技术总结
本发明提供一种半导体器件制造方法，包括：根据预设的工艺流程，形成器件的栅极、体区、源区和漏区；在整个器件的表面上依次形成未掺离子的第一氧化硅层和掺有离子的第二氧化硅层；进行高温回流，回流的温度为800～950℃，回流的时间为30～60分钟。通过本实施例提供的半导体器件制造方法，在介电层的高温回流工艺中，不仅可以激活源漏离子，还可以实现介电层的回流，无需分别专门进行源漏离子退火和高温回流，对传统的工艺流程进行了优化，有效节省了工艺成本，缩短了工艺周期。
技术研发人员：马万里;闻正锋;赵文魁
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510319615
技术研发日：2015.06.11
技术公布日：2017.01.04