处理衬底的方法
【专利摘要】本发明提供一种处理衬底的方法，其包含：将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在第一衬底上形成的对齐标记与预设参考点匹配；将激光束辐射到第一衬底的结晶目标区域并且在第一衬底往复运动的同时形成结晶图案；取决于第一衬底的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差并且计算通过反映校正偏差获得的校正参考点；以及，在将第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与校正参考点匹配。
【专利说明】处理衬底的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种使衬底对齐及结晶的处理衬底的方法，并且更确切地说，涉及一种能够使激光束的结晶图案得到精确放置的处理衬底的方法。
【背景技术】
[0002]使衬底结晶的方法包含顺序横向固化(sequential lateral solidificat1n, SLS)和准分子激光退火(eximer laser annealing, ELA)技术。
[0003]SLS技术诱导横向生长以获得类似于单晶的晶体，并且通过使用所述技术获得的晶体具有巨大的场效应迁移率。然而，由于辐射激光束是高能量依赖性的，所以处理裕度(process margin)不好，并且由于放置衬底的平台的精确度对处理有极大的影响,所以存在难以在整个衬底上获得均匀结果的局限性。
[0004]ELA技术诱导垂直生长并且其结晶特征与SLS技术相比是较差的，但是由于ELA技术具有整个衬底上的均匀性极好的优势，所以该技术已得到广泛使用。
[0005]常用的ELA装置包含:处理室；衬底传送单元，其安装在所述处理室中、固持衬底并且按照处理进行的顺序水平地移动所述衬底；透明窗户，其安装在处理室的上部部分上；激光模块，其布置在处理室外部并且发射激光束；以及反射器，其布置在处理室外部的透明窗户上方并且将从激光模块中朝向透明窗户发射的激光束。
[0006]下文中简单地描述了使用ELA装置的结晶方法。首先，当激光束从激光发生器中发射时，激光束由反射器反射、穿过透明窗户、随后进入衬底的表面。举例来说，可以使用在其上表面具有非晶硅层的衬底并且当激光束辐射到所述非晶硅层时，所述非晶硅层变为液态，发生固化且结晶，因此形成多晶硅层。在这种情况下，为了使多个衬底能够连续地结晶，辐射激光束同时水平地移动衬底。
[0007]如图1中所示，其示出了将激光束辐射到衬底的表面并且执行结晶化、固定激光束模块并且随后辐射激光束同时衬底S向前且向后往复运动若干次，因此在衬底上形成结晶图案的方法。由于衬底的往复运动，多个激光束可以重复地辐射到结晶图案。
[0008]当激光束首先辐射到第一区段时，衬底经放置使得衬底的对齐标记放置在激光束的宽度的中心线上，并且随后激光束依次辐射到结晶目标区域。也就是说，通过对齐衬底使得对齐标记的中心点与预设参考点匹配，可以将衬底的对齐标记放置在激光束的宽度的中心线上。然而，由于激光模块的光学特征变化，存在以下局限性:随着时间的流逝，对齐标记离开结晶目标区域并且经历移位和旋转等变动，在这种状态下形成结晶图案。
[0009]举例来说，当假定由虚线形成的部分是在其中执行选择性结晶的结晶目标区域时，可以看到，进行激光束处理、随着时间的流逝激光束辐射到结晶目标区域I之外，且因此发生结晶图案2a的移位，如图2(a)中所示。并且，如图2(b)中所示，可以看到，进行激光束处理、随着时间的流逝激光束以某一角度辐射到结晶目标区域I之外，并且因此发生结晶图案2b的旋转。
[0010]由于激光束的连续振荡引起的激光束模块的特征变化，因此随着时间的流逝发生移位和旋转等激光束的变动。也就是说，由于连续振荡引起的激光路径上的振荡器或反射器的热变形，因此发生激光束的变动。
[0011]然而，虽然执行了激光束处理，但是通常变动尚未得到改进。已经进行了被动测量，其是在激光束辐射到多个衬底之后，对激光束的变动水平进行测量并且对原因进行分析。也就是说，在激光束依次辐射到多个衬底的同时，忽略激光束的变动位移水平并且辐射激光束以执行结晶化。因此，在完成激光束处理之后，由于激光束的变动，衬底上的非结晶目标区域的部分发生结晶化，并且因此存在产品质量降低的局限性。
[0012]专利文献
[0013]专利文献1:第2012-0111759号韩国专利公开案
【发明内容】
