1.一种形成图案的方法，所述方法包括：
在设置在半导体衬底上的下面层上形成可显影抗反射层；
在所述可显影抗反射层上形成光致抗蚀剂层；
将所述光致抗蚀剂层的部分和所述可显影抗反射层的部分选择性地暴露于光；
选择性地去除所述光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成暴露出所述可显影抗反射层的未曝光部分的光致抗蚀剂图案；
选择性地去除所述可显影抗反射层的曝光部分，以形成引导图案；
形成填充所述引导图案之间的空间的中性层；
在所述引导图案和所述中性层上形成自组装嵌段共聚物BCP层；
将所述自组装BCP层退火以形成交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域；以及
选择性地去除所述第一聚合物嵌段域。
2.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除所述光致抗蚀剂层的未曝光部分使用负性显影剂来执行。
3.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除所述可显影抗反射层的曝光部分使用正性显影剂来执行。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述正性显影剂是包括四甲基氢氧化铵(TMAH)材料的碱性显影剂。
5.如权利要求3所述的方法，
其中，当所述光致抗蚀剂层的部分和所述可显影抗反射层的部分被暴露于光时，在所述光致抗蚀剂层的曝光部分中产生酸；以及
其中，在所述光致抗蚀剂层的曝光部分中产生的酸被扩散至所述可显影抗反射层的曝光部分中，使得所述可显影抗反射层的曝光部分通过所述正性显影剂来溶解。
6.如权利要求5所述的方法，还包括将后曝光烘焙PEB步骤应用至暴露出的光致抗蚀剂层，以加速在所述光致抗蚀剂层的曝光部分中酸的产生，并且加速酸扩散至所述可显影抗反射层的曝光部分中。
7.如权利要求3所述的方法，其中，当所述可显影抗反射层的曝光部分使用所述正 性显影剂来选择性去除时，所述光致抗蚀剂图案被去除。
8.如权利要求3所述的方法，还包括：利用有机溶剂来去除所述光致抗蚀剂图案的侧表面部分，以暴露出所述可显影抗反射层的曝光部分的边沿部分。
9.一种形成图案的方法，所述方法包括：
在设置在半导体衬底上的下面层上形成可显影抗反射层；
在所述可显影抗反射层上形成光致抗蚀剂层；
将所述光致抗蚀剂层的部分和所述可显影抗反射层的部分选择性地暴露于光，以限定所述光致抗蚀剂层和所述可显影抗反射层的线形状的未曝光部分；
选择性地去除所述光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成提供暴露出所述可显影抗反射层的未曝光部分的沟槽的光致抗蚀剂图案；
选择性地去除所述可显影抗反射层的曝光部分，以形成具有小于所述线形状的引导图案之间的距离的宽度的线形状的引导图案；
形成填充所述引导图案之间的空间的中性层；
在所述引导图案和所述中性层上形成自组装嵌段共聚物BCP层；
将所述自组装BCP层退火，以形成被交替地且重复地排列的线形状的第一聚合物嵌段域和线形状的第二聚合物嵌段域；以及
选择性地去除所述第一聚合物嵌段域。
10.一种形成图案的方法，所述方法包括
在设置在半导体衬底上的下面层上形成可显影抗反射层；
在所述可显影抗反射层上形成光致抗蚀剂层；
将所述光致抗蚀剂层的部分和所述可显影抗反射层的部分选择性地暴露于光，以限定所述光致抗蚀剂层和所述可显影抗反射层的圆形形状的未曝光部分；
选择性地去除所述光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成暴露出所述可显影抗反射层的未曝光部分的光致抗蚀剂图案；
选择性地去除所述可显影抗反射层的曝光部分，以形成具有小于所述圆形形状的引导图案之间的距离的宽度的圆形形状的引导图案；
形成填充所述引导图案之间的空间的中性层；
在所述引导图案和所述中性层上形成自组装嵌段共聚物BCP层；
将所述自组装BCP层退火，以形成第一聚合物嵌段域和包围所述第一聚合物嵌段域的侧壁的第二聚合物嵌段域；以及
选择性地去除所述第一聚合物嵌段域以形成孔。