技术总结
一种晶体管及其形成方法，其中，其形成方法包括：分别在PMOS区域形成覆盖高K栅介质层的第一功函数层，在NMOS区域形成覆盖高K栅介质层的第二功函数层；形成覆盖第一功函数层和第二功函数层表面的第一阻挡层，第一阻挡层的材料内部为无定形态；形成覆盖第一阻挡层表面的金属栅电极层，金属栅电极层与层间介质层表面齐平。形成的晶体管的第一功函数层和第二功函数层的质量好，阈值电压易于控制，晶体管的性能优越。
技术研发人员：三重野文健
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310224058
技术研发日：2013.06.05
技术公布日：2017.06.13