一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法
【专利摘要】本发明提供一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理和热回流处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和收缩，产生趋向拉伸的应力，从而能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性，提高了金属硬掩膜层下层薄膜的品质。
【专利说明】一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法。
【背景技术】
[0002]在0.13μπι以及更先进的后段工艺，铜互连由于更低的电阻率和更好的抗电迁移性能而被广泛作为铝互连所替代。铜互连工艺的完成可以采用金属硬掩膜层的方法(通常采用物理气相沉积PVD方法来制备氮化钛TiN薄膜)来实现。采用该工艺可以减小低介电常数层间介电质在干法时刻过程中造成的损伤，减小了光阻的用量，并且金属硬掩膜层是牺牲层，不会在最终的产品中存留，从而该工艺广泛的应用于65nm以下的铜互连中。
[0003]但是在实际的生产过程中发现，金属硬掩膜层的应力一般很高，例如氮化钛TiN薄膜的应力约为-1.4GPa，具有较高应力的金属硬掩膜层会对其下方的低介电常数薄膜产生一定作用(如图1中箭头所示，TiN薄膜对其下方的低介电常数薄膜的作用)而导致其发生变形(如图1所示)，从而影响产品的良率。
[0004]目前解决该问题的方法为通过调整沉积金属硬掩膜层薄膜参数，而改变薄膜的应力，进而减小该薄膜对于其下方低介电常数薄膜力的作用，提高产品良率。然而，对金属硬掩膜层薄膜沉积参数的调整，虽然使得薄膜的应力有所减小，却使得该薄膜的电阻率均匀性有所影响(例如沉积参数调整后，TiN薄膜的电阻率均匀性从2%增加到8%以上)，进而会影响到其后续的蚀刻等制程。因此，需要一种方法既能够降低该薄膜的应力，又能够使得薄膜的其他性能不受太大的影响。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，能够充分减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到高应力而产生变形现象发生的可能性并且提高了金属硬掩膜层的品质。
[0006]为解决上述问题，本发明提出一种金属硬掩膜层的制备方法，包括:
[0007]提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一定厚度的金属氮化物；
[0008]对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理，形成预定义厚度的金属硬掩膜层。
[0009]进一步的，所述金属硬掩膜层为氮化钛和/或氮化钽。
[0010]进一步的，沉积金属硬掩膜层的工艺为CVD或MOCVD或PVD或ALD。
[0011]进一步的，所述金属硬掩膜层厚度为IOOA-1000A,
[0012]进一步的，所述紫外光照射氮化处理的载气包括氮气，还包括氩气和/或氢气。
[0013]进一步的，所述紫外光照射氮化处理的工艺参数包括:紫外光照射的波长范围为IOOnm?400nm，照射温度为200°C?400°C，照射时间为2分钟?10分钟。
[0014]进一步的，所述热回流处理的工艺参数包括:热回流温度为100°C?400°C ;热回流时间为IOOs?500s ;通入的惰性气体的流量为IOOsccm?lOOOsccm，所述惰性气体包括
氦气或IS气。
[0015]本发明还提供一种铜互连结构的制备方法，包括:
[0016]提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫层、低K介质层；
[0017]采用上述之一的金属硬掩膜层的制备方法，在所述低K介质层上形成预定义厚度的金属硬掩膜层；
[0018]在所述金属硬掩膜层上形成覆盖层；
[0019]采用单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺刻蚀所述覆盖层、金属硬掩膜层、低K介质层以及衬垫层，从而在所述低K介质层中形成一层铜互连结构。
[0020]进一步的，所述衬垫层为含氮的碳化硅(SiCN);所述低K介质层包括多孔硅层(SiOCH)以及其上方的正硅酸乙酯层(TEOS);所述覆盖层为氧化硅。
[0021]进一步的，所述单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺的步骤包括:
[0022]沟道曝光、刻蚀；过孔曝光、刻蚀；去除光阻层；沟道和过孔刻蚀；衬垫层开口 ；沟道和过孔的籽晶层沉积、铜填充以及填充后的化学机械抛光。
[0023]与现有技术相比，本发明提供的金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和收缩，产生趋向拉伸的应力，从而能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性，提高了金属硬掩膜层下层薄膜的品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1现有技术中一种铜互连结构的电镜扫描图；
[0025]图2是本发明具体实施例的金属硬掩膜层的制备方法流程图；
[0026]图3是本发明具体实施的铜互连结构的制备方法流程图；
