技术总结
本发明提供一种沟槽型VDMOS器件的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底上形成沟槽；通过氧化层窗口向沟槽中注入N型离子，形成沟槽积累区；去除氧化层，在沟槽中依次形成栅氧化层和多晶硅；向硅基底中注入P型离子，形成沟槽型VDMOS器件的体区和积累层，其中P型离子的注入剂量大于N型离子的注入剂量，体区的深度小于沟槽积累区的深度，积累层是沟槽积累区与体区进行离子抵消后保留的部分沟槽积累区；再形成沟槽型VDMOS器件的源区、介质层和金属层。从而，降低了沟槽型VDMOS器件的导通电阻，进一步的降低了沟槽型VDMOS器件的导通损耗，使得沟槽型VDMOS器件的能量消耗降低。
技术研发人员：赵圣哲
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510246578
技术研发日：2015.05.14
技术公布日：2017.01.04