技术总结
本发明提供了一种电阻式随机存取存储器装置，包括：底电极；电阻转态层，设置于底电极上；可氧化层，设置于电阻转态层上；第一氧扩散阻障层，位于可氧化层与电阻转态层之间；以及第二氧扩散阻障层，位于可氧化层上。本发明实施例的电阻式随机存取存储器装置，可以克服现有技术中的在施加写入电压至RRAM装置时，电阻转态层中的氧原子可能回扩散至电阻转态层，甚至逃逸出顶电极而造成RRAM装置失效的问题。
技术研发人员：陈达;廖绍憬;王炳琨
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
文档号码：201510988007
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2017.05.03