[0027]图4A至图4D是图3所示的铜互连结构的制备方法流程的器件结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]本发明的核心思想是公开一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理和热回流处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和收缩，产生趋向拉伸的应力，从而能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性，提高了金属硬掩膜层下层薄膜的品质。
[0029]为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应认为只是局限在所述的实施例。
[0030]请参考图2，本发明提出一种金属硬掩膜层的制备方法，包括:[0031]S11，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上采用CVD(化学气相沉积)或MOCVD(有机金属气相沉积)或PVD (物理气相沉积)或ALD (原子层气相沉积)沉积一定厚度的氮化钛；
[0032]S12，对所述氮化钛进行紫外光照射氮化处理和热回流处理，形成金属硬掩膜层。
[0033]其中在本发明其他实施例中，金属硬掩膜层也可以是氮化钽或者氮化钛和氮化钽构成的复合层。在步骤Sll的沉积过程中，一种方法是化学气相沉积(CVD)法，其通常采用四氯化钛(TiCl4)作为钛源和氨气(NH3)作为氮源形成氮化钛层；另一种方法是依靠有机金属 CVD(MODCD，metallo-organic CVD)法，使用四(二甲基氨化)钛(TDMAT，Ti [N(CH3)2]4，tetrakis-dimethylamino titanium)形成。
[0034]在步骤S12中，先采用紫外光照射氮化处理工艺对氮化钛形成的金属硬掩膜层进行初步处理，去除杂质，有效减小大部分金属硬掩膜层的应力，而后采用热回流处理工艺对紫外光照射氮化处理后的金属硬掩膜层进行再次处理，可以有效而又充分去除金属硬掩膜层中剩余应力，经过两次处理从而有效并充分降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性并且提高了其下层薄膜的品质。
[0035]请参考图3，本发明还提供一种铜互连结构的制备方法，包括:
[0036]S21，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫层、低K介质层；
[0037]S22，采用Sll至S12所述的金属硬掩膜层的制备方法，在所述低K介质层上形成预定义厚度的金属硬掩膜层；
[0038]S23，在所述金属硬掩膜层上形成覆盖层；
[0039]S24，采用单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺刻蚀所述覆盖层、金属硬掩膜层、低K介质层以及衬垫层，从而在所述低K介质层中形成一层铜互连结构。
[0040]下面结合附图3和附图4A至4D详细描述本发明的铜互连结构的制备方法。
[0041]请参考图3和图4A，在步骤S21中，提供的半导体衬底400是第X_1层铜互连结构，包括Mjh金属层，在所述半导体衬底400上依次形成衬垫层401、低K介质层402 ;其中，所述衬垫层401为含氮的碳化硅(SiCN);所述低K介质层402包括多孔硅层(SiOCH)以及其上方的正硅酸乙酯层(TE0S)。
[0042]请参考图3和图4A，在步骤S22中，采用Sll至S12所述的金属硬掩膜层的制备方法，在所述低K介质层402上形成预定义厚度的金属硬掩膜层403，其中Sll至S12所述的金属硬掩膜层的制备方法中，通过CVD或MOCVD或PVD或ALD沉积工艺沉积氮化钛来形成金属硬掩膜层。形成金属硬掩膜层的厚度为IOOA-1000A,例如是 150A, 200A, 250A, 300A, 35θΑ, 400Α? 450Α?500Α? S50A, 600A, 700Α? 800A, 900A。所述紫外光照射氮化处理时的混合载
气包括氮气，还包括氩气和/或氢气，所述紫外光照射氮化处理的工艺参数包括:紫外光照射的波长范围为IOOnm~400nm，照射温度为200°C~400°C，照射时间为2分钟~10分钟。热回流处理的工艺参数可以根据金属硬掩膜层的沉积工艺参数、厚度以及紫外光照射氮化处理工艺参数适应性调整，优选地，热回流温度为100°C~400°C ;热回流时间为IOOs~500s ;通入的惰性气体的流量为lOOsccm~lOOOsccm，所述惰性气体包括氩气或氦气。
[0043]请参考图3和图4A，在步骤S23中，在所述金属硬掩膜层403上形成覆盖层404，其中，所述覆盖层404为氧化硅。
[0044]请参考图3和图4B至4D，在步骤S24中可以采用单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺刻蚀各膜层，以在所述低K介质层402中形成一层铜互连结构。例如双大马士革刻蚀工艺的具体过程如下:
[0045]请参考图4B，在所述金属硬掩膜层404上涂布光阻层405，光阻层405包括，光阻层405包括底部抗反射层BARC以及光刻胶PR层；然后进行沟道曝光、刻蚀工艺，即首先对光阻层405进行曝光、显影、刻蚀等光刻工艺，形成带有Mx层金属图案的图案化的光阻层，接着依次刻蚀覆盖层404、金属硬掩膜层403、低K介质层402，或者刻蚀覆盖层404和过刻蚀金属硬掩膜层403，将光阻层405上的Mx层金属图案依次转移到覆盖层404、金属硬掩膜层403、低K介质层402上，Mx层金属图案即沟道图案；
