技术总结
本公开提供半导体装置与半导体装置的栅极堆叠的制作方法。半导体装置各自包含通道区与栅极堆叠。栅极堆叠包含栅极绝缘物、一对分隔的第一金属栅极层、以及第二金属栅极层。栅极绝缘物沿着通道区的长度方向延伸。第一金属栅极层具有第一功函数，并自栅极绝缘物延伸。第二金属栅极层位于第一金属栅极层之间，其具有不同于第一功函数的第二功函数，并自栅极绝缘物延伸。本发明的半导体装置可沉积多种厚度的金属以调整晶体管的临界电压。采用不同临界电压(VTH1与VTH2)的两种金属，可将装置的临界电压调整于VTH1与VTH2之间。
技术研发人员：尚-皮耶·柯林基;卡罗斯·H·戴尔兹
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510796186
技术研发日：2015.11.18
技术公布日：2017.03.22