杂环化合物和包括该杂环化合物的有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】提供了一种杂环化合物和一种包括所述杂环化合物的有机发光二极管，所述杂环化合物由下面的式1表示。
【专利说明】杂环化合物和包括该杂环化合物的有机发光二极管
[0001] 通过引用将于2013年8月21日在韩国知识产权局提交的名称为"Heterocyclic Compound and Organic Light-Emitting Diode Including The Same，'（杂环化合物和包 括该杂环化合物的有机发光二极管）的第10-2013-0099237号韩国专利申请的全部内容并 入本文。
【技术领域】
[0002] 实施例涉及一种杂环化合物和一种包括所述杂环化合物的有机发光二极管。
【背景技术】
[0003] 作为自发射二极管的有机发光二极管（OLED)具有诸如宽视角、优异的对比度、快 速响应、高亮度和优异的驱动电压特性的优点，并能够提供多色图像。
[0004] OLED可以具有包括基板、位于基板上的阳极以及顺序地堆叠在阳极上的空穴传输 层（HTL)、发射层（EML)、电子传输层（ETL)和阴极的结构。HTUEML和ETL可以是由有机 化合物形成的有机薄膜。
[0005] 具有上述结构的OLED的工作原理如下。
[0006] 当在阳极和阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴可以经由HTL移动到EML，从 阴极注入的电子可以经由ETL移动到EML。载流子（例如，空穴和电子）可以在EML中复 合，由此产生激子。然后，当激子从激发态降至基态时，发射光。
【发明内容】
[0007] 实施例针对一种杂环化合物和一种包括所述杂环化合物的有机发光二极管。
[0008] 可以通过提供由下面的式1表示的杂环化合物来实现实施例：
[0009] 〈式1>
【权利要求】
1. 一种杂环化合物，其特征在于，所述杂环化合物由下面的式1表示：
其中： X是取代的或未取代的Ce-Ce。亚芳基、取代的或未取代的C2-Ce。亚杂芳基、取代的或未 取代的Ce-Ce。缩合多环基、或者将所述亚芳基、所述亚杂芳基和所述缩合多环基中的至少两 个连接的二价连接基； Ri和R2均独立地为取代的或未取代的Ci-Ce。焼基、取代的或未取代的C3-C3。环焼基、 取代的或未取代的Ce-Ce。芳基、取代的或未取代的C2-Ce。杂芳基、或者取代的或未取代的 Ce-Ce。缩合多环基拟及 Ari和Ar2均独立地为取代的或未取代的Q-Ce。芳基、取代的或未取代的C2-Ce。杂芳基、 或者取代的或未取代的Ce-Ce。缩合多环基。
2. 如权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，式1中的Ri和R2均独立地为取代的 或未取代的Ce-Ce。芳基、或者取代的或未取代的C2-Ce。杂芳基。
3. 如权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，式1中的Ari和Af2均独立地为取代 的或未取代的Ce-Ce。芳基、或者取代的或未取代的C2-Ce。杂芳基。
4. 如权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，式1中的Ri和R2均独立地为取代的 或未取代的Ci-Cw焼基、或者由下面的式2a至式2d中的一个表示的基团：
其中： Zi是氨、気、取代的或未取代的C1-C2。焼基、取代的或未取代的Q-Cs。芳基、取代的或未 取代的C2-C2。杂芳基、取代的或未取代的Ce-C,。缩合多环基、团素原子、氯基、硝基、轻基、駿 基、或者Si化）怕4)碱)，其中，Qs至Qs均独立地为氨、Cl-Cl。焼基、〔6-〔2。芳基或杂芳 基，当Zi的数量为两个或更多个时，各个Zi彼此相同或不同； P是1至7的整数；W及 *指示结合位。
5.如权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，式1中的X是由下面的式3a至式31 中的一个表示的基团：
其中： Qi 是-CRuRi2_、-S-、-NRgi-、-SiRgiR]厂或; Rll、Ri2、R21、Rsi、R32和Zi均独立地为氨、気、取代的或未取代的C1-C2。焼基、取代的或未 取代的Q-Cw芳基、取代的或未取代的C2-C2。杂芳基、取代的或未取代的Q-Cw缩合多环基、 团素原子、氯基、硝基、轻基、或者駿基，当Zi的数量为两个或更多个时，各个Zi彼此相同或
不同； P是1至4的整数；W及 *指示结合位。
6. 如权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，式1中的Ari和Af2均独立地为由下 面的式4a至式4c中的一个表示的基团：
其中： 是-CRiiRi厂或-0-; Rii、R。和Zi均独立地为氨、気、取代的或未取代的焼基、取代的或未取代的Ce-C2(i 芳基、取代的或未取代的C2-C2。杂芳基、取代的或未取代的Ce-Cw缩合多环基、团素原子、氯 基、硝基、轻基、或者駿基，当Zi的数量为两个或更多个时，各个Zi彼此相同或不同； P是1至7的整数；W及 *指示结合位。
7. 如权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，由式1表示的杂环化合物是下面的化 合物 2、10、18、31、40、47、51 和 56 中的一个：
窃
8. -种有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管包括： 第一电极； 第二电极，面对第一电极；W及 有机层，位于第一电极和第二电极之间，有机层包括如权利要求1所述的杂环化合物。
9. 如权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，有机层包括空穴传输层、空穴注 入层、具有空穴注入和空穴传输能力的功能层、或者发射层。
10. 如权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于： 有机层包括发射层，并且还包括电子注入层、电子传输层、具有电子注入和电子传输能 力的功能层、空穴注入层、空穴传输层、或者具有空穴注入和空穴传输能力的功能层，
发射层包括意类化合物、芳基胺类化合物或苯己帰基类化合物。
11. 如权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于： 有机层包括发射层，并且还包括电子注入层、电子传输层、具有电子注入和电子传输能 力的功能层、空穴注入层、空穴传输层、或者具有空穴注入和空穴传输能力的功能层， 发射层的红色发射层、绿色发射层、蓝色发射层和白色发射层中的至少一个层包括磯 光化合物。
12. 如权利要求11所述的有机发光二极管，其特征在于： 有机层包括空穴注入层、空穴传输层、或者具有空穴注入和空穴传输能力的功能层， 空穴注入层、空穴传输层、或者具有空穴注入和空穴传输能力的功能层包括电荷产生 材料。
13. 如权利要求12所述的有机发光二极管，其特征在于，电荷产生材料是P惨杂剂。
14. 如权利要求13所述的有机发光二极管，其特征在于，P惨杂剂是酿衍生物。
15. 如权利要求13所述的有机发光二极管，其特征在于，P惨杂剂是金属氧化物。
16. 如权利要求13所述的有机发光二极管，其特征在于，P惨杂剂是包含氯基的化合 物。
17. 如权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，有机层包括电子传输层，电子 传输层包括金属配合物。
18. 如权利要求17所述的有机发光二极管，其特征在于，金属配合物是裡配合物。
19. 如权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，包括所述杂环化合物的有机层 是利用湿式工艺形成的。
20. 如权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，有机发光二极管的第一电极电 连接到薄膜晶体管中的源电极或漏电极。
【文档编号】H01L51/54GK104418795SQ201410398253
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月13日 优先权日:2013年8月21日
【发明者】金秀娟, 金光显, 金荣国, 金锺佑, 朴俊河, 李银永, 林珍娱, 郑恩在, 郑惠珍, 韩相铉, 黄皙焕 申请人:三星显示有限公司