技术总结
一种形成半导体装置用的凸块的方法，包括：接合步骤，将自接合工具的前端伸出的金属线的前端接合于第1地点X1；金属线抽出步骤，使接合工具向远离第1地点X1的方向移动；薄壁部形成步骤，在基准面的第2地点X2利用接合工具按压金属线的一部分，而在金属线形成薄壁部(64)；金属线整形步骤，将接合于第1地点X1的金属线以自基准面竖立的方式进行整形；及凸块形成步骤，将金属线自薄壁部切断，而在第1地点X1形成具有自基准面竖立的形状的凸块(60)。由此，可更简便且有效率地形成具有所需高度的凸块。
技术研发人员：吉野浩章;富山俊彦
受保护的技术使用者：株式会社新川
文档号码：201480078105
技术研发日：2014.04.24
技术公布日：2016.12.14