1.一种互连结构，其包括：
第一金属线，其形成于第一互连层中，在长度上大体上沿着第一方向延伸且在第一末端部分处结束；
第二金属线，其形成于所述第一互连层中，从第二末端部分开始，在长度上大体上沿着所述第一方向延伸且在所述第一方向上与所述第一金属线未对准；以及
第一连接结构，其将所述第一金属线耦合到所述第二金属线，
其中
所述第一连接结构包括形成于不同于所述第一互连层的第二互连层中的第一端到端部分，且与所述第一末端部分和所述第二末端部分重叠。
2.根据权利要求1所述的互连结构，其中
所述第一端到端部分为单镶嵌通孔。
3.根据权利要求1所述的互连结构，其中
所述第一端到端部分具有至少包括第一拐角和第二拐角的形状；
所述第一拐角从大体上沿着所述第一方向弯曲到大体上沿着大体上正交于所述第一方向的第二方向；且
所述第二拐角从大体上沿着所述第一方向弯曲到大体上沿着所述第二方向。
4.根据权利要求1所述的互连结构，其中
所述第一端到端部分具有大体上矩形形状，其宽度跨越所述第一末端部分的宽度和所述第二末端部分的宽度。
5.根据权利要求1所述的互连结构，其中
所述第一端到端部分为第三金属线；且
所述第一连接结构进一步包括：
第一通孔，其将所述第一端到端部分耦合到所述第一金属线；及
第二通孔，其将所述第一端到端部分耦合到所述第二金属线。
6.根据权利要求1所述的互连结构，其中
所述第一端到端部分在所述第一端到端部分与所述第一末端部分重叠处的宽度比所述第一末端部分的宽度宽至少约10％。
7.根据权利要求1所述的互连结构，其进一步包括：
第三金属线，其形成于所述第一互连层中且在长度上大体上沿着所述第一方向延伸，
其中
所述第一末端部分的至少一部分在所述第一方向上超出所述第三金属线。
8.一种半导体芯片，其包括：
阵列单元，其包括：
第一金属线，其形成于第一互连层中且大体上沿着第一方向延伸；
存取电路，其经配置以存取所述阵列单元且包括：
第二金属线，其形成于所述第一互连层中且大体上沿着所述第一方向延伸；以及
第一连接结构，其使用不同于所述第一互连层的第二互连层将所述第一金属线耦合到所述第二金属线，
其中所述耦合的第一金属线、第二金属线与第一连接结构充当所述阵列单元的存取线。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其中
所述第一端到端部分具有至少包括第一拐角和第二拐角的形状；
所述第一拐角从大体上沿着所述第一方向弯曲到大体上沿着大体上正交于所述第一方向的第二方向；且
所述第二拐角从大体上沿着所述第一方向弯曲到大体上沿着所述第二方向。
10.根据权利要求8所述的半导体芯片，其中
所述第一连接结构包括与所述第一金属线和所述第二金属线重叠的单镶嵌通孔。