1.一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：
1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；
2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；
3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；
4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述碳化硅材料(10)为n型或p型的4H-SiC或6H-SiC，所述外延薄膜(12)的厚度为0.1μm-500μm，其掺杂浓度为1×1013-1×1021cm-3。
3.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述清洗的方法为RCA标准清洗法。
4.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的处理功率为10-3～105W，气体流量为10-3～105sccm，处理时间为10-2～105min。
5.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述高温下氢气预处理的设备为箱式炉或管式炉。
6.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述高温下氢气预处理中对温度和流速的分布进行预定，所述温度和/或流速为恒定分布或可变分布。
7.根据权利要求6所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述可变分布为单阶梯或多阶梯分布。
8.根据权利要求7所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述温度分布梯度为30～2500℃，所述梯度上的维持时间为0.1～100000min，所述温度变化速率为0.1℃/min～2000℃/min。
9.根据权利要求6所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述流速为10-3sccm～105sccm。
10.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述氧化的方法为干氧、湿氧或N2O中高温氧化。