技术领域：
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件、其制造方法和具有其的电路板，所述多层陶瓷电子组件具有低的等效串联电阻以及优异的可靠性和耐久性。
背景技术：
：使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等)包括由陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。在陶瓷电子组件中，多层陶瓷电容器包括多个堆叠的介电层、设置为彼此面对并且具有各个介电层置于其间的内电极以及电连接到内电极的外电极。另外，多层陶瓷电容器已经被有效地用作设置在大规模集成(LSI)方式的电源电路中的旁通电容器。在这种情况下，多层陶瓷电容器需有效地去除高频噪声以用作旁通电容器。随着电子装置的高频化倾向，这种需求也随之增加。用作旁通电容器的多层陶瓷电容器可通过焊料电连接到电路板的安装焊盘，安装焊盘可通过板中的布线图案或导电过孔连接到其它外部电路。多层陶瓷电容器除了具有电容成分之外，还具有等效串联电阻(ESR)成分和等效串联电感(ESL)成分。这些ESR成分和ESL成分会阻碍多层陶瓷电容器用作旁通电容器。因此，需要开发具有低的等效串联电阻(ESR)值的多层陶瓷电容器。技术实现要素：本公开的一方面可提供一种多层陶瓷电子组件、其制造方法和具有其的 电路板，所述多层陶瓷电子组件具有低的等效串联电阻以及优异的可靠性和耐久性。根据本公开的一方面，可提供一种多层陶瓷电子组件、制造其的方法和具有其的电路板，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体和外电极，所述陶瓷主体包括介电层和内电极，外电极包括基础电极层和设置在基础电极层上的树脂电极层。树脂电极层可设置在基础电极层上，但可使基础电极层部分地暴露，而非完全覆盖基础电极层，从而可减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻。在基础电极层中，基础电极层的其上未形成树脂电极层的暴露区域的宽度可比陶瓷主体的其上形成有基础电极层的暴露的区域的外表面的宽度窄，从而多层陶瓷电子组件可具有改善的抗弯强度。基础电极层的未形成树脂电极层的边缘的一部分可被暴露，从而可减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻，基础电极层的边缘的剩余区域可被树脂电极层覆盖，从而多层陶瓷电子组件可具有改善的耐潮性、可靠性和抗弯强度。根据本发明的一方面，可提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及置于介电层之间的内电极，陶瓷主体具有在第一方向上彼此背对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此背对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此背对的第五表面和第六表面；基础电极层，设置在陶瓷主体上，并包括连接到内电极的主体部和从主体部延伸的延伸部；树脂电极层，设置在基础电极层上，同时使基础电极层的延伸部的端部暴露，其中，延伸部的宽度比陶瓷主体的其上设置有延伸部的表面的宽度窄，在与延伸部的宽度方向平行的方向上测量陶瓷主体的表面的宽度。根据本发明的另一方面，可提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：六面体形状的陶瓷主体，具有六个外表面，并包括介电层以及置于介电层之间的内电极；两个外电极，包括基础电极层以及设置在基础电极层上的树脂电极层，所述基础电极层设置在陶瓷主体的六个外表面中彼此背对的两个外表面上并覆盖陶瓷主体的四个剩余外表面中的至少一个表面，基础电极层连接到内电极，其中，树脂电极层中的每个树脂电极层覆盖基础电极层中的相应的一个基础电极层的边缘的一部分。根据本发明的另一方面，可提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及置于介电层之间的内电极；外电极，包括设置在陶瓷主体上并连接到内电极的基础电极层、设置在基础电极层上的树脂电极层以及设置在树脂电极层上的镀层，其中，基础电极层包括主体部以及具有分别从主体部延伸的端部的等效串联电阻(ESR)减小部，所述端部设置在未形成树脂电极层的区域中以使ESR减小部直接与镀层接触。