凸块形成方法、凸块形成装置以及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：

1.一种形成凸块的方法，使用插通有金属线的接合工具而形成半导体装置用的凸块，所述凸块形成方法包括：接合步骤，使所述接合工具朝向基准面的第1地点下降，而将自所述接合工具的前端伸出的所述金属线的前端接合于所述第1地点；金属线抽出步骤，自所述接合工具的前端抽出所述金属线并使所述接合工具向远离所述第1地点的方向移动；薄壁部形成步骤，通过在所述基准面的第2地点利用所述接合工具按压所述金属线的一部分，而在所述金属线形成薄壁部；金属线整形步骤，使所述接合工具与所述金属线的所述薄壁部一并移动，而将接合于所述第1地点的所述金属线以自所述基准面竖立的方式进行整形；及凸块形成步骤，通过将所述金属线在所述薄壁部切断，而在所述第1地点形成具有自所述基准面竖立的形状的凸块。

2.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述金属线抽出步骤中，使所述接合工具沿着相对于所述基准面垂直的方向移动至规定的高度，并维持所述规定高度沿着平行方向朝向所述第2地点移动，且使所述接合工具沿着相对于所述基准面垂直的方向朝向所述第2地点移动。

3.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述金属线抽出步骤中，使所述接合工具沿着相对于所述基准面垂直的方向移动至规定的高度，且朝向所述第2地点以描绘规定的曲线的方式移动。

4.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述金属线抽出步骤中，使所述接合工具朝向所述第2地点的上方以描绘规定的曲线的方式移动至规定的高度，且沿着相对于所述基准面垂直的方向朝向所述第2地点移动。

5.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述金属线整形步骤中，使所述接合工具朝向所述基准面的第3地点的上方移动；所述第3地点是连结所述第2地点与所述第1地点的直线上的地点，且是具有如下关系的地点，即，在所述第3地点与所述第2地点之间配置所述第1地点。

6.根据权利要求5所述的凸块形成方法，其中在所述金属线整形步骤中，使所述接合工具沿着相对于所述基准面垂直的方向移动至规定的高度，且维持所述规定的高度沿着平行方向朝向所述第3地点移动。

7.根据权利要求5所述的凸块形成方法，其中在所述金属线整形步骤中，使所述接合工具朝向所述第3地点的上方以描绘规定的曲线的方式移动至规定的高度。

8.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述金属线整形步骤后且所述金属线切断步骤前，还包括自所述接合工具的前端抽出所述金属线并使所述接合工具上升的步骤。

9.根据权利要求8所述的凸块形成方法，其中在所述凸块形成步骤中，通过在利用线夹拘束所述金属线的状态下使所述接合工具进一步上升，而将所述金属线在所述薄壁部切断。

10.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述接合步骤前，还包括使所述金属线的前端成为球状的步骤。

11.根据权利要求1所述的凸块形成方法，其中在所述薄壁部形成步骤中，以所述金属线的所述薄壁部的厚度成为所述金属线的直径的大致一半的方式按压所述金属线。

12.一种半导体装置的制造方法，包括根据权利要求1所述的凸块形成方法。

13.一种凸块形成装置，使用插通有金属线的接合工具而形成半导体装置用的凸块；且所述凸块形成装置包括控制所述接合工具的动作的控制部；所述控制部构成为执行如下步骤：接合步骤，使所述接合工具朝向基准面的第1地点下降，而将自所述接合工具的前端伸出的所述金属线的前端接合于所述第1地点；金属线抽出步骤，自所述接合工具的前端抽出所述金属线并使所述接合工具向远离所述第1地点的方向移动；薄壁部形成步骤，通过在所述基准面的第2地点利用所述接合工具按压所述金属线的一部分，而在所述金属线形成薄壁部；金属线整形步骤，使所述接合工具与所述金属线的所述薄壁部一并移动，而将接合于所述第1地点的所述金属线以自所述基准面竖立的方式进行整形；及凸块形成步骤，通过将所述金属线在所述薄壁部切断，而在所述第1地点形成具有自所述基准面竖立的形状的凸块。