层14。典型地，在使用由金属构成的应力源层时，使用含金属的粘着层14。
[0033]在本公开中使用的可选的含金属的粘着层14包括任意金属粘着材料，例如但不限于Ti/W、T1、Cr、Ni或其任意组合。可选的含金属的粘着层14可以包括单层或者它可以包括多层结构，该多层结构包含至少两个不同的金属粘着材料层。
[0034]可以在基体衬底12的上表面12上可选地形成的含金属的粘着层14是在室温(15°C _40°C)或更高的温度下形成的。在一个实施例中，可选的含金属的粘着层14是在从20°C到180°C的温度下形成的。在另一实施例中，可选的含金属的粘着层14是在从20°C到60°C的温度下形成的。
[0035]可以使用本领域技术人员熟知的沉积技术来形成可被可选地使用的含金属的粘着层14。例如，可以通过溅射、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、化学溶液沉积、物理气相沉积和镀敷来形成可选的含金属的粘着层14。在使用溅射沉积时，溅射沉积工艺还可以包括在沉积之前的原位溅射清洁处理。
[0036]当被采用时，可选的含金属的粘着层14典型地具有5nm到200nm的厚度，其中从IOOnm到150nm的厚度更典型。本公开中也可使用在上述厚度范围以下和/或以上的可选的含金属的粘着层14的其他厚度。
[0037]现在参考图3，示例出在可选的含金属的粘着层14的上表面上形成应力源层16之后的图2的结构。在其中不存在可选的含金属的粘着层14的某些实施例中，直接在基体衬底10的上表面12上形成应力源层16 ;在图中未示出该特定的实施例，但可以很容易从本申请中示例的图来推断。
[0038]本公开中采用的应力源层16包括在剥落温度下在基体衬底10上处于张应力下的任何材料。被施加到基体衬底10顶上时处于张应力下的这样材料的示例性例子包括但不限于金属、聚合物(例如剥落诱导带层)、或者其任意组合。应力源层16可以包括单个应力源层，或者可以采用包括至少两个不同应力源材料层的多层应力源结构。
[0039]在一个实施例中，应力源层16是金属，且该金属形成在可选的含金属的粘着层14的上表面上。在另一实施例中，应力源层16是剥落诱导带，且该剥落诱导带被直接施加到基体衬底10的上表面12。在另一实施例中，例如，应力源层16可以包括二部分应力源层，该二部分应力源层包含下部和上部。二部分应力源层的上部可以由剥落诱导带层构成。
[0040]当金属被用作应力源层16时，该金属可以包括例如N1、Cr、Fe或W。也可以采用这些金属的合金。在一个实施例中，应力源层16包括由Ni构成的至少一个层。
[0041]当聚合物被用作应力源层16时，该聚合物是由重复的结构单元组成的高分子。这些子单元典型地通过共价化学键来连接。可被用作应力源层16的聚合物的示例性例子包括但不限于聚酰亚胺、聚酯、聚烯烃、聚丙烯酸酯、聚氨酯、聚醋酸乙烯酯以及聚氯乙烯。
[0042]当将剥落诱导带层被用作应力源层16时，该剥落诱导带层包括任意压力敏感带，所述压力敏感带在用于形成该带的第一温度下是柔性的、软的和无应力的，而在分离基体衬底的上部期间使用的第二温度下是强韧的、可延展和有张力的。“压力敏感带”是指在施加压力时会粘住的胶带，而不需要溶剂、热或水来激活。第二温度下该带中的张应力主要归因于基体衬底10 (具有较低的热膨胀系数)和该带(具有较高的热膨胀系数)之间的热膨胀失配。
[0043]典型地，在本公开中被用作应力源层16的压力敏感带至少包括粘着层和基体层(base layer)。用于压力敏感带的粘着层和基体层的材料包括聚合物材料,例如丙烯酸脂类、聚酯、烯烃和乙烯树脂(vinyl)，具有或不具有合适的增塑剂。增塑剂是可以提高它们所被添加到的聚合物材料的塑性的添加剂。
[0044]在一个实施例中，本公开中采用的应力源层16是在处于室温(15°C -40°C)的第一温度下形成的。在另一实施例中，在采用带层时，该带层可以在从15°C到60°C的第一温度下形成。
[0045]当应力源层16是金属或聚合物时，可以使用本领域技术人员熟知的沉积技术来形成应力源层16，所述沉积技术包括例如浸涂、旋涂、刷涂、溅射、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、化学溶液沉积、物理气相沉积和镀敷。
[0046]当应力源层16是剥落诱导带层时，可以通过手或机械装置将该带层施加到该结构。可以利用本领域技术人员熟知的技术来形成剥落诱导带，或者可以从众所周知的胶带生产商在商业上购买。可用于本公开中的作为应力源层16的剥落诱导带的一些例子包括例如Nitto Denko3193MS热释放带、Kapton KPT-1 以及Diversif ied Biotech 的 CLEAR-170(丙烯酸粘合剂、乙烯树脂基体)。
