一种IGBT器件的制备方法与流程

技术总结
为克服现有技术中IGBT器件的制备工艺成本高的问题，本发明提供了一种IGBT器件的制备方法。本发明提供的IGBT器件的制备方法将高压终端区和有源区同时制作完成，优化了工艺过程，省去光刻步骤，降低了生产成本。

技术研发人员：张朝阳;王凡;
受保护的技术使用者：深圳芯能半导体技术有限公司;
文档号码：201410746305
技术研发日：2014.12.09
技术公布日：2016.07.06