技术总结
本发明的半导体晶片的清洗方法，包括脱胶步骤：加入异丙醇清洗；第一酸洗步骤：加入质量分数为0.1％～0.2％的氨基硫酸溶液，循环清洗第一预定时长；加入质量分数为0.1％～0.3％的柠檬酸溶液，清洗第二预定时长；及第二酸洗步骤：采用氢氟酸与水的比例为1：99的稀氢氟酸清洗。本发明清洗效果好、清洗效率高、降低清洗成本，适于工业上广泛应用。
技术研发人员：金明焕
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
文档号码：201510821566
技术研发日：2015.11.23
技术公布日：2017.05.31