[0047]在一个实施例中，在基体衬底的表面上可以形成二部分应力源层，其中，该二部分应力源层中的下部是在处于室温或略高的第一温度(例如从15°C到60°C)下形成的，其中该二部分应力源层的上部包括在处于室温的辅助温度下的剥落诱导带层。接下来，使包含该二部分应力源层的基体衬底处于低于室温的第二温度下。基体衬底然后在第二温度下被剥落以形成剥落的材料层。然后将剥落的材料层恢复到室温。
[0048]如果应力源层16具有金属性质，则它典型地具有从3 μ m到50 μ m的厚度，其中从4μπ?到7μπ?的厚度更典型。在本公开中也可以采用小于和/或大于上述厚度范围的其他厚度的应力源层16。
[0049]如果应力源层16具有聚合物性质，则它典型地具有从10 μ m到200 μ m的厚度，其中从50 μ m到100 μ m的厚度更典型。在本公开中也可以采用小于和/或大于上述厚度范围的其他厚度的应力源层16。
[0050]参考图4，示例出在应力源层16顶上形成可选的处理衬底18之后的图3的结构。本公开中采用的可选的处理衬底18包括任意柔性材料，其具有小于30cm的最小曲率半径。可被用作可选的处理衬底18的柔性材料的示例性例子包括金属箔或聚酰亚胺箔。
[0051]可选的处理衬底18可被用于提供更好的断裂控制以及对基体衬底10的剥落部分进行处理时的更多通用性。此外，可选的处理衬底18可被用于在本公开的自发剥落过程期间引导裂缝传播。
[0052]本公开的可选的处理衬底18典型地但不必须在处于室温(15°C -40°C )的第一温度下形成。
[0053]可以使用本领域技术人员熟知的沉积技术来形成可选的处理衬底18，所述沉积技术包括例如浸涂、旋涂、刷涂、溅射、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、化学溶液沉积、物理气相沉积和镀敷。
[0054]可选的处理衬底18典型地具有I μ m到数mm的厚度，其中70 μ m到120 μ m的厚度更典型。在本公开中也可以采用小于和/或大于上述厚度范围的其他厚度的可选的处理衬底18。
[0055]参考图5，示例 出通过自发剥落来分离基体衬底10的上部10”之后的图4的结构。在图5中，参考标号10’表不未被剥落的剩余基体衬底10,而参考标号10”表不其上可以包括一个或多个器件的基体衬底的剥落部分。
[0056]该自发剥落过程包括在低于室温的第二温度下引发的裂缝形成和传播。在一个实施例中，自发剥落在77K或更低的第二温度下发生。在另一实施例中，自发剥落在低于206K的第二温度下发生。在又一实施例中，第二温度(例如，自发剥落温度)为从175K到130K。
[0057]在上面提及的第二温度范围内，裂缝在基体衬底10的上表面12下方开始自发地引发并传播。
[0058]通过利用任意冷却装置将图4中示出的结构冷却到低于室温，可以实现在本公开中用于剥落而使用的第二温度。例如，可以通过将结构置于液氮浴、液氦浴、冰浴、干冰浴、超临界流体浴或任意低温环境液体或气体中来实现冷却。
[0059]通过上述自发剥落过程从基体衬底10分离的剥落材料层10”典型地具有1000nm到数十μπι的厚度，其中5μπι到50μπι的厚度更典型。剥落材料层10”的厚度与裂缝引发和传播的深度相关。
[0060]在剥落过程之后，将剥落材料层10”恢复到第一温度(即室温)。这可以通过允许剥落材料层10”在室温下静置而允许剥落材料层10”缓慢冷却上升到第一温度来进行。或者，可以利用任意加热装置将剥落材料层10”加热到室温。
[0061]在本公开的某些实施例中，可以从剥落材料层10”分离可选的处理衬底18、应力源层16和可选的含金属的粘着层14。当从剥落材料层10”分离可选的处理衬底18、应力源层16和可选的含金属的粘着层14时，可以利用本领域技术人员熟知的常规技术来实现这些层的分离。例如，在一个实施例中，王水(HN03/HC1)可被用于从剥落材料层10 ”分离可选的处理衬底18、应力源层16和可选的含金属的粘着层14。
[0062]本公开可被用于制造各种类型的薄膜器件，这些薄膜器件包括但不限于半导体器件和光伏器件。
[0063]尽管针对其优选实施例来特别地示出并描述了本公开，但本领域普通技术人员将理解，可以对形式和细节进行上述和其他改变而不偏离本公开的精神和范围。本公开由此旨在不受限于所描述和示例的确切的形式和细节，而是落在所附权利要求书的范围内。
【权利要求】
1.一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括: 在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温； 使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度； 在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及 将所述剥落的材料层恢复到室温。
