技术总结
一种晶体管及其制作方法。所述方法包括：分别以位于栅极结构侧壁的第一侧壁层以及位于所述第一侧壁层侧壁的牺牲侧壁层为掩膜，刻蚀半导体衬底，先后形成第一凸起部和第二凸起部，在所述第二凸起部侧壁形成介质层；在所述半导体衬底上形成外延层，所述外延层的表面覆盖第一凸起部的表面和第二凸起部的表面；第二凸起部两侧的外延层为源-漏区，所述介质层位于半导体衬底内源-漏区在沟道内易穿通的位置。本发明以位于半导体衬底内的介质层代替现有技术的Halo或Pocket结构，使源-漏区在沟道内易穿通的区域被完全隔离，在源-漏区离子注入后，保证器件电荷的迁移率不受影响的同时有效地抑制了因器件尺寸减小引起的源漏极穿通等短沟道效应。
技术研发人员：李敏
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510392482
技术研发日：2015.07.06
技术公布日：2017.01.11