技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，方法包括：提供包括半导体衬底和在衬底上的多个半导体鳍片的衬底结构；在各鳍片之间形成隔离区以至少基本填充满各鳍片之间的空间；对衬底结构的至少一部分进行第一掺杂，以形成至少部分地在衬底中且与多个鳍片中的一部分鳍片邻接或者交叠的阱区；去除隔离区的一部分以露出多个鳍片中各鳍片的至少一部分；对多个鳍片中的与阱区邻接或者交叠的第一组鳍片的每一个鳍片的至少一部分进行第二掺杂以形成第一掺杂区；对多个鳍片中的与第一组鳍片不同的第二组鳍片的每一个鳍片的至少一部分进行第三掺杂，以形成第二掺杂区；第一掺杂区具有与第二掺杂区不同、与阱区相同的导电类型。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
文档号码：201510733008
技术研发日：2015.11.02
技术公布日：2017.05.10