根据本发明的另一方面，可提供一种制造多层陶瓷电子组件的方法，所述方法包括：形成陶瓷主体，陶瓷主体包括内电极和介电层；形成基础电极层，基础电极层包括连接到内电极的主体部以及在陶瓷主体的表面上从主体部延伸的延伸部；在除了基础电极层的延伸部的端部之外的基础电极层上形成树脂电极层，其中，基础电极层的形成包括涂敷主体部电极膏以及涂敷延伸部电极膏以连接到主体部电极膏。根据本发明的另一方面，可提供一种具有多层陶瓷电子组件的电路板，所述具有多层陶瓷电子组件的电路板包括：印刷电路板，印刷电路板上设置有电极焊盘；以上所述的多层陶瓷电子组件，安装在印刷电路板上；焊料，分别使电极焊盘和多层陶瓷电子组件彼此连接。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和其它优点将会被更清楚地理解，在附图中：图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；图2是沿图1的A-A'线截取的剖视图；图3是沿图1的B-B'线截取的剖视图；图4A至图4C是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的陶瓷主体和基础电极层的平面图；图5A和图5B是示意性地示出多层陶瓷电子组件的透视图以示出基础电极层的修改示例；图6是示出根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；图7是沿图6的C-C'线截取的剖视图；图8是沿图6的D-D'线截取的剖视图；图9是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法的流程图；图10是示出其上安装有根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的电路板的透视图；图11是沿图10的E-E'线截取的剖视图；图12A是示出对比示例中多层陶瓷电子组件的弯曲耐久性测试结果的曲线图；图12B是示出在根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件中根据W1/W2的弯曲耐久性测试结果的曲线图；图13是示出评估抗弯强度特性的方法的示图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。然而，本公开可按照许多不同的形式来实施，并不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。确切地说，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的附图标记来表示相同或相似的元件。多层陶瓷电子组件根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件可包括陶瓷主体和外电极。陶瓷主体包括介电层和内电极，外电极可包括连接到内电极的基础电极层和设置在基础电极层上的树脂电极层。根据本公开的示例性实施例，树脂电极层设置在基础电极层上，但可部分地暴露基础电极层，而不是完全覆盖基础电极层。树脂电极层可形成在基础电极层上，以覆盖基础电极层的边缘的一部分，但不形成在基础电极层的边缘的剩余部分上。基础电极层的边缘的未形成树脂电极层的部分可被暴露，从而可减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻，同时基础电极层的边缘的剩余区域被树脂电极层覆盖，从而可改善多层陶瓷电子组件的防潮性和可靠性以及其抗弯强 度。抗弯强度指的是在多层陶瓷电子组件中发生弯曲现象时，多层陶瓷电子组件可忍受施加到其的弯曲力而不产生损坏或裂纹的程度(在下文中，称为“抗弯强度”)。根据本公开的示例性实施例，外电极还可包括设置在树脂电极层上的镀层。镀层可被设置为直接连接到基础电极层的未形成有树脂电极层的暴露的区域。树脂电极层可被设置为使得基础电极层的边缘的第一区域可被暴露并使得基础电极层的边缘的第二区域可被树脂电极层覆盖。