[0014]本发明提供了用于使衬底结晶的对齐衬底的方法。本发明还提高了在执行衬底的选择性结晶时位置精确度。本发明还改进由激光束的特征变化引起的激光束的旋转或移位。
[0015]根据一个示例性实施例，一种处理衬底的方法包含:将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在第一衬底上形成的对齐标记与预设参考点匹配；将激光束辐射到第一衬底的结晶目标区域并且在第一衬底往复运动的同时形成结晶图案；取决于第一衬底的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差并且计算通过反映校正偏差获得的校正参考点；以及在将第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与校正参考点匹配。
[0016]校正参考点的计算可以包含:在第一衬底的结晶目标区域上的结晶图案化完成后，使第一衬底返回到第一衬底起始位置；识别返回到第一衬底起始位置的第一衬底的结晶图案和对齐标记的位置；测量结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离；取决于所述距离计算校正偏差；并且将校正偏差添加到参考点以计算校正参考点。
[0017]所述距离的测量可以包含:测量结晶图案的一个边缘与对齐标记的中心点之间的距离以及结晶图案的另一边缘与对齐标记的中心点之间的另一距离。
[0018]校正偏差的计算可以包含将所述距离与所述另一距离之间的差值除以2。
[0019]参考点的校正可以包含:将校正偏差添加到参考点或者从参考点中减去校正偏差，以允许校正参考点的位置移动到具有所述距离和所述另一距离当中的较大值的边缘。
[0020]所述方法可以进一步包含在对齐第一衬底前将第一衬底放置到腔室中；并且在第一衬底上标示(indexing)所述对齐标记。
[0021]返回到衬底起始位置的第一衬底的结晶图案和对齐标记的位置的识别可以包含:通过CCD传感器捕获返回到第一衬底起始位置的第一衬底并且通过使用第一衬底的所捕获图像识别所述位置。
[0022]所述第一衬底可以包含多个区段并且对齐标记针对每个区段形成。
[0023]可以在每个区段上执行第一衬底的对齐、结晶图案的形成、校正参考点的计算以及第二衬底的对齐。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]通过结合附图进行的以下描述可以更详细地理解示例性实施例，其中:
[0025]图1示出了将激光束辐射到衬底的表面并且执行结晶的方法。
[0026]图2(a)和图2(b)示出了如何在衬底的结晶图案上发生变动。
[0027]图3示出了根据本发明的一个实施例的用于激光束结晶的衬底处理装置。
[0028]图4是根据本发明的一个实施例的校正变动的过程的流程图。
[0029]图5 (a)到图5 (g)是根据本发明的一个实施例的校正变动和辐射激光束的衬底处理过程的流程图。
[0030]图6示出了根据本发明的一个实施例执行选择性结晶的方法。
[0031]图7(a)和图7(b)表示根据本发明的一个实施例的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离。
[0032]图8(a)和图8(b)示出了根据本发明的一个实施例当在结晶图案的中心轴的左侧存在对齐标记时找到校正参考点并且移动衬底的方法。
[0033]图9(a)和图9(b)示出了根据本发明的一个实施例当在结晶图案的中心轴的右侧存在对齐标记时找到校正参考点并且移动衬底的方法。
[0034]图10(a)到图10(c)示出了根据本发明的一个实施例在包含三个区段的衬底的每个区段上执行选择性结晶的方法。
【具体实施方式】
[0035]下文中参考附图更详细地描述了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以用不同形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。实际上，提供这些实施例是为了使得本发明透彻并且完整，并且这些实施例将把本发明的范围完整地传达给所属领域的技术人员。附图中的相同标号指代相同组件。
[0036]图3示出了根据本发明的一个实施例的用于激光束结晶的衬底处理装置。
