技术总结
本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置在离子库区上方的顶电极。本发明也提供了用于制造RRAM单元的集成电路或半导体结构的方法。本发明还涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。
技术研发人员：金海光;林杏莲;梁晋玮;蔡正原;蔡嘉雄
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510148819
技术研发日：2015.03.31
技术公布日：2016.11.23