第一区域不受具体限制，但第一区域指的是基础电极层的边缘的一部分，第二区域指的是基础电极层的边缘的剩余区域。根据本公开的示例性实施例，基础电极层的其上未形成有树脂电极层的部分可被暴露，从而电流可从外部流到内电极，而不流经具有比基础电极层的电导率低的电导率的树脂电极层。因此，可减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻(ESR)。此外，根据本公开的示例性实施例，树脂电极层可覆盖基础电极层的边缘的第二区域，因此基础电极层的边缘具有暴露的部分，从而可确保预定水平或更高水平的抗弯强度特性。根据本公开的示例性实施例，基础电极层可包括主体部以及从主体部延伸的延伸部。这里，树脂电极层可不形成在延伸部的部分上，以减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻。根据本公开的示例性实施例，延伸部可用作ESR减小部。根据本公开的示例性实施例，可提供具有相对低的等效串联电阻以及优异的耐久性和可靠性的多层陶瓷电子组件。此外，根据本公开的示例性实施例，可提供具有优异的抗弯强度的多层陶瓷电子组件。另外，根据本公开的示例性实施例，可提供制造多层陶瓷电子组件的方法和具有该多层陶瓷电子组件的电路板。在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图。图2是沿图1的A-A'线截取的剖视图，图3是沿图1的B-B'线截取的剖视图。参照图1，根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110以及外电极131和132。外电极131和132可包括第一外电极131和第二外电极132。陶瓷主体110的形状不受具体限制，但可以是如图中示出的六面体形状。在烧结片(chip)时，由于陶瓷粉末的烧结收缩，陶瓷主体110可能不具有带有完全呈直线的完美的六面体形状，但大体上可具有六面体形状。根据本公开的示例性实施例，陶瓷主体110可具有在第一方向(y方向)上彼此背对的第一表面1和第二表面2、在第二方向(z方向)上彼此背对并使第一表面和第二表面彼此连接的第三表面3和第四表面4以及在第三方向(x方向)上彼此背对并使第一表面和第二表面彼此连接的第五表面5和第六表面6。根据本公开的示例性实施例，第一方向(y方向)可以是设置在陶瓷主体中的介电层和内电极堆叠的方向。如图2(多层陶瓷电子组件的剖视图)所示，陶瓷主体110可包括多个介电层111以及设置在介电层111上的内电极121和122。内电极可包括第一内电极121和第二内电极122，第一内电极和第二内电极可具有施加到其的相反的极性的电压。陶瓷主体110可包括：有源层，作为对电容形成做出贡献的部分；上覆盖层和下覆盖层，分别形成在有源层的上部和下部上，作为上边缘部和下边缘部。有源层可包括介电层111以及内电极121和122，多个第一内电极121和多个第二内电极122可交替地形成，并且各个介电层111置于多个第一内电极121和多个第二内电极122之间。根据本公开的示例性实施例，第一方向(y方向，陶瓷主体的厚度方向)指的是具有各个介电层置于其间的内电极堆叠的方向，第二方向(z方向)指的是陶瓷主体的宽度方向，第三方向(x方向)指的是陶瓷主体的长度方向。根据本公开的示例性实施例，陶瓷主体110可形成为在长度方向上比在宽度方向或厚度方向上长。构成陶瓷主体110的多个介电层111可呈烧结态，这里，相邻的介电层可彼此一体，使得相邻的介电层之间的边界在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下不容易被识别出来。根据本公开的示例性实施例，第一内电极121和第二内电极122(具有相 反极性的一对电极)可通过在介电层111上印刷含有导电金属的导电膏至预定厚度来形成，并可通过设置在它们之间的介电层111彼此电绝缘。根据本公开的示例性实施例，第一内电极121可暴露于陶瓷主体的第五表面，第二内电极122可暴露于陶瓷主体的第六表面。此外，包含在第一内电极121和第二内电极122中的导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)或者它们的合金，但本公开不限于此。