[0037]用于激光束结晶的衬底处理装置将激光束辐射到衬底以执行激光结晶，用于在衬底S上形成的薄膜的结晶。衬底处理装置包含:处理室100 ;衬底传送单元120，其安装在所述处理室100中、固持衬底S并且水平地向前和向后移动所述衬底；透明窗户110，其安装在处理室100的一侧上，面向衬底传送单元120 ；以及激光模块200，其包含布置在处理室100外部并且发射激光束的激光振荡器210 ;以及反射器220，其布置在处理室100外部的透明窗户110上方。并且，对齐标记图形发生器(未图示)布置在处理室100中。所述对齐标记图形发生器(未图示)用于在衬底上形成对齐标记并且可以作为多种单元实施，例如，蚀刻单元和激光图案化单元。并且，具有电荷耦合装置(CCD)传感器的视像摄像头(未图示)布置在所述处理室中。视像摄像头(未图示)可以捕获衬底并且识别在衬底上形成的对齐标记以及衬底的结晶区域的位置。
[0038]下文简单地描述了使用具有这种配置的衬底处理装置的衬底S结晶处理。首先，当衬底S被放置到处理室100中并且放置在衬底传送单元120上时，标记图形发生器(未图示)在所述衬底上形成多个对齐标记。随后，通过使用视像摄像头(未图示)，衬底传送单元120经传送以对齐衬底S从而匹配对齐标记。当完成衬底对齐时，激光束辐射到衬底S上。在衬底由衬底传送单元120水平地移动的同时，激光束辐射到所述衬底上。在这种情况下，衬底S可以是(例如)在其上具有非晶硅层的衬底，并且当非晶硅层通过使用激光束结晶装置结晶时，使硅层结晶。
[0039]当激光束辐射时，激光束仅辐射到结晶目标区域以执行选择性结晶。举例来说，通过执行激光束上的遮光片的开启和闭合，可以将激光束仅辐射到在光束模块下方移动的衬底的结晶目标区域。也就是说，因为遮光片是布置在激光模块的激光束路径上的，因此虽然激光模块继续执行激光振荡，但是可以开启遮光片并且仅在衬底的结晶目标区域放置在激光模块的光束辐射路径上时辐射激光束。可以通过其他技术执行选择性结晶。
[0040]举例来说，由于光束的连续振荡，可能存在无法精确执行激光束辐射的局限性，因为随着时间的流逝，激光束的辐射区域离开所述区域进行结晶并且经历移位和旋转等变动。因此，本发明的实施例包含即使在激光束处理期间也能够校正激光束的移位的控制器(未图示)。取决于衬底的结晶图案与对齐标记的中心点之间的距离，控制器(未图示)校正下一衬底的衬底起始位置，从而改进变动。下文参考图4进行描述。
[0041]图4是根据本发明的一个实施例的校正变动的过程的流程图；并且图5(a)到图5(g)是根据本发明的一个实施例的辐射激光束的衬底处理过程的流程图。
[0042]在下文中，描述了多个衬底被依次放置到处理室中并且通过激光束辐射执行结晶的方法的实例。在下文中，首先被放置到处理室中的衬底被称作第一衬底，并且在执行第一衬底的结晶处理后，第一衬底被放置到处理室外并且通过衬底传送设备移动到衬底装载箱。在下文中，在将第一衬底放置到外部后放置到处理室中用于结晶的下一衬底被称作第二衬底。
[0043]具体而言，如图5(a)中所示，第一衬底首先被放置到处理室中以提供第一衬底。所述衬底通过衬底传送设备从衬底装载箱传送到处理室中。放置在处理室中的衬底支撑件上的第一衬底通过机械单元大致地对齐。
[0044]随后，如图5(b)中所示，对齐标记M形成于放置在衬底支撑件上的第一衬底S上。通过使用多种对齐标记图案发生器(例如蚀刻单元和激光图案化单元)，通过雕刻或标示在第一衬底上形成对齐标记M。对齐标记是在衬底上形成的识别标记，并且可以用作当根据本发明对齐衬底或校正衬底的位置时使用的标识符。对齐标记M可以形成为‘ + ’并且其中‘ + ’交叉的垂直线和水平线的交叉点被称作对齐标记的中心点。并且，对齐标记可以是单个的或多个的。
[0045]在图4的过程S410中，在第一衬底S上形成对齐标记M之后,执行第一衬底对齐处理，其中第一衬底经对齐以具有第一衬底起始位置，使得在第一衬底上形成的对齐标记与预设参考点匹配。在此实例中，参考点是控制器先前具有的参考位置信息，并且经预设以便在预设位置上布置衬底。因此，当对齐衬底以便辐射激光束时，通过使在衬底上形成的对齐标记M与参考点匹配将衬底布置在希望的位置上。并且，第一衬底起始位置可以意味着激光束首先辐射到的衬底的第一结晶目标区域被放置在激光模块下方。也就是说，当衬底经传送和对齐使得在衬底上形成的对齐标记的中心点与预设参考点匹配时，激光束辐射到的第一结晶目标区域被放置在激光模块下方。因此，当不发生变动并且激光束正常辐射时，对齐标记的中心点将位于激光束辐射到的结晶图案区域的中心轴上。