[0046]请参考图4C，去除上述光阻层，在包含Mx层金属图案的器件表面重新沉积光阻层405a,并进行过孔曝光、刻蚀，即对新的光阻层405a进行曝光、显影、刻蚀等光刻工艺，形成带有过孔Vx图案的图案化的光阻层，然后依次刻蚀覆盖层404、金属硬掩膜层403、低K介质层402，或者刻蚀覆盖层404和过刻蚀金属硬掩膜层403，将光阻层405上的过孔Vx图案依次转移到覆盖层404、金属硬掩膜层403、低K介质层402上；
[0047]请参考图4D，去除上述新的光阻层，并在去除覆盖层之前或之后，以金属硬掩膜层为掩膜，按照将形成的Mx层金属图案以及过孔Vx图案继续刻蚀直至衬垫层401开口，即进行沟道和过孔刻蚀以及衬垫层401开口，从而在低K介质层402中形成沟道(沟道用于后续形成Mx金属层，未图示)，在低K介质层402以及衬垫层401中形成过孔40 ;其中，过孔40的孔径深度延伸至半导体衬底400中的Mjh金属层表面，以用于后续Mjh金属层与Mx金属层的互连；
[0048]请继续参考图4D，向过孔和沟道中沉积籽晶层，并进行铜填充以及进行填充后的化学机械抛光(顶部平坦化至预定义Mx金属层厚度，一般会平坦化至低K介质层402的下层)，形成包含Mx金属层和过孔Vx的新的一层铜互连结构。
[0049]在其他实施例中，采用单大马士革刻蚀工艺主要是沟道刻蚀、填充过程与过孔刻蚀、填充过程完全单独操作，其步骤也包括:沟道曝光、刻蚀；过孔曝光、刻蚀；去除光阻层；沟道和过孔刻蚀；衬垫层开口 ；沟道和过孔的籽晶层沉积、铜填充以及填充后的化学机械抛光。
[0050]综上所述，本发明提供的金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理和热回流处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和收缩，产生趋向拉伸的应力，从而能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性，提高了金属硬掩膜层下层薄膜的品质。
[0051]显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一定厚度的金属氮化物； 对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理，形成预定义厚度的金属硬掩膜层，最后进行热回流处理。
2.如权利要求1所述的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层为氮化钛和/或氮化钽。
3.如权利要求1所述的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，沉积金属硬掩膜层的工艺为CVD或MOCVD或PVD或ALD。
4.如权利要求1所述的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层厚度为1001~1000入。
5.如权利要求1所述的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，所述紫外光照射氮化处理的载气包括氮气，还包括氩气和/或氢气。
6.如权利要求1所述的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，所述紫外光照射氮化处理的工艺参数包括:紫外光照射的波长范围为IOOnm?400nm，照射温度为200°C?400°C，照射时间为2分钟?10分钟。
7.如权利要求1所述的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，所述热回流处理的工艺参数包括:热回流温度为100°C?400°C;热回流时间为IOOs?500s ;通入的惰性气体的流量为IOOsccm?IOOOsccm,所述惰性气体包括氦气或気气。
8.—种铜互连结构的制备方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫层、低K介质层； 采用权利要求1至7中任一项所述的金属硬掩膜层的制备方法，在所述低K介质层上形成预定义厚度的金属硬掩膜层； 在所述金属硬掩膜层上形成覆盖层； 采用单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺刻蚀所述覆盖层、金属硬掩膜层、低K介质层以及衬垫层，从而在所述低K介质层中形成一层铜互连结构。
9.如权利要求8所述的铜互连结构的制备方法，其特征在于，所述衬垫层为含氮的碳化硅；所述低K介质层包括多孔硅层以及其上方的正硅酸乙酯层；所述覆盖层为氧化硅。
10.如权利要求8所述的铜互连结构的制备方法，其特征在于，所述单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺的步骤包括: 沟道曝光、刻蚀；过孔曝光、刻蚀；去除光阻层；沟道和过孔刻蚀；衬垫层开口 ；沟道和过孔的籽晶层沉积、铜填充以及填充后的化学机械抛光。
【文档编号】H01L21/768GK103515312SQ201310491799
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年10月18日 优先权日:2013年10月18日
【发明者】张文广, 傅昶, 陈玉文 申请人:上海华力微电子有限公司