2.权利要求1所述的方法，其中，所述基体衬底的断裂韧度小于所述应力源层的断裂韧度。
3.权利要求2所述的方法，其中，所述基体衬底包括半导体材料、玻璃或陶瓷。
4.权利要求3所述的方法，其中，所述基体衬底是半导体衬底，并且所述半导体衬底是单晶体。
5.权利要求1所述的方法，还包括在所述应力源层与所述基体衬底之间形成含金属的粘着层。
6.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是金属、聚合物、剥落诱导带层或它们的任何组合。
7.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是金属，并且所述金属包括N1、Cr、Fe或W。
8.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是剥落诱导带层，并且所述剥落诱导带层是压力敏感带，该压力敏感·带在所述第一温度下是柔性的并且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并且有张力的。
9.权利要求8所述的方法，其中，所述压力敏感带至少包括粘着层和基体层。
10.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层包括二部分应力源层，该二部分应力源层包括下部和上部，所述上部包括剥落诱导带层。
11.权利要求1所述的方法，还包括在所述应力源层的顶上并且在所述第一温度下形成支撑衬底。
12.权利要求1所述的方法，其中，所述第二温度为77K或更低。
13.一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括: 在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温； 使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于206K的第二温度； 在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及 将所述剥落的材料层恢复到室温。
14.权利要求13所述的方法，还包括在所述应力源层与所述基体衬底之间形成含金属的粘着层。
15.权利要求13所述的方法，其中，所述应力源层是金属，并且所述金属包括N1、Cr、Fe或W。
16.权利要求13所述的方法，其中，所述应力源层是剥落诱导带层，并且所述剥落诱导带层是压力敏感带，该压力敏感带在所述第一温度下是柔性的并且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并且有张力的。
17.权利要求13所述的方法，还包括在所述应力源层的顶上并且在所述第一温度下形成支撑衬底。
18.权利要求13所述的方法，其中，所述应力源层包括二部分应力源层，该二部分应力源层包括下部和上部，所述上部包括剥落诱导带层。
19.一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括: 在从15°C到60°C的第一温度下在基体衬底的表面上设置剥落诱导带层； 使包括所述剥落诱导带层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度； 在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及 将所述剥落的材料层恢复到室温。
20.权利要求19所述的方法，其中，所述剥落诱导带层是压力敏感带，该压力敏感带在所述第一温度下是柔性的并且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并且有张力的。
21.权利要求20所述的方法，其中，所述压力敏感带至少包括粘着层和基体层。
22.权利要求19所述的方法，还包括在所述剥落诱导带层的顶上并且在所述第一温度下形成支撑衬底。
23.权利要求19所述的方法，其中，所述剥落诱导带层包括二部分应力源层的上部。
24.权利要求19所述的方法，其中，所述第二温度为77K或更低。
25.权利要求19所述的方法，其中，所述第二温度低于206K。
【文档编号】H01L21/30GK103582934SQ201280026784
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年5月8日 优先权日:2011年6月1日
【发明者】M·M·卡亚特, N·E·索萨科提斯, K·L·森格尔, S·W·比德尔, D·K·萨达那 申请人:国际商业机器公司, 阿卜杜勒阿齐兹国王科技城