技术总结
本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和在衬底之上延伸的鳍结构。FinFET结构包括形成在鳍结构上的外延结构，并且外延结构具有第一高度。FinFET结构也包括形成为邻近外延结构的鳍侧壁间隔件。鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且第一高度大于第二高度，并且鳍侧壁间隔件配置为控制外延结构的体积和第一高度。
技术研发人员：张哲豪;程潼文;陈建颖;张哲诚;张永融
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510245425
技术研发日：2015.05.14
技术公布日：2016.12.07