[0046]衬底的对齐可以通过使用视像摄像头执行。通过包含电荷耦合装置(CXD)传感器的视像摄像头，识别衬底的对齐标记并且随后对衬底进行传送以匹配预设参考点。也就是说，处理室的视像摄像头读取对齐标记、对齐和传送衬底使得在衬底上形成的对齐标记的中心点与参考点匹配，并且因此可以对齐衬底以具有第一衬底起始位置。
[0047]在过程S420中，当完成第一衬底对齐时，执行结晶图案化处理，其中结晶图案通过将激光束辐射到第一衬底的结晶目标区域形成，同时第一衬底进行往复运动。通常，当衬底结晶通过激光束辐射执行时，仅在需要结晶的一些区域上执行选择性结晶而不是在衬底的所有区域发生结晶。也就是说，如图6中所示，在衬底上以规则间隔存在多个结晶目标区域S，并且激光束辐射是在结晶目标区域S上执行以执行选择性结晶，从而形成多个结晶图案P。为了形成这种选择性结晶化的结晶图案，可以当在移动衬底上执行激光束辐射时通过发射或阻断激光束将激光束仅辐射到结晶目标区域S。
[0048]并且，可以通过重复地将激光束辐射到相同结晶目标区域若干次来实现结晶，同时衬底往复运动。举例来说，当需要将激光束辐射到相同结晶目标区域六次时，通过激光束辐射的结晶通过分别将衬底移动到左侧和右侧三次执行。在下文中，其中激光束辐射完全完成并且因此实现结晶的区域被称作结晶图案。
[0049]在结晶图案化处理S420中，随着衬底的传送，激光束辐射首先在如图5(c)中所示的第一结晶目标区域上执行以形成结晶图案P1，并且激光束辐射可以按照第二结晶目标区域P2和第三结晶目标区域P3的顺序执行。为了进行参考，如图5(c)中所示，当激光束的特征并未发生改变并且因此激光束正常辐射而没有变动时，对齐标记的中心点将被放置在通过激光束辐射结晶的区域的中心轴上。
[0050]为了进行参考，图5(d)示出了向前(即，在+X方向上)传送衬底以及激光束辐射到第三结晶目标区域以形成第三结晶图案P3的方法，并且图5(e)示出了将衬底向前传送到端部以及激光束辐射到最后一个结晶目标区域以形成结晶图案Pn的方法。图5(f)和图5(g)示出了向后(即，在-X方向上)传送衬底以及激光束再次辐射到先前辐射的结晶目标区域的方法。
[0051]这种结晶处理可以在相同的结晶目标区域上重复地执行结晶若干次，其方式为使得衬底在X方向上重复向前和向后移动。
[0052]当完成(图4的)结晶图案化处理S420时，执行(图4的)校正参考点计算处理S430，其中校正偏差根据第一衬底的结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离进行计算，并且反映出校正偏差以计算通过校正参考点获得的校正参考点。当连续地执行激光振荡时，由于激光模块的特征变化，激光束的线可以旋转或移位。因此，当第一衬底放置在腔室外部并且随后将第二衬底放置到腔室中并且执行激光辐射时，对参考用于最初放置第二衬底的参考点进行校正，使得激光束的旋转或移位可以得到校正。由于激光模块是机械固定的，因此难以校正位置并且可以通过校正由衬底支撑物形成相对自由移动的衬底的位置来改进激光束变动，例如，激光束的旋转或移位。
[0053]详细描述了校正参考点计算处理S430。当完成第一衬底的结晶目标区域上的结晶图案化时，执行第一衬底返回到第一衬底起始位置的衬底返回处理。也就是说，第一衬底返回到对齐标记与参考点匹配的位置。随后，识别出已经返回到第一衬底起始位置的第一衬底的结晶图案和对齐标记的位置。为此，已经返回到第一衬底起始位置的第一衬底通过使用包含CXD传感器的视像摄像头捕获。关于结晶图案和对齐标记的每个形状的位置信息是从第一衬底的所捕获图像中提取的。在此实例中，结晶图案是激光束辐射的第一衬底的区域，并且由于通过激光束辐射而结晶的区域具有不同于附近非结晶区域的材料，因此可以通过视像摄像头识别位置信息。因此，可以通过使用视像摄像头识别结晶图案的两个边缘的位置并且可以识别对齐标记的中心点的位置。
[0054]随后，测量结晶图案的边缘与对齐标记的中心点之间的距离的过程。参看详细示出了衬底的一部分的图7(a)和图7(b)，结晶图案通过激光束辐射形成于所述衬底的一部分上，可以测量第一对齐标记Ml的中心点与结晶图案的两个边缘之间的距离。也就是说，测量结晶图案P的一个边缘与第一对齐标记Ml的中心点之间的距离dl以及结晶图案P的另一边缘与第一对齐标记Ml的中心点之间的另一距离d2。类似地，可以测量第二对齐标记M2与结晶图案之间的距离。
