Led封装结构的制作方法

文档序号:7079304阅读:255来源:国知局
Led封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED封装结构,包括:基板或支架,所述基板或所述支架上有固晶区;倒装的LED晶片,LED晶片的P型电极和N型电极的材料为Au或AuSn合金或Ag,且P型电极和N型电极分别通过导电胶体固定在固晶区的表面上;封装胶体,封装胶体包覆在LED晶片的表面上;LED晶片靠近基板或支架的一端的侧面上以及P型电极与N型电极之间的LED晶片的表面上设置有绝缘保护层。本实用新型的LED封装结构,由于LED晶片靠近基板或支架的一端的侧面上以及P型电极与N型电极之间的LED晶片的表面上设置有绝缘保护层,绝缘保护层可以很好阻止银胶的爬升,解决了银胶固晶方式漏电的问题,提高了良品率,降低了生产成本。
【专利说明】 LED封装结构

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件,特别是涉及一种LED封装结构。

【背景技术】
[0002]目前,倒装芯片的固晶方式主要有共晶熔合金属固晶和银胶固晶两种。共晶熔合金属固晶方式效果较好,但是成本较高,且对于物料规格要求严格,不利于成本优化;银胶固晶方式虽然成本较低,但易发生爬胶而造成漏电现象,导致灯珠光效降低,发热增大,光衰严重,进而导致良品率下降,影响成本。


【发明内容】

[0003]针对上述现有技术现状,本实用新型提供一种LED封装结构,解决银胶固晶方式漏电的问题,提高良品率,降低生产成本。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型所提供的一种LED封装结构,包括:
[0005]基板或支架,所述基板或所述支架上有固晶区;
[0006]倒装的LED晶片,所述LED晶片的P型电极和N型电极的材料为Au或AuSn合金或Ag,且所述P型电极和所述N型电极分别通过导电胶体固定在所述固晶区的表面上;
[0007]封装胶体,所述封装胶体包覆在所述LED晶片的表面上;
[0008]所述LED晶片靠近所述基板或所述支架的一端的侧面上以及所述P型电极与所述N型电极之间的所述LED晶片的表面上设置有绝缘保护层。
[0009]在其中一个实施例中,所述LED晶片侧面上的所述绝缘保护层的高度为所述LED晶片的闻度的1/3以上。
[0010]在其中一个实施例中,所述绝缘保护层的材料为二氧化硅、五氧化三钛、硅、环氧树脂、PC、玻璃或荧光胶。
[0011]在其中一个实施例中,所述导电胶体为银胶。
[0012]在其中一个实施例中,所述银胶包括基体和银粉,所述基体的材料为环氧树脂、硅胶、PC或玻璃。
[0013]在其中一个实施例中,所述导电胶体通过点胶方式或印刷方式固定在所述固晶区的表面上。
[0014]在其中一个实施例中,所述基板或所述支架的材料为热可塑性树脂、热固性树脂、陶瓷或金属。
[0015]在其中一个实施例中,所述封装胶体内混合有一种或多种突光粉。
[0016]在其中一个实施例中,所述LED晶片的数量为I至1000颗。
[0017]与现有技术相比,本实用新型的LED封装结构,由于LED晶片靠近基板或支架的一端的侧面上以及P型电极与N型电极之间的LED晶片的表面上设置有绝缘保护层,绝缘保护层可以很好阻止银胶的爬升,且能阻止银胶与P型层和N形层接触,很好地解决了银胶固晶方式漏电的问题,提高了良品率,降低了生产成本。
[0018]本实用新型附加技术特征所具有的有益效果将在本说明书【具体实施方式】部分进行说明。

【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1为本实用新型其中一个实施例中的LED封装结构的剖视结构示意图;
[0020]图2为图1中所示LED封装结构的LED晶片的结构示意图;
[0021]图3为本实用新型另一个实施例中的LED封装结构的剖视结构示意图。
[0022]附图标记说明:10、LED晶片;11、P型电极;12、N型电极;13、绝缘保护层;20、导电胶体;30、支架;40、封装胶体;50、基板。