介电层111可包含具有高介电常数的陶瓷粉末，例如，碳酸钡(BaTiO3)基粉末或者钛酸锶(SrTiO3)基粉末，但本公开不限于此。根据本公开的示例性实施例，第一内电极121和第二内电极122可通过其的暴露于陶瓷主体110的第五表面5和第六表面6的部分分别电连接到第一外电极131和第二外电极132。因此，当向第一外电极131和第二外电极132施加电压时，电荷积聚在彼此面对的第一内电极121和第二内电极122之间。在这种情况下，多层陶瓷电子组件100的电容可与第一内电极121与第二内电极122之间的重叠的区域的面积成比例。除了在其中不包括内电极，上覆盖层和下覆盖层的材料和构造可与介电层111的材料和构造相同。上覆盖层和下覆盖层可通过分别在有源层的上表面和下表面上沿竖直方向堆叠一个或更多个介电层来形成，并可用于防止内电极121和122受到物理应力或化学应力而损坏。第一外电极131可电连接到第一内电极121，第二外电极132可电连接到第二内电极122。根据本公开的示例性实施例，第一外电极131可包括基础电极层131a和树脂电极层131b，第二外电极132可包括基础电极层132a和树脂电极层132b。基础电极层131a和132a可分别直接连接到第一内电极121和第二内电极122，以确保外电极与内电极之间的电连接。基础电极层131a和132a可包含导电金属，导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、金(Au)或者它们的合金，但本公开不限于此。基础电极层131a和132a可以是通过烧结含有导电金属的膏而形成的烧结式电极。详细地讲，基础电极层131a和132a可通过烧结包含玻璃以及作为导电金属的铜的膏来形成。根据本公开的示例性实施例，树脂电极层131b和132b可分别设置在基础 电极层131a和132a上，但不形成在基础电极层131a和132a的将要被暴露的部分上。树脂电极层131b和132b可形成在基础电极层131a和132a上，使得基础电极层131a和132a的边缘的其上未形成有树脂电极层的部分被暴露，基础电极层131a和132a的边缘的剩余部分被树脂电极层131b和132b覆盖。根据本公开的示例性实施例，基础电极层131a和132a以及树脂电极层131b和132b可从陶瓷主体的第五表面和第六表面延伸至第一表面至第四表面中的至少一个表面。例如，基础电极层131a和132a以及树脂电极层131b和132b可从第五表面和第六表面延伸至覆盖第一表面至第四表面的部分表面。然而，即使在基础电极层131a和132a以及树脂电极层131b和132b延伸至第一表面和第二表面或者第三表面和第四表面的情况下，树脂电极层131b和132b也可覆盖基础电极层131a和132a的边缘的一部分，同时使其边缘的区域部分地暴露。根据本公开的示例性实施例，基础电极层131a和132a不完全被树脂电极层131b和132b覆盖，而是被部分地暴露，从而电流可从外部流到内电极121和122，而不流经树脂电极层131b和132b。在以树脂电极层完全覆盖基础电极层的方式制造多层陶瓷电子组件的情况下，电流流经树脂电极层来形成外部电连接。树脂电极层131b和132b可包含用于确保导电性的导电粉末和用于吸收冲击的基础树脂。在树脂电极层包含基础树脂的情况下，可改善在发生弯曲时多层陶瓷电子组件抵抗外部应力的耐久性，但与不包含基础树脂的电极相比，树脂电极层具有相对高的比电阻值，从而会增大多层陶瓷电子组件的等效串联电阻(ESR)。然而，根据本公开的示例性实施例，在树脂电极层131b和132b被设置为使得基础电极层131a和132a不被完全覆盖而是使基础电极层131a和132a的边缘的一部分被暴露的情况下，电流可不流经树脂电极层131b和132b，而是可从内电极121和122通过基础电极层131a和132a向外流动。在电流可流经的路径的数量多的情况下，由于电流主要流经比电阻相对小的路径，因此根据本公开的示例性实施例，电流不会流经树脂电极层，而是可通过基础电极层131a和132a的暴露的边缘流动，从而可将外部电流施加到内电极121和122。例如，根据本公开的示例性实施例，电流可经由内电极、随后经由基础电极层向外部流动，因此，可防止等效串联电阻因树脂电极层而增大。