[0055]举例来说，当由于激光束的特征变化使激光束发生旋转时，第一衬底的第一对齐标记Ml和/或第二对齐标记M2中的任一个将偏离结晶图案的中心轴，如图7(a)中所示。并且，当由于激光束的特征变化使激光束移位时，所有的第一对齐标记Ml和第二对齐标记M2将偏离结晶图案的中心轴，如图7(b)中所示。
[0056]为了使第一衬底之后的第二衬底不经历此类变动，取决于对齐标记与结晶图案的边缘之间的距离，本发明的实施例通过校正参考点来对齐第二衬底。在激光振荡之后，多个衬底被依次放置到处理室中以执行结晶，因此可以通过识别第一衬底的结晶图案以及校正第二衬底的位置实时改进激光束的变动。
[0057]在校正参考点计算处理中，校正装置是取决于距离计算的并且校正偏差被添加到参考点以计算校正参考点。可以存在用于取决于距离计算校正偏差的多种技术。举例来说，通过除以2获得的值，结晶图案的一个边缘与对齐标记的中心点之间的距离dl与结晶图案的另一边缘与对齐标记的中心点之间的另一距离d2之间的差值是作为校正偏差确定用的。将这种校正偏差添加到将确定为校正参考点的参考点。
[0058]为了进行参考，图8(a)到图9(b)示出了通过应用校正偏差来计算校正参考点的方法。
[0059]假定由于激光束的特征变化激光束移位，并且对齐标记M的中心点不位于结晶图案的中心轴C上(如图8(a)中所示)，而是位于距离中心轴C的-X方向上(在左侧上)。并且，图9(a)假定对齐标记M的中心点不位于结晶图案的中心轴C上，而是位于距离中心轴C的+X方向上(在右侧上)。
[0060]测量作为结晶图案的一个边缘El与对齐标记M的中心点之间的距离的距离dl以及作为结晶图案的另一边缘E2与对齐标记M的中心点之间的距离的另一距离d2。为了进行参考，对齐标记M的中心点对应于当衬底最初对齐时参考的参考点。
[0061]对作为结晶图案的一个边缘El与对齐标记M的中心点之间的距离的距离dl与作为结晶图案的另一边缘E2与对齐标记M的中心点之间的距离的另一距离d2之间的差值进行测量并且除以2以计算校正偏差。举例来说，当如图8(a)中所示距离dl是1.5并且距离d2是0.5时，差值变为1，并且通过将差值除以2获得的0.5变为校正偏差。并且，当如图9 (a)中所示距离dl是0.2并且距离d2是1.8时，差值变为1.6，并且通过将差值除以2获得的0.8变为校正偏差。
[0062]将以此方式计算出的校正偏差添加到参考点或者从参考点中减去所述校正偏差以计算新的校正参考点。就确定是否将校正偏差添加到参考点或者从参考点中减去校正偏差而言，将校正偏差添加到参考点或者从参考点中减去校正偏差使得校正参考点的位置移动到具有距离dl和距离d2中的较大值的边缘。
[0063]举例来说，当距离dl具有如图8(a)中所示的较大值时，参考校正点通过在与具有距离dl的一个边缘El对应的+X方向上以校正偏差0.5移动典型参考校正点来确定。因此，当第二衬底的对齐标记与参考校正点对齐时，第二衬底如图8(b)中所示放置并且因此可以在将激光束辐射到所述第二衬底时防止发生移位。同样地，当距离d2具有如图9 (a)中所示的较大值时，参考校正点通过在与具有距离d2的另一边缘E2对应的-X方向上以校正偏差0.8移动典型参考校正点来确定。因此，当第二衬底的对齐标记与参考校正点对齐时，第二衬底如图9(b)中所示放置并且因此可以在将激光束辐射到所述第二衬底时防止发生移位。
[0064]在本发明的上述实施例中描述了在整个衬底上执行激光束辐射的方法的一个实例。然而，液晶显示器(liquid crystal display, IXD)面板等大型衬底可以在每个区段上执行选择性结晶。因此，本发明的实施例还将能够应用于甚至在每个区段上执行激光束辐射的结晶时。
[0065]举例来说，当假定如图10(a)到图10(c)中所示衬底包含三个区段时，在衬底在X轴方向上往复运动若干次的同时，激光束通过激光模块210依次辐射到第一区段的结晶目标区域，如图10(a)中所示。在完成到第一区段的激光束辐射之后，衬底在y轴方向上传送，如图10(b)中所示，并且随后在衬底在X轴方向上往复运动若干次的同时，激光束辐射到第二区段的结晶目标区域。同样地，在完成到第二区段的激光束辐射之后，衬底在y轴方向上传送，如图10(c)中所示，并且随后在衬底在X轴方向上往复运动若干次的同时，激光束辐射到第三区段的结晶目标区域。
[0066]对齐标记M1、M2或M3形成于每个区段上，并且因此当通过使用对齐标记与结晶图案之间的距离对齐衬底用于到每个区段的激光束辐射时，可以通过参考点校正防止激光束的变动。也就是说，在第一衬底的每个区段上执行第一衬底对齐处理、结晶图案化处理和校正参考点计算处理以确定校正参考点之后，基于在执行将激光束辐射到第二衬底的每个区段之前计算出的校正参考点执行第二衬底对齐处理，因此可以防止第二衬底的变动。