【具体实施方式】
[0023]下面参考附图并结合实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0024]参见图1、2,本实用新型其中一个实施例中的LED封装结构包括支架30、倒装的LED晶片10及封装胶体,其中,所述支架30上设置有封装凹槽,该封装凹槽的底面上有固晶区。所述LED晶片10的P型电极11和N型电极12的材料为Au或AuSn合金或Ag,且所述P型电极11和所述N型电极12分别通过导电胶体20固定在所述固晶区的表面上,在所述LED晶片10靠近所述基板或所述支架30的一端的侧面上以及在所述P型电极11与所述N型电极12之间的所述LED晶片10的表面上设置有绝缘保护层13。所述封装胶体包覆在所述LED晶片10的表面上。
[0025]本实施例的LED封装结构,由于LED晶片10靠近支架30的一端的侧面上以及P型电极11与N型电极12之间的LED晶片10的表面上设置有绝缘保护层13,绝缘保护层13能降低银胶的活性,可以很好地阻止银胶的爬升,且能阻止银胶与P型层和N形层接触,解决了银胶固晶方式漏电的问题,提高了良品率,降低了生产成本;而且,所述LED晶片10的P型电极11和N型电极12的材料为Au或AuSn合金或Ag,导电和导热效果良好。
[0026]优选地,所述LED晶片10侧面上的所述绝缘保护层13的高度Hl为所述LED晶片10的高度H2的1/3以上。试验表明,这个高度的绝缘保护层13可以起到很好的防止漏电的效果。所述绝缘保护层13的材料可以为二氧化硅、五氧化三钛、硅、环氧树脂、PC(聚碳酸酯)、玻璃或荧光胶。
[0027]优选地,所述导电胶体20为银胶,银胶的导电效果好。所述银胶包括基体和银粉,所述基体的材料可以为环氧树脂、硅胶,PC或玻璃。
[0028]优选地,所述导电胶体20通过点胶方式或印刷方式固定在所述固晶区的表面上。
[0029]优选地,所述基板或所述支架30的材料可以为热可塑性树脂、热固性树脂、陶瓷或金属。
[0030]优选地,所述封装胶体内混合有一种或多种荧光粉。
[0031]优选地,所述LED晶片10的数量为I至1000颗。
[0032]图3所示为本实用新型另一个实施例中的LED封装结构的剖视结构示意图。与前述实施例中的LED封装结构的结构不同的是,本实施例中的LED封装结构用基板50代替支架30。
[0033]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种LED封装结构,包括: 基板或支架,所述基板或所述支架上有固晶区; 倒装的LED晶片,所述LED晶片的P型电极和N型电极的材料为Au或AuSn合金或Ag,且所述P型电极和所述N型电极分别通过导电胶体固定在所述固晶区的表面上; 封装胶体,所述封装胶体包覆在所述LED晶片的表面上; 其特征在于,所述LED晶片靠近所述基板或所述支架的一端的侧面上以及所述P型电极与所述N型电极之间的所述LED晶片的表面上设置有绝缘保护层。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述LED晶片侧面上的所述绝缘保护层的高度为所述LED晶片的高度的1/3以上。
3.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述绝缘保护层的材料为二氧化硅、五氧化三钛、硅、环氧树脂、PC、玻璃或荧光胶。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的LED封装结构,其特征在于,所述导电胶体为银胶。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的LED封装结构,其特征在于,所述导电胶体通过点胶方式或印刷方式固定在所述固晶区的表面上。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的LED封装结构,其特征在于,所述基板或所述支架的材料为热可塑性树脂、热固性树脂、陶瓷或金属。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的LED封装结构,其特征在于,所述LED晶片的数量为I至1000颗。
【文档编号】H01L33/56GK204204911SQ201420300734
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2014年6月6日
【发明者】马亚辉 申请人:惠州雷通光电器件有限公司
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