例如，根据本公开的示例性实施例，当树脂电极层形成在基础电极层的一部分上以使基础电极层被部分地暴露时，由于可减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻，因此可增大树脂电极层的导电粉末的含量的自由度。例如，在需要进一步改善多层陶瓷电子组件的冲击吸收效率的情况下，可增加包含在树脂电极层中的基础树脂的含量并可减少导电粉末的含量。树脂电极层131b和132b可包含热固性聚合物，例如，环氧树脂、丙烯酸树脂或者它们的混合物，但不限于此。树脂电极层131b和132b可包含作为导电粉末的金属粉末。例如，树脂电极层131b和132b可包含银(Ag)、铜(Cu)、镍等。根据本公开的示例性实施例，如图1所示，基础电极层131a可包括连接到内电极的主体部31和从主体部延伸的延伸部31'，基础电极层132a可包括连接到内电极的主体部32和从主体部延伸的延伸部32'。树脂电极层131b和132b可设置为使得延伸部31'和32'的端部暴露。例如，树脂电极层131b和132b可被设置为完全覆盖主体部31和32以及延伸部31'和32'的邻近于主体部31和32的部分，并设置为使延伸部31'和32'的剩余部分(例如，包括延伸部的端部)暴露。根据本公开的示例性实施例，主体部31和32可设置在陶瓷主体的第五表面和第六表面上并可连接到内电极的暴露的端部。主体部31和32可从第五表面和第六表面延伸到陶瓷主体110的第一表面至第四表面中的至少一个表面。延伸部31'和32'可从主体部31和32延伸，并可设置在陶瓷主体110的外表面上。根据本公开的示例性实施例，延伸部31'和32'可分别设置在陶瓷主体110的第一表面至第四表面中的至少一个表面上，并分别从主体部31和32沿陶瓷主体110的长度方向(x方向)延伸。可通过将陶瓷主体110的第五表面和第六表面浸渍在用于形成基础电极层的膏中的方法来形成主体部31和32，并可通过浸渍深度来调整主体部31和32的延伸到陶瓷主体110的第一表面至第四表面的程度。可通过在陶瓷主体110的外表面上印刷用于形成基础电极层的膏并连接 到主体部31和32来形成延伸部31'和32'。根据本公开的示例性实施例，延伸部的宽度可形成为比主体部的宽度窄。根据本公开的示例性实施例，延伸部的宽度可形成为比陶瓷主体110的其上设置有延伸部的外表面的宽度窄。可沿与延伸部的宽度方向平行的方向测量陶瓷主体110的其上设置有延伸部的外表面的宽度，延伸部的宽度方向可以是与延伸部所延伸的方向垂直的方向。可沿与延伸部所延伸的方向垂直的方向测量延伸部的宽度。例如，当延伸部设置在陶瓷主体110的第一表面上时，设置在陶瓷主体110的第一表面上的延伸部的宽度可形成为比陶瓷主体110的沿与延伸部的宽度方向平行的方向测量的第一表面的宽度窄。此外，当延伸部设置在陶瓷主体110的第二表面上时，设置在陶瓷主体110的第二表面上的延伸部的宽度可形成为比陶瓷主体110的沿与延伸部的宽度方向平行的方向测量的第二表面的宽度窄。根据本公开的示例性实施例，延伸部的其上未形成有树脂电极层的暴露区域的宽度可比陶瓷主体110的其上设置有延伸部的外表面的宽度窄，从而可减小多层陶瓷电子组件的等效串联电阻，并可通过减小基础电极层的面积来改善抗弯强度。在不单独地形成延伸部而是通过在形成主体部时增大浸渍深度来使主体部延伸到将要设置延伸部的端部时的区域的情况下，由于增大了基础电极层的面积而导致不能确保抗弯强度，并且会使基础电极层形成的较厚。然而，根据本公开的示例性实施例，当延伸部的宽度形成为比陶瓷主体110的其上设置有延伸部的外表面的宽度窄时，可确保抗弯强度。此外，在与主体部单独地形成延伸部的情况下，可解决基础电极层的厚度增大的问题。图2是沿穿过图1中设置有延伸部的区域的A-A'线截取的剖视图，图3是沿穿过图1中未设置延伸部的区域的B-B'线截取的剖视图。参照图2(其上设置有延伸部的区域的截面图)，延伸部的其上未形成树脂电极层的端部可被暴露。换言之，基础电极层的其上未形成树脂电极层的边缘可被暴露。参照图3(其上未设置延伸部的区域的截面图)，可确定基础电极层的边缘被树脂电极层覆盖。树脂电极层覆盖基础电极层的其中未设置延伸部的区 域的边缘，从而可改善多层陶瓷电子组件的抗弯强度。图4A是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的陶瓷主体110和基础电极层的平面图。