1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：
提供一承载晶圆；
形成一内缩部分于该承载晶圆上，该内缩部分具有一倾斜部分于该内缩部分的一边缘；
接合一表层晶圆于该承载晶圆上，以形成一开放区域于该内缩部分内；
图案化该表层晶圆，以形成一表层膜于该内缩部分之上以及一表层膜支持结构于该倾斜部分之上；以及
施加一机械力，以使该表层膜从该表层晶圆分离。
2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成该内缩部分包括：
形成一间隔层于该承载晶圆上；以及
图案化该间隔层以形成该内缩部分。
3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，图案化该表层晶圆还包括：
形成一中断部于该倾斜部分之上，于该表层膜支持结构相对于该表层膜的一侧上。
4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：
接合一光罩至该表层膜支持结构；
形成一排气口，由该内缩部分延伸至该承载晶圆的一边缘；以及
于图案化该表层晶圆之前，薄化该承载晶圆的一背侧，其中该光罩包括：一表层支架贴附于其上，以及
其中接合该光罩至该表层膜支持结构的步骤包括：
接合该表层膜支持结构至该光罩的表层支架。
5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该内缩部分在上视图中，具有一实质上为长方形的形状，其中该内缩部分的一第一尺寸约在132至137mm的范围，以及该内缩部分的一第二尺寸约在104至110mm的范围。
6.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：
形成一内缩部分于一承载晶圆上，该内缩部分的边缘具有一倾斜部分， 由该内缩部分的一下部部分向一间隔层的一顶表面倾斜；
接合一表层晶圆于该承载晶圆上；
图案化该表层晶圆，以形成一表层膜于该内缩部分之上、一表层膜支持结构于该倾斜部分之上、以及一中断部于该倾斜部分之上；以及
施加一机械力，以断开该中断部以及使该表层膜及该表层膜支持结构从该表层晶圆分离。
7.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成该内缩部分包括：
沉积一间隔层材料于该承载晶圆上，以形成一间隔层于该承载晶圆上；以及
图案化该间隔层，以形成该内缩部分，其中该间隔层的厚度约在500至600nm的范围，及其中该间隔层包括：氮化硅或氮氧化硅的至少其一。
8.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该中断部及该表层膜具有一相同厚度，其中该中断部包括：一凹槽于该表层晶圆内，该凹槽环绕该表层膜支持结构。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一光罩，具有一图案化部分；
一表层支架，连接至该光罩，该表层支架实质上围绕该图案化部分；以及
一表层，包括：
一表层膜支持结构，根据该表层支架成形，该表层膜支持结构的一第一末端被接合至该表层支架；以及
一表层膜，位于该表层膜支持结构的一第二末端，该表层膜实质上覆盖该图案化部分。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该表层膜支持结构及该表层膜形成一单片结构。