[0067]根据本发明的实施例，可以通过对齐衬底提高位置精确度，方法是使用在执行选择性结晶处理时针对每个衬底计算出的校正偏差。并且，可以在每个衬底的校正部分上执行选择性结晶，方法是通过使用衬底的激光束测量对齐下一衬底。
[0068]虽然 申请人:参考附图和示例性实施例来描述本发明，但是本发明并不限于此并且由所附的权利要求界定。因此，所属领域的技术人员可以在不脱离所附权利要求的技术精神的前提下实施各种变化和修改。
【权利要求】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括: 将第一衬底对齐以具有第一衬底起始位置，从而允许在所述第一衬底上形成的对齐标记与预设的参考点匹配； 将激光束辐射到所述第一衬底的结晶目标区域并且在所述第一衬底往复运动的同时形成结晶图案； 取决于所述第一衬底的所述结晶图案的边缘与所述对齐标记的中心点之间的距离计算校正偏差并且计算通过反映所述校正偏差获得的校正参考点；以及 在将所述第一衬底放置到外部后，对齐第二衬底以允许将所述第二衬底的对齐标记放置到腔室中以与所述校正参考点匹配。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正参考点的计算包括: 在所述第一衬底的所述结晶目标区域上的结晶图案化完成后，使所述第一衬底返回到所述第一衬底起始位置； 识别返回到所述第一衬底起始位置的所述第一衬底的所述结晶图案和所述对齐标记的位置； 测量所述结晶图案的所述边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的所述距离； 取决于所述距离计算所述校正偏差；以及 将所述校正偏差添加到所述参考点以计算所述校正参考点。
3.根据权利要求2所述的方法，其中测量所述距离包括:测量所述结晶图案的一个边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的距离以及所述结晶图案的另一边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的另一距离。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述校正偏差的所述计算包括使所述结晶图案的一个边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的所述距离与所述结晶图案的另一边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的所述另一距离之间的差值除以2。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述参考点的校正包括:将所述校正偏差添加到所述参考点或从所述参考点中减去所述校正偏差，以允许所述校正参考点的位置移动到具有所述结晶图案的一个边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的所述距离与所述结晶图案的另一边缘与所述对齐标记的所述中心点之间的所述另一距离当中的较大值的边缘。
6.根据权利要求1所述的方法，在对齐所述第一衬底前还包括: 将所述第一衬底放置到所述腔室中；以及 在所述第一衬底上标示所述对齐标记。
7.根据权利要求2所述的方法，其中识别返回到所述第一衬底起始位置的所述第一衬底的所述结晶图案和所述对齐标记的位置包括:通过CCD传感器捕获返回到所述第一衬底起始位置的所述第一衬底并且通过使用所述第一衬底的所捕获图像识别所述位置。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中所述第一衬底包括多个区段并且所述对齐标记针对每个所述区段形成。
9.根据权利要求8所述的方法，其中在每个所述区段上执行所述第一衬底的对齐、所述结晶图案的形成、所述校正参考点的计算以及所述第二衬底的对齐。
【文档编号】H01L21/02GK104241091SQ201410256886
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年6月10日 优先权日:2013年6月14日
【发明者】苏二彬, 崔均旭, 黄润镐 申请人:Ap系统股份有限公司