1.一种电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，包括：
一底电极；
一电阻转态层，设置于该底电极上；
一可氧化层，设置于该电阻转态层上；
一第一氧扩散阻障层，位于该可氧化层与该电阻转态层之间；以及
一第二氧扩散阻障层，位于该可氧化层上。
2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该底电极包括钨、铂、铝、钛、氮化钛、或上述的组合，且该底电极的厚度介于10nm至100nm之间。
3.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该电阻转态层包括氧化铪、氧化钛、氧化钨、氧化钽、氧化锆、或上述的组合，且该电阻转态层的厚度介于5nm至10nm之间。
4.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该可氧化层包括钛，且该可氧化层的厚度介于10nm至50nm之间。
5.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该第一氧扩散阻障层包括氧化铝，且该第一氧扩散阻障层的厚度介于0.3nm至0.6nm之间。
6.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该第二氧扩散阻障层包括氮氧化钛层位于氮化钛层下，且氮化钛层作为顶电极。
7.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该第二氧扩散阻障层更包括另一氮化钛层位于该氮氧化钛层下。
8.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该氮氧化钛层的厚度介于5nm至15nm之间，且该氮化钛层的厚度介于10nm至20nm之间。
9.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该氮氧化钛层的钛、氧、与氮的摩尔比介于4:0.04:1至4:1:3之间。
10.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该第二氧扩散阻障层包括氧化铝层位于氮化钛层下，且氮化钛层作为顶电极。
11.如权利要求10所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该氧化铝层的厚度介于0.3nm至0.6nm之间，而该些氮化钛层的厚度介于10nm至20nm之间。