技术特征：
1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供前体，所述前体包括依次层叠的衬底、缓冲层、第一N型半导体层、第二外延半导体层；在所述前体的第二外延半导体层上刻蚀形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第二外延半导体层并延伸至第一N型半导体层内；S2、在所述前体表面生长场氧化膜，所述场氧化膜覆盖所述第二外延半导体层及第一沟槽；S3、腐蚀所述场氧化膜，形成有源区和高压终端区；S4、向所述第二外延半导体层注入P型掺杂，并激活，形成P型体区；S5、在所述P型体区表面刻蚀形成第二沟槽；S6、在所述第一沟槽和第二沟槽内填充多晶硅，形成栅极电极；S7、在所述P型体区通过离子注入形成N+源区，所述N+源区位于所述第二沟槽处；S8、在所述第二外延半导体层上生长层间膜，并刻蚀形成接触孔；S9、在所述层间膜上生长金属层，并刻蚀；S10、在所述金属层上生长钝化层，并刻蚀；S11、除去所述衬底，露出所述缓冲层；S12、向缓冲层注入P型杂质并激活；S13、在缓冲层表面生长金属，形成集电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1之前包括在衬底表面通过外延方式依次生长缓冲层、第一N型半导体层和第二外延半导体层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为N型重掺杂的硅衬底，掺杂浓度为1016-1019原子/立方厘米。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层厚度为3-50微米；所述缓冲层为N掺杂缓冲层，掺杂浓度为1012-1016原子/立方厘米。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤\tS1中，先在所述前体的第二外延半导体层上生长第一氧化膜，然后对表面具有第一氧化膜的前体进行刻蚀，形成所述第一沟槽。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化膜的厚度为500-8000埃。7.根据权利要求1-4、6中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述场氧化膜的厚度为4000-20000埃。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，先在所述第二外延半导体层表面生长第二氧化膜，然后对表面具有第二氧化膜的前体进行刻蚀，形成所述第二沟槽。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化膜的厚度为500-8000埃。10.根据权利要求1-4、6、8、9中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过湿法腐蚀形成所述有源区和高压终端区。