参照图4A，根据本公开的示例性实施例，当将延伸部的宽度定义为W1、将在与延伸部的宽度方向平行的方向上测量的陶瓷主体110的其上设置有延伸部的一个表面的宽度定义为W2时，W1/W2可满足W1/W2≤0.5。详细地讲，延伸部的宽度W1可以为1μm或更大。W1可指沿延伸部的宽度方向测量的延伸部的未形成树脂电极层的暴露区域的最宽宽度。在W1小于1μm的情况下，减小等效串联电阻(ESR)的效果会不显著，在W1/W2大于0.5的情况下，会劣化抗弯强度特性，从而会使弯曲裂纹的产生增多。延伸部的未形成树脂电极层的暴露区域的长度可以为1μm或更大。可沿延伸部所延伸的方向测量延伸部的长度。图4B和图4C是示出多层陶瓷电子组件的陶瓷主体110和基础电极层的平面图，以示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的延伸部的形状的修改示例。参照图4B，延伸部31'和32'可分别具有其宽度在延伸部从主体部31和32所延伸的方向上增大的形状。参照图4C，延伸部31'和32'可分别具有其宽度在延伸部从主体部31和32所延伸的方向上减小的形状。图5A和图5B是示意性地示出多层陶瓷电子组件的透视图以示出基础电极层的修改示例。延伸部可设置在陶瓷主体110的在厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面中的至少一个表面上(如图1所示)。例如，延伸部可设置在陶瓷主体110的第一表面和第二表面上。可选地，延伸部可设置在陶瓷主体110的在宽度方向上彼此背对的第三表面和第四表面中的至少一个表面上(如图5A所示)。例如，延伸部可设置在第三表面和第四表面上。可选地，延伸部可分别设置在陶瓷主体110的第一表面至第四表面上(如图5B所示)。图6是示出根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图。图7是沿图6的C-C'线截取的剖视图，图8是沿图6的D-D'线截取的剖视图。参照图6，根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件可包括陶瓷主体110以及外电极131和132。第一外电极131和第二外电极132还可包括设置在根据本公开的前述示例性实施例的多层陶瓷电子组件的第一外电极和第二外电极的树脂电极层上的镀层。参照图7和图8，根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的第一外电极131可包括基础电极层131a、形成为使得基础电极层131a的边缘的部分暴露的树脂电极层131b、以及镀层131c，第二外电极132可包括第一外电极132a、形成为使得基础电极层132a的边缘的部分暴露的树脂电极层132b、以及镀层132c。在描述根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件时，将省略与根据本公开的前述示例性实施例的多层陶瓷电子组件的描述重复的描述，以下将主要描述它们之间的区别。镀层131c和132c可分别形成在树脂电极层131b和132b上并设置为与基础电极层131a和132a的其上未形成树脂电极层的暴露的区域直接接触。因此，基础电极层131a和镀层131c可彼此电连接，基础电极层132a和镀层132c可彼此电连接。镀层131c和132c可被设置为分别覆盖延伸部31'和32'的其上未形成树脂电极层131b和132b的端部。镀层131c和132c可形成为完全覆盖树脂电极层131b和132b以及基础电极层131a和132a的其上未形成树脂电极层131b和132b的区域的部分。例如，当形成镀层131c和132c时，电流可流经从内电极通过基础电极层和镀层到达外部的路径，与本公开的上述示例性实施例相似，可通过树脂电极层防止等效串联电阻的增大。镀层131c和132c可包含镍(Ni)或锡(Sn)，但不限于此。镀层131c和132c可由双层构成。例如，镍(Ni)镀层可形成在树脂电极层上，锡(Sn)镀层可形成在镍(Ni)镀层上，但本公开不限于此。制造多层陶瓷电子组件的方法根据本公开的另一示例性实施例，提供一种制造多层陶瓷电子组件的方法。图9是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法的流程图。