1.一种半导体器件结构，包括：
第一金属层，形成在衬底上方；以及
互连结构，形成在所述第一金属层上方，其中，所述互连结构包括上部、中间部和下部，在所述上部和所述下部之间连接所述中间部，所述上部和所述下部均具有恒定的宽度，并且所述中间部具有从所述上部至所述下部逐渐减小的锥形宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述互连结构的所述上部具有第一宽度，并且所述下部具有第三宽度，所述锥形宽度小于所述第一宽度并大于所述第三宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：
介电层，形成在所述第一金属层上方，其中，所述互连结构形成在所述介电层中。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述互连结构包括粘合层和第二金属层，其中，所述粘合层形成在所述第二金属层和所述介电层之间。
5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述第二金属层的一部分与所述介电层直接接触。
6.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述粘合层是不连续的层并且包括第一部分和形成在所述第一部分下方的第二部分。
7.一种半导体器件结构，包括：
第一金属层，形成在衬底上方；
介电层，形成在所述第一金属层上方；
粘合层，形成在所述介电层中和所述第一金属层上方，其中，所述粘合层是不连续的层；以及
第二金属层，形成在所述介电层中，其中，所述粘合层形成在所述第二金属层和所述介电层之间，其中，所述第二金属层包括通孔部分和位于所述通孔部分上方的沟槽部分，并且所述沟槽部分宽于所述通孔部分。
8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，所述粘合层包括第一部分和第二部分，所述第一部分内衬于所述沟槽部分，并且所述第二部分内衬于所述通孔部分。
9.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
在衬底上方形成第一金属层；
在所述第一金属层上方形成蚀刻停止层；
在所述蚀刻停止层上方形成介电层；
在所述介电层中形成沟槽开口和通孔开口；
在所述沟槽开口和所述通孔开口的侧壁和底面上形成粘合层；
去除所述蚀刻停止层的正好位于所述第一金属层之上的部分并且去除所述粘合层的一部分以暴露出所述介电层的一部分；以及
在所述通孔开口和所述沟槽开口中填充第二金属层，其中，所述第二金属层电连接至所述第一金属层。
10.根据权利要求9所述的用于形成所述半导体器件结构的方法，还包括：
在所述介电层上方形成图案化的硬掩模层；以及
通过所述图案化的硬掩模层图案化所述介电层，从而使得所述沟槽开口位于所述通孔开口上方，并且所述沟槽开口的宽度大于所述通孔开口的宽度。