1.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路，所述集成电路包括：
底电极；
数据存储区，布置在所述底电极上方并且具有可变电阻；
扩散阻挡层，布置在所述数据存储区上方；
离子库区，布置在所述扩散阻挡层上方；以及
顶电极，布置在所述离子库区上方。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述扩散阻挡层比所述数据存储区和所述离子库区更具负电性。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述扩散阻挡层配置为物理地和静电地阻挡离子在所述离子库区和所述数据存储区之间的扩散。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述扩散阻挡层邻接所述离子库区的底面并且邻接所述数据存储区的顶面。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述扩散阻挡层包括氧化硅或氧化铝。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述数据存储区包括具有可变电阻和超过3.9的介电常数的高k数据存储层。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述高k数据存储层包括氧化铪铝，并且其中，所述氧化铪铝中的铝的量为铝和铪的组合量的约0和50％之间。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述离子库区包括：
具有超过3.9的介电常数的高k储层；以及
相对于所述高k储层具有较低氧浓度的覆盖层。
9.一种用于制造电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路的方法，所述方法包括：
形成底电极；
在所述底电极上方形成具有可变电阻的数据存储区；
在所述数据存储区上方形成扩散阻挡层；
在所述扩散阻挡层上方形成离子库区；以及
在所述离子库区上方形成顶电极。
10.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路，所述集成电路包括：
底电极；
高k数据存储层，具有可变电阻和超过3.9的介电常数；
扩散阻挡层，布置在所述高k数据存储层上方；
高k储层，具有超过3.9的介电常数；
覆盖层，所述覆盖层的氧浓度相对于所述高k储层较低；以及
顶电极，布置在所述覆盖层上方。