参照图9，根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法可包括：形成陶瓷主体(S1)；在陶瓷主体的外表面上形成基础电极层(S2)；在基础电极层上形成树脂电极层(S3)。在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法，但本公开不限于此。在描述根据本公开的示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法中，将省略与根据本公开的上述示例性实施例的描述重复的描述。在形成陶瓷主体时，可将包含粉末(诸如碳酸钡(BaTiO3)粉末)的浆料涂敷到载体膜上，并使其干燥，以制备多个陶瓷生片，从而形成介电层和覆盖层。可通过以下方法来制造陶瓷生片：将陶瓷粉末、粘结剂和溶剂彼此混合以制备浆料，使用制备好的浆料通过刮刀法制造具有几微米厚度的生片。接下来，可制备包含导电粉末的内电极导电膏。在将内电极导电膏通过丝网印刷方法涂敷到生片上以形成内电极之后，可堆叠印刷有内电极的多个生片，可在堆叠件的上表面和下表面上堆叠未印刷内电极的多个生片，然后对其进行烧结，从而制造陶瓷主体。陶瓷主体可包括内电极、介电层和覆盖层，这里，通过烧结其上印刷有内电极的生片，可使介电层形成为具有形成在其上的内电极，通过烧结未形成内电极的生片，形成覆盖层。然后，基础电极层可形成在陶瓷主体的外表面上，以电连接到内电极。在形成基础电极层时，可将陶瓷主体的使内电极暴露的第三表面和第四表面浸渍到用于形成基础电极层的膏中以在其上形成主体部31和32。然后，为了形成延伸部31'和32'，可将用于形成基础电极层的膏另外地涂敷到陶瓷主体的外表面并连接到为了形成主体部31和32而涂敷的膏，然后可烧结用于形成基础电极层的膏，从而可形成基础电极层。可使用印刷用于形成基础电极层的膏的工艺在陶瓷主体的外表面上执行用于形成延伸部的膏的涂敷。可通过烧结包含导电金属和玻璃的膏来形成基础电极层。导电金属不受具体限制，但可以是例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)和它们的合金组成的组中选择的一种或更多种，更详细地讲，导电金属可包含铜(Cu)。玻璃不受具体限制，但可以是具有与用于形成根据现有技术的多层陶瓷电子组件的外电极的玻璃的成分相同的成分的材料。接下来，可通过将树脂成分涂敷到基础电极层上，然后对其进行固化来形成树脂电极层。树脂成分可包含导电粉末和基础树脂，这里，基础树脂可以是环氧树脂、热固性树脂，但不限于此。根据本公开的示例性实施例，由于延伸部的宽度形成为比主体部的宽度窄，因此可通过将其上形成有基础电极层的陶瓷主体浸渍在树脂成分中来涂敷树脂成分。此外，制造多层陶瓷电子组件的方法还可包括：在形成树脂电极层之后，在树脂电极层上形成镀层(S4)，镀层可包括镍镀层以及形成在镍镀层上的锡镀层。具有电子组件的电路板200根据本公开的示例性实施例，提供一种具有根据本公开的示例性实施例或另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的电路板。图10是示出其上安装有根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的电路板的透视图。图11是沿图10的E-E'线截取的剖视图。参照图10和图11，根据本公开的示例性实施例的具有电子组件的电路板可包括：印刷电路板210，其上形成有第一电极焊盘221和第二电极焊盘222；多层陶瓷电子组件100，安装在印刷电路板210上。在这种情况下，在第一外电极131和第二外电极132分别位于第一电极焊盘221和第二电极焊盘222上以彼此接触的状态下，多层陶瓷电子组件100可通过焊料230电连接到印刷电路板210。为避免重复描述，将省略与根据本公开的上述示例性实施例的多层陶瓷电子组件的描述重复的具有多层陶瓷电子组件的电路板的描述。试验示例图12A是示出包括其中树脂电极层未涂敷在基础电极层上的外电极的多 层陶瓷电子组件(对比示例1)、包括其中树脂电极层被设置为完全覆盖基础电极层的外电极的多层陶瓷电子组件(对比示例2)以及包括其中树脂电极层被设置为使基础电极层的整个边缘暴露的外电极的多层陶瓷电子组件(对比示例3)的镀覆片的抗弯强度测试结果的曲线图。在对比示例1至3中，外电极从陶瓷主体的在陶瓷主体的长度方向上彼此背对的两个表面延伸到陶瓷主体的在陶瓷主体的厚度方向上彼此背对的两个表面的部分，并延伸到陶瓷主体的在陶瓷主体的宽度方向上彼此背对的两个表面的部分，基础电极层以仅包括主体部而不包括延伸部的方式来形成。图12B是示出在根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件中根据延伸部的宽度W1与陶瓷主体110的其上设置有延伸部31'和32'的外面的宽度W2的比值(W1/W2)的抗弯强度测试结果的曲线图。通过图13中示出的方法测量抗弯强度特性。如图13所示，其上安装有多层陶瓷电子组件的板210被设置为使得多层陶瓷电子组件100面对地面，包括能够容纳多层陶瓷电子组件的容纳槽的支撑件400设置在板的下方。设置在支撑件400中的槽的宽度D1大约为8cm。另外，可通过将电容测量装置500(电容测量设备)连接到支撑件的两端来实时测量电容，从而可确定多层陶瓷电子组件的电容的减小。使用具有1608尺寸(长度×宽度×厚度：大约1.6mm×0.8mm×0.8mm)的多层陶瓷电子组件作为多层陶瓷电子组件。多层陶瓷电子组件100位于支撑件400的中央部分，将压力施加到板210的与多层陶瓷电子组件的位置相对应的位置的上表面，从而板210向下弯曲了弯曲量D2，这表现在图12A和图12B的横轴上。在这种情况下，每当多层陶瓷电子组件下降1mm，使多层陶瓷电子组件在这种状态下保持5秒，再次下降并保持，直到最后深度。在如上所述的工艺过程中连续地测量多层陶瓷电子组件的电容，使得当基于初始电容的电容改变率为±10％或更大时，判断为有缺陷的电容。图12A和图12B的纵轴表示未出现缺陷的多层陶瓷电子组件的比率(合格率(survivalrate)％)。参照图12A，在未设置树脂电极层的对比示例1的情况下，合格率最低，在涂敷树脂电极层以完全覆盖基础电极层的对比示例2的情况下，合格率最高。然而，在对比示例2的情况下，存在等效串联电阻相对高的问题。参照图12B，在W1/W2为0.5的情况下，与对比示例1和3相比，改善了弯曲耐久性性能。此外，在W1/W2为0.1或0.3的情况下，确保弯曲耐久性性能的水平与对比示例2(树脂电极层覆盖整个基础电极层)的水平相似。在图12B中示出的本公开的实施例的情况下，可以领会的是，包括其上未形成有树脂电极层的延伸部31'和32'，使得等效串联电阻减小，并且也确保了抗弯强度特性。下面的表1示出根据包括其中树脂电极层未涂敷在基础电极层上的外电极的多层陶瓷电子组件(试样1)、包括其中树脂电极层设置为完全覆盖基础电极层的外电极的多层陶瓷电子组件(试样2)以及根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件(试样3至试样6)中的延伸部31'和32'的宽度W1的等效串联电阻(ESR)测试结果。在试样1至试样6中，使用具有1608尺寸(长度×宽度×厚度：大约1.6mm×0.8mm×0.8mm)的高电容多层陶瓷电子组件，除了外电极的形状之外，在相同的条件下执行测量。通过以下方法测量每个试样的ESR：将多层陶瓷电子组件安装在板上，将ESR测量装置连接到板，然后确认基于频率的ESR变化，并以ESR最低时的数值作为基准进行了测量。[表1]试样W1ESR(mΩ)评价1树脂电极层未设置在基础电极层上7.74OK2树脂电极层覆盖整个基础电极层22.08NG30.1μm18.47NG41μm7.39OK510μm8.79OK6100μm7.35OK如表1所示，可以确定的是，在W1小于1μm(试样3)的情况下，减小ESR的效果不明显，在W1为1μm或更大(试样4至6)的情况下，ERS实现与试样1(树脂电极层未形成在基础电极层上)的水平相似的水平。如上所述，根据本公开的示例性实施例，可提供具有低的等效串联电阻和优异的耐久性的多层陶瓷电子组件、制造其的方法和具有其的板。另外，根据本公开的示例性实施例，可提供具有优异的抗弯强度的多层陶瓷电子组件、制造其的方法和具有其的板。虽然已经在上面示出和描述了示例性实施例，但本领域技术人员将清楚的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出修改和变型。当前第1页1 2 3